強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術車規(guī)級60 V N通道 突破車用電子的高效表現

隨著汽車產業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。
強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為各類電力電子應用提供更為可靠的解決方案。這些MOSFETs皆通過AEC-Q101之認證，具備優(yōu)異的導通和切換特性，在車用領域中是電源轉換、驅動與控制應用的理想選擇。此外，可承受結溫高達175°C，為現代電子產品提供最佳的設計彈性。
最重要的是強茂在SGT-MOSFETs的產品研發(fā)上，不僅推動電動/燃油汽車技術的發(fā)展，還致力于促進整個汽車產業(yè)鏈的持續(xù)成長與發(fā)展，服務廣泛涵蓋各終端之應用。此外，強茂的產品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0標準的綠色材質，體現了強茂致力于為客戶提供高性能、可靠和環(huán)保產品的承諾。

什么是屏蔽柵槽溝SGT-MOSFET呢？
屏蔽柵槽溝MOSFETs (Shielded Gate Trench-SGT) 多使用于中壓MOSFETs，被廣泛應用于電源供應、工業(yè)系統(tǒng)以及汽車設備等高性能的應用領域中，作為核心的電力控制元件。通過加深槽溝深度，其獨特的電荷耦合結構可涵蓋水平與垂直的耗盡區(qū)域，從而在相同的摻雜濃度下提升擊穿電壓的卓越性能。
相較于傳統(tǒng)槽溝式MOSFETs的特性，SGT-MOSFETs在柵極電極下增加了一個屏蔽電極并與源極相連，使屏蔽柵極在漂移區(qū)內減少米勒效應帶來的切換損耗。此外，此設計還降低了漂移區(qū)的臨界電場，使總柵極電荷（Qg, @RDS(on) 3 mΩ）降低了57％，并顯著提升了性能指標（FOM）。    

主要特性
 屏蔽柵槽溝技術 (SGT)
提升效率和性能，滿足嚴苛的電力需求。
AEC-Q101認證
確保在嚴格的汽車和工業(yè)應用中具備卓越的耐用性。
超低導通電阻
將功率損耗降至最低，最大化功率敏感設計的能源效率。
高功率密度封裝
緊湊的設計提供強大的功率輸出，是多種應用的首選。
可承受高結溫
支持在極端環(huán)境中穩(wěn)定運行，能承受高達175℃的溫度。

產品應用
汽車電子
先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)
車身控制器 (BCU)
冷卻風扇
影音娛樂 / 儀表板
LED照明
馬達泵
車載充電器
傳感器
USB充電器 / USB集線器
無線充電器  

電源供應
發(fā)動機控制器
執(zhí)行器/促動器
電池管理系統(tǒng)
服務器嵌入式系統(tǒng)

工業(yè)電子
工業(yè)電腦
太陽能逆變器 / 控制器
電風扇
焊接機

60 V N通道第一代SGT系列表

產品推薦
PJQ5560A-AU
這款60 V N通道的增強型MOSFET具備優(yōu)異的FOM (Qg, VGS@10 V, ID@20 A<82 nC) 以及低導通電阻 (RDS(ON), VGS@10 V, ID@20 A<2.6 mΩ)，采用DFN5060-8L封裝。該產品符合AEC-Q101認證，并設計為邏輯電平驅動，非常適合用于汽車應用中的先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、車身及舒適系統(tǒng)，以及汽車信息娛樂系統(tǒng)。