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TRENCHSTOP? 5 650V IGBT推向市場已經(jīng)10年了,共有6大系列74個型號,適合10-100kHz工作頻率應(yīng)用,不少型號成為工業(yè)應(yīng)用的標(biāo)桿產(chǎn)品。
H5高速芯片和S5標(biāo)準芯片的75A 650V是其中兩大熱銷產(chǎn)品,廣泛用于光伏、儲能、UPS、電動汽車充電中的高頻功率變換。
除了熱銷的H5產(chǎn)品,英飛凌還新近推出了TRENCHSTOP? 650V IGBT7 T7和H7兩大系列,17個型號。免費樣品中的H7作為TRENCHSTOP? 5 H5的繼承者,總損耗比H5降低高達39%。導(dǎo)通損耗降低25%,開通損耗降低77%,關(guān)斷損耗增加20%@75A,175?C。該產(chǎn)品更適應(yīng)于光伏、儲能、UPS、電動汽車充電中的高頻功率變換。
為了讓讀者更好的評估器件、體驗性能,小編精心挑選了三款產(chǎn)品:
● IKW75N65EH5 75A 650V免費樣品:H5系列TO-247封裝的最大規(guī)格,工作頻率可達50kHz
● IKW75N65ES5 75A 650V免費樣品:S5系列TO-247封裝的最大規(guī)格,硬開關(guān)工作頻率10-40kHz
● IKWH75N65EH7 75A 650V免費樣品:IGBT7 H7系列,采用TO-247封裝,工作頻率10-80kHz
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問題
1.關(guān)于IKWH75N65EH7 75A 650V IGBT 7 H7單管下面表述正確的是
a. 有承受短路能力,關(guān)斷電流能力在虛擬結(jié)溫175攝氏度為75A
b. 沒有承受短路能力,關(guān)斷電流能力在殼溫100攝氏度為80A
c. 沒有承受短路能力,關(guān)斷電流能力在虛擬結(jié)溫175攝氏度為300A
d. 沒有承受短路能力,只要保證散熱,不過溫過壓,可以連續(xù)關(guān)斷脈沖寬度不超過1微秒的300A電流
2.IKWH75N65EH7 75A 650V 采用IGBT 7 H7高速芯片和EC7二極管,下面表述正確的是:(參考數(shù)據(jù)手冊回答問題)
a. 在硬開關(guān)下,每次開通和關(guān)斷都產(chǎn)生損耗,Eon>Eoff
b. 在硬開關(guān)下,每次開通和關(guān)斷都產(chǎn)生損耗,隨著結(jié)溫升高,Eon和Eoff均增大
c. 在硬開關(guān)下,每次開通都產(chǎn)生損耗,損耗Eon與續(xù)流二極管特性有關(guān)
d. 在硬開關(guān)下,每次開通續(xù)流二極管會產(chǎn)生反向恢復(fù)損耗,增大柵極驅(qū)動電阻值能減小損耗
3.關(guān)于IKWH75N65EH7 75A 650V IGBT 7 H7單管下面表述正確的是:
a. TRENCHSTOP? IGBT7 650V系列, TO-247封裝的最大電流規(guī)格是150A
b. IKWH75N65EH7和IKW75N65EH5標(biāo)稱電流都是75A,在系統(tǒng)中輸出電流能力一致
c. IKWH75N65EH7總損耗比IKW75N65EH5低,熱阻更大
d. IKWH75N65EH7是可以替代IKW75N65EH5,其成本更低
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