第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。

第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。

產(chǎn)品型號(hào)：

■ IMZC120R012M2H

■ IMZC120R017M2H

■ IMZC120R022M2H

■ IMZC120R026M2H

■ IMZC120R034M2H

■ IMZC120R040M2H

■ IMZC120R053M2H

■ IMZC120R078M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

■ R_DS(on)=12-78mΩ，V_GS=18V，T_vj=25°C

■ 開關(guān)損耗極低

■ 更大的最大V_GS范圍，-10V至+25V

■ 過載運(yùn)行溫度最高可達(dá)T_vj=200°C

■ 最大短路耐受時(shí)間2μs

■ 基準(zhǔn)柵極閾值電壓4.2V

應(yīng)用價(jià)值

■ 更高的能源效率

■ 優(yōu)化散熱

■ 更高的功率密度

■ 新的穩(wěn)健性性能

■ 高可靠性

■ 容易并聯(lián)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

■ 性能增強(qiáng)：開關(guān)損耗更低，效率更高

■ .XT互連技術(shù)：熱阻更低，MOSFET溫度更低

■ 市場(chǎng)上同類最佳的最低RDS(on）

■ 數(shù)據(jù)手冊(cè)上保證的短路最大承受時(shí)間

■ 獨(dú)特的堅(jiān)固性

應(yīng)用領(lǐng)域

■ 電動(dòng)汽車充電

■ 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制

■ 不間斷電源(UPS)

■ 三相組串逆變器