多端口SDRAM控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
0 引 言
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202634.htm目前,在很多視頻數(shù)據(jù)采集以及實(shí)時(shí)顯示的應(yīng)用開(kāi)發(fā)中,常需要用到存儲(chǔ)容量大、讀寫(xiě)速度快的存儲(chǔ)器。在各種存儲(chǔ)器件中,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SDRAM 以其速度快、容量大、價(jià)格低的特點(diǎn)而備受關(guān)注。SDRAM 的工作頻率可以達(dá)到100MHz 甚至更高,但是在其工作周期內(nèi),因?yàn)橐兴⑿?、預(yù)充電以及尋址等必要的操作,不可能總處于數(shù)據(jù)傳輸狀態(tài),使得它的帶寬不能達(dá)到百分之百的利用,實(shí)時(shí)顯示效果因此受到影響。為此,本文在研究有關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上,根據(jù)具體情況提出了一種獨(dú)特的方法,利用FPGA 的片上資源開(kāi)辟了多個(gè)FIFO 作為讀寫(xiě)緩存,實(shí)現(xiàn)了多端口SDRAM 控制器的設(shè)計(jì),并用Verilog 硬件描述語(yǔ)言[1] 給予實(shí)現(xiàn),仿真結(jié)果表明該控制器能夠輪流地從多個(gè)緩存向SDRAM 進(jìn)行存取,實(shí)現(xiàn)了高速多數(shù)據(jù)緩存,充分利用了SDRAM 的有效帶寬,提高了存取速度,從而達(dá)到實(shí)時(shí)顯示的要求,并且只要將該設(shè)計(jì)稍加修改,便可應(yīng)用到其他需要多數(shù)據(jù)緩存的場(chǎng)合。
1 SDRAM 基本操作原理[2] [3]
SDRAM 的主要控制信號(hào)有:CS_N:片選使能;CAS_N:列地址選通信號(hào);RAS_N: 行地址選通信號(hào);WE_N:寫(xiě)使能信號(hào);DQM:字節(jié)掩碼信號(hào);ADDR:地址線。以上這些信號(hào)的邏輯組合就組成了SDRAM 的主要操作命令,如表1 所示:
表1.SDRAM 主要操作命令表SDRAM 的主要操作如下:
1.1 初始化操作
SDRAM 上電一段時(shí)間后, 經(jīng)過(guò)初始化操作才可以進(jìn)入正常工作過(guò)程。初始化主要完成預(yù)充電、自動(dòng)刷新和模式寄存器的配置。
評(píng)論