Onsemi推出新一代碳化硅半導(dǎo)體

美國半導(dǎo)體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺，用于電動汽車和其他應(yīng)用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導(dǎo)通損耗和高達(dá)50%的關(guān)斷損耗。

據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導(dǎo)通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場至關(guān)重要。在電動汽車中，逆變器將電池的直流電轉(zhuǎn)換為電動機(jī)所需的交流電。轉(zhuǎn)換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。

具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了大幅度更多的相電流，”這應(yīng)當(dāng)使同一牽引逆變器外殼中的輸出功率提高20%。Onsemi還聲稱，現(xiàn)在可以設(shè)計(jì)固定功率級，使用約20%更少的碳化硅含量，從而節(jié)省成本，并開發(fā)出更小、更輕、更可靠的系統(tǒng)。

據(jù)該公司稱，新的碳化硅一代還將實(shí)現(xiàn)“下一代電氣系統(tǒng)的性能和可靠性，以更低的每千瓦成本，從而影響電氣化倡議的采用和效果?！痹撈脚_能夠在更高的開關(guān)頻率和電壓下運(yùn)行，同時將功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，適用于廣泛的汽車和工業(yè)應(yīng)用?！皬V泛的汽車和工業(yè)應(yīng)用”。除了電動驅(qū)動，這些還包括直流快速充電器、太陽能逆變器和能源存儲解決方案。它還可以用于提高數(shù)據(jù)中心的效率。

“電氣化的未來依賴于先進(jìn)的功率半導(dǎo)體。沒有在功率方面的重大創(chuàng)新，今天的基礎(chǔ)設(shè)施無法跟上世界對更多智能和電氣化移動性的需求。這對于實(shí)現(xiàn)全球電氣化和遏制氣候變化的能力至關(guān)重要，”O(jiān)nsemi電源解決方案集團(tuán)總裁Simon Keeton說?！拔覀冋谠O(shè)定創(chuàng)新的步伐，計(jì)劃到2030年大幅提高我們碳化硅技術(shù)路線圖中的功率密度，以滿足日益增長的能源需求，并推動全球向電氣化轉(zhuǎn)型。”

Onsemi計(jì)劃在2030年前加速推出多個未來的碳化硅產(chǎn)品系列。這家美國半導(dǎo)體制造商還在捷克共和國投資建設(shè)了一座歐洲碳化硅半導(dǎo)體工廠。Onsemi的客戶包括眾多電動汽車制造商（如大眾、寶馬、現(xiàn)代-起亞和Zeekr）以及動力總成供應(yīng)商Vitesco。