非常見問(wèn)題解答第224期：熱插拔控制器中的寄生振蕩

問(wèn)題

我按照數(shù)據(jù)手冊(cè)在原理圖中使用了10 Ω柵極電阻，但在啟動(dòng)期間仍有振鈴。我的熱插拔控制器電路為何會(huì)振蕩？

回答

使用高端N溝道MOSFET開關(guān)的熱插拔器件在啟動(dòng)和限流期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。雖然這不是新問(wèn)題，但數(shù)據(jù)手冊(cè)通常缺少解決方案的詳細(xì)信息。如果不了解基本原理，只是添加一個(gè)小柵極電阻進(jìn)行簡(jiǎn)單修復(fù)，可能會(huì)導(dǎo)致電路布局容易產(chǎn)生振蕩。本文旨在解釋寄生振蕩的理論，并為正確實(shí)施解決方案提供指導(dǎo)。

簡(jiǎn)介

使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器、浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲 和理想二極管控制器，在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)簡(jiǎn)要提到這個(gè)問(wèn)題，并建議添加一個(gè)小柵極電阻來(lái)解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計(jì)人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受到振蕩的影響。本文將討論寄生振蕩的原理，以幫助設(shè)計(jì)人員避免不必要的電路板修改。

最初，添加?xùn)艠O電阻可能沒(méi)什么必要，因?yàn)榭雌饋?lái)NFET柵極的電阻為無(wú)窮大。用戶可能會(huì)忽略這個(gè)步驟，并且不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，進(jìn)而會(huì)質(zhì)疑柵極電阻是否有必要。但10 Ω柵極電阻可以有效抑制柵極節(jié)點(diǎn)上振鈴。柵極節(jié)點(diǎn)含有諧振電路的元件，包括柵極走線本身。較長(zhǎng)PCB走線會(huì)將寄生電感和分布電容引入附近的接地平面，從而形成通向地的高頻路徑。針對(duì)高安全工作區(qū)(SOA)優(yōu)化的功率FET具有數(shù)納法拉的柵極電容，為增加電流處理能力而并聯(lián)更多FET時(shí)，此問(wèn)題會(huì)加劇。用于鉗位FET的V_GS的齊納二極管也會(huì)帶來(lái)寄生電容，不過(guò)功率FET的C_ISS影響較大。

圖1為帶寄生效應(yīng)的通用PowerPath?控制器

圖1 通用PowerPath控制器

旋轉(zhuǎn)電路后（見圖2），其與Colpitts振蕩器的相似性就非常明顯了（見圖3）。這是一個(gè)具有附加增益的諧振電路，能夠產(chǎn)生持續(xù)振蕩，使用N溝道FET的PowerPath控制器可能會(huì)采用這種配置。

圖2 旋轉(zhuǎn)后的PowerPath控制器

圖3 Colpitts振蕩器

Colpitts振蕩器使用緩沖器通過(guò)容性分壓器提供正反饋。在PowerPath控制器中，這是由FET實(shí)現(xiàn)的。它處于共漏極/源極跟隨器配置中，因此可充當(dāng)交流緩沖器，在更高漏極電流下性能更好。容性分壓器頂部的信號(hào)被注入分壓器的中間，導(dǎo)致分壓器頂部的信號(hào)上升，然后重復(fù)這一過(guò)程。

振蕩常發(fā)生在以下FET未完全導(dǎo)通的情況中：

1.初始啟動(dòng)期間，當(dāng)柵極電壓上升且輸出電容充電時(shí)。

2.正在調(diào)節(jié)電流時(shí)（如果控制器使用有源限流功能）。

3.正在調(diào)節(jié)電壓時(shí)（如在浪涌抑制器中所見）。

為了驗(yàn)證開關(guān)FET在Colpitts振蕩器拓?fù)渲械淖饔?，我們?gòu)建了一個(gè)沒(méi)有柵極驅(qū)動(dòng)器IC的基本電路（見圖5）。FET的CGS（圖4中未顯示為分立元件）與C2構(gòu)成分壓器。

