內存市場將迎來「超級周期」，產(chǎn)業(yè)資本的饕餮盛宴

根據(jù)摩根士丹利的最新報告，全球內存市場在 2025 年將迎來一次前所未有的供需失衡，這一現(xiàn)象主要由人工智能技術的快速發(fā)展和過去兩年內存行業(yè)資本支出不足所驅動。

報告預計，2025 年 HBM（高帶寬內存）的供應不足率將達到-11%，而整個 DRAM 市場的供應不足率將高達-23%，特別是 HBM 的需求量預計將大幅增加，可能占總 DRAM 供應的 30%。

這一供需失衡的情況預示著內存價格的顯著上漲，報告中指出，商品存儲產(chǎn)品的價格在 2024 年將以每季度兩位數(shù)的速度上漲，而 2025 年 HBM 的價格將更高，服務器 DRAM 和超高密度 QLC 固態(tài)硬盤將引領這一價格上漲趨勢。

內存市場的這一「超級周期」將為行業(yè)內的戰(zhàn)略地位公司如 SK 海力士和三星帶來市場份額的進一步增長。

摩根士丹利已將這兩家公司的 2024-2025 年的每股收益預測提高了 24%-82%，較最新的預期共識高出 51%-54%。

SK 海力士預計將在 2025 年占據(jù) HBM 市場的最大份額，其股票目標價被提高 11% 至 30 萬韓元，而三星電子的目標價被提高至 10.5 萬韓元。

內存市場的這一輪超級周期與以往有所不同，由于當前周期中行業(yè)的資本支出遠低于維持產(chǎn)能所需的水平，自 2022 年第三季度以來產(chǎn)能一直在下降。

這種投資的缺乏正發(fā)生在內存供應鏈迅速轉移到 HBM 之際，HBM 的生產(chǎn)每比特所需的晶圓容量是普通 DRAM 的兩倍，其生產(chǎn)良率也較低，進一步加劇了供需失衡的情況。

三大內存廠加緊布局 HBM

SK 海力士公布了 HBM 發(fā)展路線圖，該公司副總裁 Kim Chun-hwan 透露，計劃在 2024 上半年量產(chǎn) HBM3e，并向客戶交付 8 層堆疊樣品，在 6 層堆棧 HBM3e 配置中，每層堆棧可提供 1.2 TB/s 的通信帶寬，8 層堆疊將進一步提升 HBM 內存的帶寬。

Kim Chun-hwan 表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業(yè)正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節(jié)點的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關注新一代存儲架構和工藝，以給客戶應用系統(tǒng)提供更高的性能。為此，SK 海力士已經(jīng)啟動了 HBM4 的開發(fā)，計劃于 2025 年提供樣品，并于次年量產(chǎn)。

根據(jù)美光提供的信息，與前幾代 HBM 相比，HBM4 每層堆棧的理論峰值帶寬將超過 1.5 TB/s。為了實現(xiàn)這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4 的目標是實現(xiàn)大約 6GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。

三星也有發(fā)展 HBM4 的時間表，計劃于 2025 年提供樣品，并于 2026 年量產(chǎn)。據(jù)三星高管 Jaejune Kim 透露，該公司 HBM 產(chǎn)量的一半以上是定制化產(chǎn)品，未來，定制 HBM 方案的市場規(guī)模將進一步擴大。通過邏輯集成，量身定制的 HBM 對于滿足客戶個性化需求至關重要。

三星和 SK 海力士之間的競爭正在升溫。

一些市場觀察人士表示，三星在 HBM 芯片開發(fā)方面落后于 SK 海力士，為了在新接口標準 CXL 開發(fā)中占據(jù)優(yōu)勢地位，三星加快了技術研發(fā)和產(chǎn)品布局。

SK 海力士表示，計劃加大對高帶寬內存和 DDR5 芯片的投資，以適應人工智能市場的增長需求?！概c 2023 年相比，2024 年的資本支出將有所增加。……我們將最大限度地提升資金利用效率」，SK 海力士副總裁兼首席財務官金宇賢表示：「在 2023 年投資金額的范圍內，我們根據(jù)產(chǎn)品優(yōu)先順序調整了資本支出，2024 年，我們將更多地關注轉換制程工藝，而不只是增加產(chǎn)能?！?/p>

金宇賢表示，SK 海力士將努力擴大第四代和第五代 10nm 級制程內存芯片的比例，到 2024 年底，這些新品將占據(jù)該公司 DRAM 產(chǎn)量的一半以上。不過，他表示，要達到 2022 年第四季度的產(chǎn)能水平，還需要相當長時間。

SK 海力士對引領 HBM 市場充滿信心，預測未來 5 年的年均增長率將達到 60%~80%。該公司 DRAM 營銷主管 Park Myung-soo 表示：「我們 2024 年的 HBM3 和 HBM3e 芯片產(chǎn)能已經(jīng)售罄。根據(jù)客戶和市場觀察人士的說法，我們的 HBM3 產(chǎn)能份額非常高?！?/p>

據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，2023 年第三季度，SK 海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務器 DRAM 廠商。報告顯示，2023 年第三季度，SK 海力士服務器 DRAM 銷售額達到 18.5 億美元，拿下 49.6% 的市場份額，穩(wěn)居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務器 DRAM 銷售額為 13.13 億美元，市占率為 35.2%，同期內，美光的服務器 DRAM 銷售額為 5.6 億美元，市占率為 15.0%，排名第三。

需要指出是，以上統(tǒng)計數(shù)字僅是傳統(tǒng)服務器搭載的 DDR5 內存，不包括用于 AI 服務器的 HBM，若將 HBM 銷售計算在內，SK 海力士領先三星電子的幅度會更大。

就整體 DRAM 模塊市場而言，三星電子仍穩(wěn)居 DRAM 霸主地位，但 SK 海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為 21.5%。

排名內存行業(yè)第三位的美光也在加緊布局 AI 服務器市場，該公司計劃在 2024 年第一季度量產(chǎn) HBM3e，以搶攻英偉達的超級計算機 DGX GH200 商機。美光技術開發(fā)事業(yè)部資深副總裁 Naga Chandrasekaran 表示，采用 EUV 技術量產(chǎn)的 1-gamma 制程產(chǎn)品，正在研發(fā)過程中，預計于 2025 年量產(chǎn)。

業(yè)界人士指出，在 HBM 產(chǎn)品開發(fā)方面，雖然美光落后三星和 SK 海力士近一年時間，但在新一代 HBM3e 產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)進度方面，該公司加快了節(jié)奏，有望在 HBM 競賽中扳回一城。