SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告

·結(jié)合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤(rùn)為2.886萬億韓元，凈利潤(rùn)為1.917萬億韓元

·第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)同期歷史第二高

·由于eSSD銷量增加及價(jià)格上升，NAND閃存成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈

·“憑借面向AI的存儲(chǔ)器頂尖競(jìng)爭(zhēng)力，將持續(xù)改善公司業(yè)績(jī)”

2024年4月25日，SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2024財(cái)年第一季度結(jié)合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤(rùn)為2.886萬億韓元，凈利潤(rùn)為1.917萬億韓元。2024財(cái)年第一季度營業(yè)利潤(rùn)率為23%，凈利潤(rùn)率為15%。

公司的2024年第一季度收入創(chuàng)歷史同期新高，營業(yè)利潤(rùn)也創(chuàng)下了市況最佳的2018年以來同期第二高，公司將其視為擺脫了長(zhǎng)時(shí)間的低迷期，開始轉(zhuǎn)向了全面復(fù)蘇期。

SK海力士表示：“憑借HBM等面向AI的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，公司提升了面向AI服務(wù)器的產(chǎn)品銷量，同時(shí)持續(xù)實(shí)施以盈利為主的經(jīng)營活動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)了營業(yè)利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)734%的業(yè)績(jī)?！惫具€強(qiáng)調(diào)：“就NAND閃存而言，隨著高端eSSD產(chǎn)品的銷售比重提升，而且平均售價(jià)（ASP，Average Selling Price）也有所上升，成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，其對(duì)公司具有重要意義?！?/p>

公司展望未來，面向AI的存儲(chǔ)器需求正在不斷增長(zhǎng)，普通DRAM產(chǎn)品需求也將從下半年起有所恢復(fù)，因此今年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)將呈現(xiàn)穩(wěn)定的增長(zhǎng)趨勢(shì)。業(yè)界預(yù)測(cè)，因?yàn)镠BM等高端產(chǎn)品與普通DRAM產(chǎn)品相比需要利用更大的產(chǎn)能（Capacity），隨著高端產(chǎn)品為主的產(chǎn)量增加，通用DRAM產(chǎn)品供應(yīng)將會(huì)相對(duì)減少，于是供應(yīng)商和客戶端的庫存將會(huì)耗盡。

順應(yīng)面向AI的存儲(chǔ)器需求增長(zhǎng)的這一趨勢(shì)，SK海力士決定加大于今年3月全球率先開始生產(chǎn)的HBM3E產(chǎn)品供應(yīng)，并拓展其產(chǎn)品的客戶群。同時(shí)，公司將在今年內(nèi)推出第五代10納米級(jí)（1b）32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品，以加強(qiáng)面向服務(wù)器的高容量DRAM產(chǎn)品的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)力。

就NAND閃存，SK海力士為了維持業(yè)績(jī)改善的趨勢(shì)，將推進(jìn)產(chǎn)品優(yōu)化。以公司具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力的高性能16組通道eSSD產(chǎn)品、子公司Solidigm的四層單元（QLC*）高容量eSSD產(chǎn)品為中心著重提高產(chǎn)品銷售。同時(shí)，公司還將通過適時(shí)推出用于AI PC的第五代 PCIe cSSD，并以最佳產(chǎn)品線應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求。

此外，SK海力士將為擴(kuò)大產(chǎn)能適時(shí)進(jìn)行投資。公司于本月24日已宣布，決定將韓國清州的M15X廠定為DRAM生產(chǎn)基地并加速建設(shè)。并且也將順利推進(jìn)龍仁半導(dǎo)體集群和美國印第安納州先進(jìn)封裝工廠等中長(zhǎng)期投資項(xiàng)目。

據(jù)此，今年投資規(guī)模與年初的原計(jì)劃相比會(huì)有所提升。公司對(duì)此解釋道，此次加大投資是根據(jù)客戶需求的增長(zhǎng)趨勢(shì)而決定，HBM和普通DRAM的供應(yīng)也將根據(jù)市場(chǎng)需求逐漸提升。公司期待在此過程中，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)得以穩(wěn)部增長(zhǎng)的同時(shí)，公司也能夠確保更高投資效率和財(cái)務(wù)穩(wěn)健性。

SK海力士財(cái)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)（CFO）金祐賢表示：“憑借HBM等適于AI的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，公司業(yè)績(jī)開始全面回升。今后，公司也將及時(shí)供應(yīng)最高性能的產(chǎn)品，并繼續(xù)維持以盈利為主經(jīng)營，不斷改善公司業(yè)績(jī)?！?/p>

* 四層存儲(chǔ)單元（QLC）：NAND閃存憑借數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式，可分為每個(gè)單元可存儲(chǔ)1位數(shù)據(jù)的單層存儲(chǔ)單元（SLC，Single Level Cell），存儲(chǔ)2位數(shù)據(jù)的多層存儲(chǔ)單元（MLC，Multi Level Cell），存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)的三層存儲(chǔ)單元（TLC，Triple Level Cell），存儲(chǔ)4位數(shù)據(jù)的四層存儲(chǔ)單元（QLC，Quadruple Level Cell）。與具有相同單元數(shù)量的SLC相比，QLC可存儲(chǔ)多達(dá)4倍的數(shù)據(jù)，因此容易實(shí)現(xiàn)高容量存儲(chǔ)，而且生產(chǎn)成本效率高。