多路讀寫SDRAM接口設(shè)計

　　2 接口電路對SDRAM的主要操作路徑及操作過程

　　一個完備的SDRAM接口很復(fù)雜。由于本文的SDRAM接口應(yīng)用于解復(fù)用，處理的事件相對來說比較簡單，因而可以簡化設(shè)計而不影響性能。接口電路SDRAM的主要操作可以分為：初始化操作、讀操作、寫操作、自動刷新操作。

　　(1)初始化操作

　　SDRAM上電一段時間后，經(jīng)過初始化操作才可以進(jìn)入正常工作過程。初始化主要完成預(yù)充電、自動刷新模式寄存器的配置。操作過程如圖1所示。

　　(2)讀寫操作

　　讀寫操作主要完成與SDRAM的數(shù)據(jù)交換。讀操作過程如圖2所示，寫操作過程如圖3所示。

　　(3)刷新操作

　　動態(tài)存儲器(Dynamic RAM)都存在刷新問題。這里主要采用自動刷新方式，每隔一段時間向SDRAM發(fā)一條刷新命令。刷新過程如圖4所示。

　
　　3 接口電路的設(shè)計

　　(1)解復(fù)用電路

　　本解復(fù)用電路主要完成將1路高速數(shù)據(jù)流解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流，其結(jié)構(gòu)框圖如圖5所示。1路數(shù)據(jù)流進(jìn)入解復(fù)用器后，經(jīng)過SDRAM緩沖，解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流。

　　由于要解復(fù)用為4路數(shù)據(jù)流，為了充分利用時隙，滿足高速的要求，采用4個bank的SDRAM，各路數(shù)據(jù)緩沖對應(yīng)不同的bank。為簡化設(shè)計，數(shù)據(jù)流1的緩沖區(qū)定為bank0，數(shù)據(jù)流2的緩沖區(qū)定為bank1，數(shù)據(jù)流3的緩沖區(qū)定為bank2數(shù)據(jù)流4的緩沖區(qū)定為bank3。對于每路數(shù)據(jù)實際上是以高速率集中寫入，然后以低速率均勻讀出。

　　由于進(jìn)行的是解復(fù)用，因此寫入的數(shù)據(jù)只有1路，但是有可能4路數(shù)據(jù)同時都要讀出。所以對于4路數(shù)據(jù)流，其讀寫地址和讀寫使能信號是分開的。