德州儀器擴(kuò)大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

新聞亮點(diǎn)：

●   德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍。

●   德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。

●   憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品。

●   德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。

德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。

德州儀器技術(shù)和制造集團(tuán)高級(jí)副總裁Mohammad Yunus表示：“基于在 GaN 芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域數(shù)十年的專業(yè)知識(shí)，我們已成功驗(yàn)證了德州儀器 8 英寸 GaN 技術(shù)并將開始大規(guī)模生產(chǎn)。這種 GaN 制造方式在目前階段擁有顯著的可擴(kuò)展性和成本優(yōu)勢(shì)，頗具里程碑意義，可助力我們不斷擴(kuò)大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年，我們的自有制造產(chǎn)能將增至 95% 以上，同時(shí)實(shí)現(xiàn)從多個(gè)德州儀器工廠供貨，從而確保我們高功率、高能效 GaN 半導(dǎo)體產(chǎn)品全系列的可靠供應(yīng)。”

GaN技術(shù)：功能強(qiáng)大，潛力無限

作為硅的替代品，GaN 是一種在能源效率、開關(guān)速度、電源解決方案尺寸和重量、總系統(tǒng)成本以及高溫和高壓性能方面頗具優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料。GaN 芯片可提供更高的功率密度，即在較小的空間內(nèi)提供更大功率，因此可用于筆記本電腦和手機(jī)中的電源轉(zhuǎn)換器以及暖通空調(diào)系統(tǒng)和家用電器中的更小型、更高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

如今，德州儀器提供品類齊全的 GaN 集成功率半導(dǎo)體，涵蓋低壓和高壓類別，可助力打造高能效、高可靠性且高功率密度的電子產(chǎn)品。

德州儀器高壓電源部門副總裁Kannan Soundarapandian表示：“借助 GaN 技術(shù)，德州儀器可以更高效地在緊湊空間內(nèi)提供更大功率，這也是驅(qū)動(dòng)我們很多客戶進(jìn)行創(chuàng)新的主要市場(chǎng)需求。服務(wù)器電源、太陽能發(fā)電和交流/直流適配器等系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員面臨著降低功耗并提高能效的挑戰(zhàn)，他們?cè)絹碓叫枰轮輧x器穩(wěn)定供應(yīng)基于 GaN 的高性能芯片。德州儀器的集成式 GaN 功率級(jí)產(chǎn)品系列可助力客戶實(shí)現(xiàn)更高功率密度、更好易用性和更低系統(tǒng)成本?！?/p>

此外，德州儀器 GaN 芯片采用了德州儀器專有的硅基氮化鎵 (GaN-on-silicon) 工藝，經(jīng)過超 8 千萬小時(shí)的可靠性測(cè)試并具有集成保護(hù)特性，可保持高壓系統(tǒng)的安全性。

GaN制造技術(shù)：卓越性能，引領(lǐng)前沿

德州儀器采用了當(dāng)今市面上先進(jìn)的 GaN 芯片制造設(shè)備，其新增產(chǎn)能可提升產(chǎn)品性能、制造工藝效率并帶來成本優(yōu)勢(shì)。

此外，德州儀器在提升 GaN 產(chǎn)能過程中采用了更先進(jìn)、更高效的機(jī)臺(tái)，可以生產(chǎn)出體積更小但是功率更大的芯片。這種設(shè)計(jì)創(chuàng)新可在制造中使用更少的水資源、能源和原材料，采用 GaN 芯片的終端產(chǎn)品也能擁有同樣的環(huán)境效益。

面向未來，不斷擴(kuò)展

德州儀器新增的 GaN 產(chǎn)能所帶來的性能優(yōu)勢(shì)還包括，可以支持公司將GaN芯片應(yīng)用擴(kuò)展到更高的電壓范圍，起始電壓為900V，并隨時(shí)間推移擴(kuò)展至更高電壓，進(jìn)一步推動(dòng)機(jī)器人、可再生能源和服務(wù)器電源等應(yīng)用在功效和尺寸方面的創(chuàng)新。

德州儀器的擴(kuò)大投資還包括今年年初成功開展的在 12 英寸晶圓上開發(fā) GaN 制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。此外，德州儀器擴(kuò)展后的 GaN 制造工藝可全面轉(zhuǎn)為采用 12 英寸技術(shù)，使公司可根據(jù)客戶需求迅速擴(kuò)展規(guī)模并為未來轉(zhuǎn)為 12 英寸技術(shù)做好準(zhǔn)備。

致力于負(fù)責(zé)任、可持續(xù)的制造

擴(kuò)大GaN 技術(shù)的芯片供應(yīng)和創(chuàng)新應(yīng)用，是德州儀器踐行負(fù)責(zé)任、可持續(xù)制造理念的新一舉措。德州儀器還承諾了 2027 年美國業(yè)務(wù)全面實(shí)現(xiàn)可再生電力使用，并在 2030 年全球業(yè)務(wù)全面實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)。