極致優(yōu)化整機效率，軟開關(guān)技術(shù)在POWERQUARK中的創(chuàng)新

快充技術(shù)的發(fā)展不斷突破著功率極限。隨著功率增大，芯片的溫升效應(yīng)隨之顯著，熱損耗加劇，影響系統(tǒng)整體的能量轉(zhuǎn)化效率，過熱的芯片還可能帶來安全性和使用壽命等方面的隱患。作為目前主流快充系統(tǒng)的核心器件，反激變換器的效率與整機溫升和散熱成本密不可分，如何進一步提升它的效率始終是電源設(shè)計工程師最關(guān)心的問題之一。

傳統(tǒng)軟開關(guān)拓?fù)洌航柚鈬娐穼崿F(xiàn)

開關(guān)損耗是反激變換器的主要損耗來源之一，由開通和關(guān)斷過程中的電流和電壓交疊引起。為提高系統(tǒng)效率，降低溫度，實現(xiàn)軟開關(guān)成為減少系統(tǒng)開關(guān)損耗的重要手段。在開關(guān)電源中，有多種拓?fù)渚蓪崿F(xiàn)軟開關(guān)，如有源鉗位 (ACF)、非對稱半橋 (AHB)、諧振 (LLC) 等電路。

如下圖所示，從電路結(jié)構(gòu)上看，ACF 需要增加一顆高壓開關(guān)管和高側(cè)驅(qū)動，AHB 除高壓開關(guān)管和驅(qū)動外還需增加諧振電容，均會大幅提升系統(tǒng)成本。應(yīng)用在中小功率場景的 LLC 多采用半橋結(jié)構(gòu)，初級有兩顆開關(guān)管且需增加諧振電容，次級為全波整流方式，需要兩顆同步整流的 MOS，外圍功率器件數(shù)量多，控制部分及外圍 BOM 成本高，且調(diào)壓范圍受限，不適合寬輸入或?qū)捿敵鰬?yīng)用。

可實現(xiàn)軟開關(guān)功能的常見電路拓?fù)?/em>

次級控制軟開關(guān)技術(shù)，讓系統(tǒng)性能更高效

在深入了解常見軟開關(guān)電路痛點的基礎(chǔ)上，南芯科技突破性的 POWERQUARK^?系列產(chǎn)品通過次級同步整流 (SR) 控制實現(xiàn)初級側(cè)軟開關(guān)。對比其它傳統(tǒng)反激電路，該方案無需增加任何器件，即可實現(xiàn)初級開關(guān)管的零電壓開通。

POWERQUARK電路拓?fù)?/em>

POWERQUARK 系列產(chǎn)品通過同步整流管為反激變壓器提供負(fù)向勵磁電流。此負(fù)向勵磁電流在同步整流關(guān)閉后抽取初級功率管寄生電容能量，使得初級功率管上電壓接近于零，從而實現(xiàn)初級開關(guān)管零電壓開通。通過這一技術(shù)，POWERQUARK 系統(tǒng)可極大降低開關(guān)損耗，提升整個充電過程的效率及用戶體驗。我們的參考設(shè)計在 230V/65W 條件下可實現(xiàn) 95% 以上的效率。

POWERQUARK參考設(shè)計

系統(tǒng)EMI性能提升，讓研發(fā)過程更高效

更低的系統(tǒng)電磁干擾是 POWERQUARK 次級控制軟開關(guān)技術(shù)的另一大優(yōu)勢。反激變換器工作過程中，電壓變化率 (dv/dt) 和電流變化率 (di/dt) 高，產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁干擾，工程師需花費較多時間和較長的驗證周期來優(yōu)化系統(tǒng) EMI 性能，開發(fā)成本也隨之增加。POWERQUARK 支持初級高壓功率管軟開關(guān)，極大減小了開關(guān)節(jié)點的 dv/dt，有效降低電磁干擾，提高研發(fā)效率。同時軟開關(guān)也大幅度降低了次級同步整流功率管的電壓尖峰，進一步提高系統(tǒng)的可靠性。

POWERQUARK次級功率管尖峰收益

此外，當(dāng)系統(tǒng)采用次級控制方式時，同步整流控制部分在諧振段也不會出現(xiàn)誤發(fā)波的風(fēng)險。在這種系統(tǒng)設(shè)計下，VCC二極管可以選擇慢管，進一步利好系統(tǒng)整體 EMI。

總結(jié)

南芯科技從未停止對效率的極致追求。通過軟開關(guān)技術(shù)上的創(chuàng)新，POWERQUARK 進一步提升了快充系統(tǒng)的效率，優(yōu)化了 EMI 性能，幫助客戶高效開發(fā)新產(chǎn)品，為終端用戶帶去尺寸更小、系統(tǒng)溫升更平穩(wěn)等切實的體驗優(yōu)化，引領(lǐng)快充新世代。