圖4 NFET作為Colpitts振蕩器的測(cè)試電路

圖5 電路原型

圖6 示波器圖顯示施加直流電時(shí)出現(xiàn)振蕩

圖6中觀察到了振蕩，這表明高端NFET開關(guān)處于Colpitts拓?fù)渲小?/p>

現(xiàn)在我們轉(zhuǎn)到熱插拔控制器，看看是否進(jìn)行調(diào)整以引起振蕩。演示板用于啟動(dòng)容性負(fù)載測(cè)試。在啟動(dòng)期間，柵極電壓按照設(shè)定的dV/dt上升，輸出也隨之上升。根據(jù)公式I_INRUSH＝C_LOAD×dV/dt，進(jìn)入輸出電容的沖擊電流由dV/dt控制。為了提高FET的跨導(dǎo)(g_m)，沖擊電流設(shè)置為相對(duì)較高的值3 A。測(cè)試設(shè)置（見圖7）：

■   UV和OV功能禁用。

■   C_TRACE代表走線電容，是10 nF分立陶瓷電容。

■   L_TRACE是150 nH分立電感，位于LT4260的GATE引腳和NFET的柵極之間，代表走線電感。

■   2 mΩ檢測(cè)電阻將折返電流限制為10A。

■   68 nF柵極電容將啟動(dòng)時(shí)間延長(zhǎng)至數(shù)十毫秒，在此期間FET容易受到振蕩的影響。

■   15 mF輸出電容會(huì)在啟動(dòng)期間吸收數(shù)安培的沖擊電流，從而提高FET的g_m。

■   12 Ω負(fù)載為FET的g_m提供額外電流。

圖7 簡(jiǎn)化測(cè)試電路

圖8 示波器圖顯示了啟動(dòng)期間逐漸衰減的振蕩 

注意圖8中的波形，一旦柵極電壓上升到FET的閾值電壓，GATE和OUT波形就出現(xiàn)振鈴，這是由GATE波形突然階躍導(dǎo)致沖擊電流過(guò)沖而引起的。隨后振鈴逐漸消退。

為使瞬態(tài)振鈴進(jìn)入連續(xù)振蕩狀態(tài)，必須增加FET的增益。將V_IN從12 V提升至18 V，負(fù)載電流和g_m都會(huì)增加。這會(huì)將正反饋放大到足以維持振蕩的水平，如圖9中的示波器圖所示。

圖9 示波器圖顯示提高V_IN產(chǎn)生連續(xù)振蕩

圖10 添加?xùn)艠O電阻的演示板測(cè)試電路

現(xiàn)在問(wèn)題已經(jīng)重現(xiàn)，我們可以實(shí)施眾所周知的解決方案：將一個(gè)10 Ω柵極電阻與電感串聯(lián)（見圖10）。增加?xùn)艠O電阻后有效抑制了振蕩，使系統(tǒng)能夠平穩(wěn)啟動(dòng)（見圖11）。

圖11 示波器圖顯示，添加?xùn)艠O電阻后，啟動(dòng)時(shí)無(wú)振蕩 

回到基本的NFET Colpitts振蕩器，引入可切換柵極電阻后，可觀察到R_GATE的阻尼效應(yīng)（見圖12）。當(dāng)從0 Ω逐步增至10 Ω時(shí)，振蕩會(huì)衰減，如圖13所示。

圖12 基本NFET Colpitts振蕩器，添加了可切換R_GATE

圖13 示波器圖顯示，隨著R_GATE逐步增加，振蕩逐漸消失

結(jié)論

本文介紹了寄生FET振蕩的理論，通過(guò)工作臺(tái)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了Colpitts模型，在演示板上再現(xiàn)了振蕩問(wèn)題，并使用大家熟悉的解決方案解決了該問(wèn)題。將10 Ω柵極電阻盡可能靠近FET柵極引腳放置，可將PCB走線的寄生電感與FET的輸入電容分開。只需一個(gè)表貼電阻就能消除柵極振鈴或振蕩的可能性，用戶不再需要耗時(shí)費(fèi)力地排除故障和重新設(shè)計(jì)電路板。

作者簡(jiǎn)介

Aaron Shapiro于2019年加入ADI公司，從事熱插拔控制器產(chǎn)品工作。他曾就讀于美國(guó)加州州立大學(xué)薩克拉曼多分校，主修模擬電子學(xué)，獲電氣工程學(xué)士學(xué)位。