泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

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近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來(lái)又一重要里程碑，雙方攜手對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測(cè)試與評(píng)估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場(chǎng)的拓展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

此前，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體憑借其在高壓GaN器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級(jí)的突破，相較于1200V器件實(shí)現(xiàn)了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見(jiàn)的電流崩塌難題，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體采用了獨(dú)具匠心的極化超級(jí)結(jié)（PSJ）技術(shù)，并對(duì)生產(chǎn)工藝進(jìn)行了深度優(yōu)化，使得器件不僅額定工作電壓大幅提升至1700V，工作電流也達(dá)到了30A，為高功率應(yīng)用場(chǎng)景提供了更為強(qiáng)勁的“芯”動(dòng)力。

在此次合作測(cè)試中，泰克科技憑借其先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備與專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品進(jìn)行了全方位、多維度的性能檢測(cè)。靜態(tài)測(cè)試結(jié)果顯示，該器件在1700V電壓下反偏漏電流Idss僅為4.48uA（Vgs = -8V），且在10uA漏電流條件下，Vds電壓成功突破1750V，擊穿電壓表現(xiàn)卓越，為器件的高可靠性運(yùn)行奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

同時(shí)，作為常開(kāi)型器件，其閾值電壓測(cè)試精準(zhǔn)可靠，當(dāng)Vds = 10V，Id = 1mA時(shí)，實(shí)測(cè)閾值電壓Vth穩(wěn)定在-4.1V，確保了器件在不同工作條件下的精準(zhǔn)控制。在導(dǎo)通狀態(tài)下，測(cè)試條件為Vgs = +3V，Id = 20A，電流脈寬300uS時(shí)，四線模式下實(shí)測(cè)導(dǎo)通電阻僅為107mΩ，遠(yuǎn)低于行業(yè)同類產(chǎn)品，展現(xiàn)出出色的導(dǎo)電性能。

動(dòng)態(tài)特性測(cè)試更是亮點(diǎn)紛呈。由于泰克科技目前的GaN測(cè)試電路最大測(cè)試電壓為1000V，為確保測(cè)試安全，雙方在900V電壓條件下對(duì)該器件進(jìn)行了雙脈沖測(cè)試。測(cè)試條件為：Vds = 900V，Rgon = Rgoff = 2Ω，Vgson = 3V, Vgsoff = -8V, Id = 20A，負(fù)載電感L = 200uH。

測(cè)試波形清晰顯示，在900V高壓條件下，Vds波形在兩次導(dǎo)通階段內(nèi)保持穩(wěn)定低電壓，幾乎接近0V，充分證明了器件在高壓硬開(kāi)關(guān)操作下未出現(xiàn)電流崩塌現(xiàn)象，其動(dòng)態(tài)性能卓越，可靠性極高。

為進(jìn)一步精準(zhǔn)測(cè)量功率器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻值，泰克科技運(yùn)用鉗位探頭對(duì)器件進(jìn)行深入測(cè)量。鉗位探頭可有效過(guò)濾信號(hào)高壓部分，以較小量程精準(zhǔn)測(cè)量低壓部分，尤其適用于快速開(kāi)關(guān)條件下，準(zhǔn)確測(cè)量導(dǎo)通條件下的器件兩端電壓降。通過(guò)電壓鉗位探頭測(cè)量得到的鉗位電壓Vds-clamp，結(jié)合導(dǎo)通電流Id，依據(jù)歐姆定律計(jì)算得出動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻D-Rdson。

測(cè)試數(shù)據(jù)表明，在不同電壓條件下，器件的歸一化動(dòng)態(tài)電阻隨測(cè)試電壓升高增加比例較小，300V、600V、900V時(shí)分別為1、1.07、1.18，彰顯了器件在高壓開(kāi)關(guān)條件下穩(wěn)定的工作狀態(tài)，其性能表現(xiàn)遠(yuǎn)超預(yù)期。

此次測(cè)試結(jié)果充分展現(xiàn)了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的卓越性能，其各項(xiàng)指標(biāo)不僅刷新了市場(chǎng)對(duì)GaN器件的認(rèn)知，更是快速逼近甚至在部分性能指標(biāo)上超越了主流SiC功率器件。未來(lái)，隨著GaN器件在長(zhǎng)期工作可靠性及成本優(yōu)勢(shì)方面的進(jìn)一步凸顯，有望在工業(yè)領(lǐng)域大放異彩，逐步實(shí)現(xiàn)對(duì)SiC功率器件的替代，開(kāi)啟功率器件市場(chǎng)的新篇章。

泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的緊密合作，再次為半導(dǎo)體行業(yè)樹(shù)立了產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同創(chuàng)新的典范。雙方將繼續(xù)攜手共進(jìn)，不斷探索與突破，推動(dòng)GaN器件技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步，為全球電子產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)更多力量。