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          純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)

          作者: 時間:2024-06-17 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          6月14日,代工廠穩(wěn)懋(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測試版NP12-0B平臺。目前,NP12-0B鑒定測試已經(jīng)完成,最終建模/PDK生成預(yù)計將于2024年8月完成,并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202406/459959.htm

          據(jù)穩(wěn)懋介紹,該平臺的核心是0.12μm柵極 HEMT技術(shù),該技術(shù)結(jié)合了多項改進,以增強直流和射頻的耐用性,并增加芯片級防潮性。NP12-0B集成了多項晶體管改進,在深度飽和/高壓縮脈沖和連續(xù)波條件下運行時具備高耐用性。這種新的耐用技術(shù)通過消除在GaN HEMT功率放大器中觀察到的脈沖下降現(xiàn)象,從而提高了脈沖模式雷達系統(tǒng)的范圍和靈敏度。此外,NP12-0B還提供增強型防潮性選項,在塑料封裝中使用時具有出色的耐濕性。

          NP12-0B平臺支持全MMIC,允許客戶開發(fā)適用于50GHz以下應(yīng)用的緊湊型脈沖或CW飽和功率放大器。該工藝適用于28V工作電壓,在29GHz頻段可產(chǎn)生4.5 W/mm的飽和輸出功率,線性增益為12 dB,功率附加效率超過40%。NP12-0B技術(shù)非常適合用于先進雷達系統(tǒng)的堅固型脈沖模式高功率放大器。




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