ABLIC推出面向智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備的1節(jié)電池保護(hù)IC「S-821A/1B系列」

美蓓亞三美株式會社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（總裁：田中誠司，總部地址：東京都港區(qū)，下稱“ABLIC”）今天推出使用N溝道MOSFET(※1)實(shí)現(xiàn)正端保護(hù)(※2)的1節(jié)電池保護(hù)IC「S-821A/1B系列」。

今天推出的新產(chǎn)品「S-821A/1B系列」是1節(jié)鋰離子電池保護(hù)IC，具有以下特點(diǎn)：（1）通過將進(jìn)行充放電控制的N溝道MOSFET配置在鋰離子電池的正極側(cè)（正端），實(shí)現(xiàn)切斷電池正極側(cè)電流路徑的保護(hù)方式，同時，電池組側(cè)和系統(tǒng)側(cè)的共地為簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)做出貢獻(xiàn)。另外，由于內(nèi)置有業(yè)界最高等級的3倍升壓充電泵，所以N溝道MOSFET的驅(qū)動電壓高，降低了N溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻；（2）備有業(yè)界頂級精度的放電過電流保護(hù)(3段)，能夠在安全的領(lǐng)域切斷異常電流；（3）過充電檢測電壓精度為±15mV，實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級的高精度化；（4）通過節(jié)電功能，在禁止電池放電的同時，將保護(hù)IC的消耗電流降低到最大50nA，將電池的消耗電流抑制為近乎于0；（5）通過將NTC熱敏電阻與熱敏電阻連接端子（TH端子）連接，能夠?qū)崿F(xiàn)過熱保護(hù)功能。

(※1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor /金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）
(※2) 正端保護(hù)：在電池的正極側(cè)與負(fù)載之間插入MOSFET，發(fā)生異常時通過關(guān)閉MOSFET來切斷通電路徑，保護(hù)電路及設(shè)備

Figure Example protection circuit using the S-821A Series

【主要特點(diǎn)】

1.實(shí)現(xiàn)N溝道正端保護(hù)

2.通過3段放電過電流保護(hù)，實(shí)現(xiàn)更高的安全性

3.過充電檢測電壓精度為±15mV，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級的高精度

4.通過節(jié)電功能可以抑制消耗電流

5. 通過連接NTC熱敏電阻，實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)功能

【應(yīng)用案例】

鋰離子可充電電池組、鋰聚合物可充電電池組