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          SRAM特點(diǎn)及工作原理

          作者: 時(shí)間:2010-08-13 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          是英文Static RAM的縮寫(xiě),它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù).

            基本簡(jiǎn)介

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202521.htm

            不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。

            主要規(guī)格

            一種是置于CPU與主存間的高速緩存,它有兩種規(guī)格:一種是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory );另一種是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴(kuò)充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送,自80486CPU起,在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存,故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級(jí)高速緩存)和L2Cache(二級(jí)高速緩存)的名詞,一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部,L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部,故Pentium Pro的體積較大。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快,不需要刷新的操作,但是也有另外的缺點(diǎn),就是價(jià)格高,體積大,所以在主板上還不能作為用量較大的主存。

            基本特點(diǎn)

            現(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下:

            ◎優(yōu)點(diǎn),速度快,不必配合內(nèi)存刷新電路,可提高整體的工作效率。

            ◎缺點(diǎn),集成度低,功耗較大,相同的容量體積較大,而且價(jià)格較高,少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。

            ◎SRAM使用的系統(tǒng):

            ○CPU與主存之間的高速緩存。

            ○CPU內(nèi)部的L1/L2或外部的L2高速緩存。

            ○CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。

            ○CMOS 146818芯片(RTCMOS SRAM)。

            主要用途

            SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類(lèi)型的內(nèi)存小。

            


            SRAMSRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存(cache).SRAM也有許多種,如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM, 流水式突發(fā)SRAM),還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。

            基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示,SRAM一般可分為五大部分:存儲(chǔ)單元陣列(core cells array),行/列地址譯碼器(decode),靈敏放大器(Sense Amplifier),控制電路(control circuit),緩沖/驅(qū)動(dòng)電路(FFIO)。 SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式,以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元,SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲(chǔ)單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。

            

            

            圖2 六管單元電路圖SRAM的


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