Onsemi推出新一代碳化硅半導體

美國半導體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術平臺，用于電動汽車和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關斷損耗。

據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場至關重要。在電動汽車中，逆變器將電池的直流電轉換為電動機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。

具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術提供了大幅度更多的相電流，”這應當使同一牽引逆變器外殼中的輸出功率提高20%。Onsemi還聲稱，現(xiàn)在可以設計固定功率級，使用約20%更少的碳化硅含量，從而節(jié)省成本，并開發(fā)出更小、更輕、更可靠的系統(tǒng)。

據(jù)該公司稱，新的碳化硅一代還將實現(xiàn)“下一代電氣系統(tǒng)的性能和可靠性，以更低的每千瓦成本，從而影響電氣化倡議的采用和效果。”該平臺能夠在更高的開關頻率和電壓下運行，同時將功率轉換損耗降至最低，適用于廣泛的汽車和工業(yè)應用。“廣泛的汽車和工業(yè)應用”。除了電動驅動，這些還包括直流快速充電器、太陽能逆變器和能源存儲解決方案。它還可以用于提高數(shù)據(jù)中心的效率。

“電氣化的未來依賴于先進的功率半導體。沒有在功率方面的重大創(chuàng)新，今天的基礎設施無法跟上世界對更多智能和電氣化移動性的需求。這對于實現(xiàn)全球電氣化和遏制氣候變化的能力至關重要，”O(jiān)nsemi電源解決方案集團總裁Simon Keeton說?！拔覀冋谠O定創(chuàng)新的步伐，計劃到2030年大幅提高我們碳化硅技術路線圖中的功率密度，以滿足日益增長的能源需求，并推動全球向電氣化轉型。”

Onsemi計劃在2030年前加速推出多個未來的碳化硅產品系列。這家美國半導體制造商還在捷克共和國投資建設了一座歐洲碳化硅半導體工廠。Onsemi的客戶包括眾多電動汽車制造商（如大眾、寶馬、現(xiàn)代-起亞和Zeekr）以及動力總成供應商Vitesco。