STM32、GD32、ESP32 的區(qū)別
01
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/458644.htm前言
STM32:意法半導(dǎo)體在 2007 年 6 月 11 日發(fā)布的產(chǎn)品,32位單片機。
GD32:兆易創(chuàng)新 2013 年發(fā)布的產(chǎn)品,在芯片開發(fā)、配置、命名上基本模仿 STM32,甚至 GPIO 和 STM32 都是 pin to pin 的,封裝不改焊上去直接用。有時候 STM32 的源碼不修改,重新編譯燒寫到 GD32 上就可以跑。當然也有很多不同,比如串口驅(qū)動、USB 、庫文件等。
ESP32:樂鑫公司 2017 年開發(fā)的產(chǎn)品,和 STM32、GD32 不同,ESP32 主要面向物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,支持功能很多,但引出 GPIO pin 腳很少,因此大多數(shù) GPIO 都有很多復(fù)用功能。出廠就集成藍牙、WiFi 等物聯(lián)網(wǎng)必備功能,板子也很小,適合物聯(lián)網(wǎng)。
01
GD32 和 STM32 的區(qū)別
GD32 是國產(chǎn)單片機,據(jù)說開發(fā)人員來自ST公司,GD32 也是以 STM32 作為模板做出來的。所以 GD32 和 STM32 有很多地方都是一樣的,不過 GD32 畢竟是不同的產(chǎn)品,不可能所有東西都沿用 STM32,有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。不同的地方如下:
1、內(nèi)核
GD32 采用二代的 M3 內(nèi)核,STM32 主要采用一代 M3 內(nèi)核,下圖是 ARM 公司的 M3 內(nèi)核勘誤表,GD 使用的內(nèi)核只有 752419 這一個 BUG。
2、主頻
使用HSE(高速外部時鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大72M
使用HSI(高速內(nèi)部時鐘):GD32的主頻最大108M,STM32的主頻最大64M
主頻大意味著單片機代碼運行的速度會更快,項目中如果需要進行刷屏,開方運算,電機控制等操作,GD 是一個不錯的選擇。
3、供電
外部供電:GD32 外部供電范圍是 2.6~3.6V,STM32 外部供電范圍是2.0~ 3.6V或1.65~ 3.6V。GD 的供電范圍比 STM32 相對要窄一點。
內(nèi)核電壓:GD32 內(nèi)核電壓是 1.2V,STM32 內(nèi)核電壓是 1.8V。GD 的內(nèi)核電壓比 STM32 的內(nèi)核電壓要低,所以 GD 的芯片在運行的時候運行功耗更低。
4、Flash差異
GD32 的 Flash 是自主研發(fā)的,和 STM32 的不一樣。
GD Flash 執(zhí)行速度:GD32 Flash 中程序執(zhí)行為 0 等待周期。
STM32 Flash 執(zhí)行速度:ST 系統(tǒng)頻率不訪問 flash 等待時間關(guān)系:0 等待周期,當 0<SYSCLK<24MHz,1 等待周期,當 24MHz<SYSCLK≤48MHz,2 等待周期,當 48MHz<SYSCLK≤72MHz。
Flash 擦除時間:GD 擦除的時間要久一點,官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的:GD32F103/101 系列 Flash 128KB 及以下的型號, Page Erase 典型值 100ms, 實際測量 60ms 左右。對應(yīng)的 ST 產(chǎn)品 Page Erase 典型值 20~40ms。
5、功耗
從下面的表可以看出 GD 的產(chǎn)品在相同主頻情況下,GD 的運行功耗比 STM32小,但是在相同的設(shè)置下 GD 的停機模式、待機模式、睡眠模式比 STM32 還是要高的。
6、串口
GD 在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個 Bit 的 Idle,而 STM32 沒有,如下圖:
GD 的串口在發(fā)送的時候停止位只有 1/2 兩種停止位模式。STM32 有 0.5/1/1.5/2 四種停止位模式。
GD 和 STM32 USART 的這兩個差異對通信基本沒有影響,只是 GD 的通信時間會加長一點。
7、ADC 差異
GD 的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和 ST 有一定差異,相同配置 GD 采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在 72M 的主頻下,ADC 的采樣時鐘為 14M 的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系:
8、FSMC
STM32 只有 100Pin 以上的大容量(256K及以上)才有 FSMC,GD32 所有的 100Pin 或 100Pin 以上的都有 FSMC。
9、103 系列 RAM&FLASH 大小差別
GD103 系列和 ST103 系列的 ram 和 flash 對比如下圖:
10、105&107系列STM32和GD的差別
GD的105/107的選擇比ST的多很多,具體見下表:
11、抗干擾能力
GD 的抗干擾能力不如 STM32,還需要一定打磨。
03
ESP32 和 STM32
ESP32 是樂鑫公司推出的一款采用兩個哈佛結(jié)構(gòu) Xtensa LX6 CPU 構(gòu)成的擁有雙核系統(tǒng)的芯片。所有的片上存儲器、片外存儲器以及外設(shè)都分布在兩個 CPU 的數(shù)據(jù)總線和/或指令總線上。
相比于 STM32 的一個大家族,ESP32 雖然也代表一個系列,但目前來說,這個系列的成員還是比較少的,我們看下:
資源如下:
功能框圖如下:
模塊(非芯片)的引腳分布如下:
ESP32 這個模塊的 IO 并不多,估計也就 30 個左右(芯片有34個,但是模塊中外接 FLASH 用掉了一些)。但是你會發(fā)現(xiàn)它有幾個特點:
1、集成了非常多的外設(shè)接口,SPI、IIC、IIS、AD、DA、PWM、IR、UART、CAN等等。IO 數(shù)量有限,所以基本上每個 IO 都有多個功能。
2、片內(nèi)flash和ram很大,flash有448KB,ram有520KB。而模塊上直接掛了一個4MB的flash。
3、速度快!雖然外接晶體的頻率只有40MHZ,但通過內(nèi)部主頻可以支持80MHZ、160MHZ、240MHZ,運算能力高達600MIPS。
4、有wifi和藍牙!當前兩者不能同時使用。
STM32 和 ESP32 基本是有各自不同的定位。ESP32 偏向體積小巧、速度超快、功能強大,通過 wifi 接入網(wǎng)絡(luò),專門為物聯(lián)網(wǎng)而生;而 STM32 偏向管腳豐富、功能全面,雖然沒有 wifi 和藍牙,速度也沒有 ESP32 快,但是可以通過網(wǎng)口接入網(wǎng)絡(luò),可以控制更多的外設(shè),為消費電子和工業(yè)控制而生。
04
總結(jié)
STM32 和 GD32 是同質(zhì)化產(chǎn)品,區(qū)別一個是國外,一個是國產(chǎn),最近流行國產(chǎn)化替代,所以 GD32 還是很有發(fā)展前景的。
物聯(lián)網(wǎng)也是一個好方向,因此 ESP32 也是很有前景的。
評論