隨著國(guó)防、航空航天科技的發(fā)展,廣泛用于通信、電子對(duì)抗等領(lǐng)域的軍用、航空電子產(chǎn)品對(duì)供電電源的要求越來(lái)越高,它們不僅要求電源技術(shù)指標(biāo)高,還要求體積小、重量輕、效率高、可靠性高。 隨著電源輸出電壓的降低及輸出電流的增大,次級(jí)整流損耗成為電源的主要損耗。傳統(tǒng)的肖特基二極管整流損耗較大,效率低,熱設(shè)計(jì)也較困難,從而導(dǎo)致系統(tǒng)可靠性降低。采用低導(dǎo)通阻抗的MOSFET進(jìn)行整流,可以大大降低這一損耗,是提高變換器效率的有效途徑。這種應(yīng)用MOSFET進(jìn)行整流的技術(shù),稱為同步整流(SR)。
本文介紹了一種具有后級(jí)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓功能的同步整流電路,其既能降低損耗、提高電源效率,又實(shí)現(xiàn)高精度穩(wěn)壓功能。 LT3710的特點(diǎn)
LT3710是一種高效的次級(jí)同步后置穩(wěn)壓控制器,在多輸出隔離電源中用來(lái)產(chǎn)生精確調(diào)節(jié)的輔助輸出。它可以直接由變壓器的次級(jí)繞組生成一個(gè)精確穩(wěn)壓的次級(jí)輸出,從而最大限度地減小主路輸出電感器和電容器尺寸。LT3710帶可編程電流保護(hù)功能,工作頻率高達(dá)500kHz。初級(jí)調(diào)節(jié)使它能很好地與無(wú)論電流模式還是電壓模式的主輸出控制回路一起工作。
LT3710基本功能模塊包括:一個(gè)用做反饋調(diào)節(jié)的電壓放大器、與初級(jí)開(kāi)關(guān)脈沖同步的斜波發(fā)生器、帶初級(jí)調(diào)節(jié)的PWM比較器、限流放大器和高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器。
LT3710提供了一個(gè)簡(jiǎn)單、高效和節(jié)省空間的后調(diào)節(jié)方案,特別是在低電壓、大電流的應(yīng)用中。其電路結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)如下。
● 可進(jìn)一步調(diào)整占空比,實(shí)現(xiàn)副路輸出電壓的良好調(diào)整。 ● 主、副電路采用同一次級(jí)繞組,變壓器的漏感和寄生阻抗影響大大降低。 ● 主、副電路采用一個(gè)同步整流器,節(jié)省了副路整流濾波電路,既簡(jiǎn)化了電路,又降低了電源損耗。
電路工作原理 圖1所示為電源主電路原理圖,其有兩路輸出,5V為主路,3.3V為副路,主電路拓?fù)洳捎谜ぷ儞Q。T1為開(kāi)關(guān)變壓器, 實(shí)現(xiàn)輸入輸出電氣隔離。V2為同步整流管,直接被副邊電壓驅(qū)動(dòng);V4為續(xù)流管,其驅(qū)動(dòng)信號(hào)由副邊電壓反相緩沖生成,與V2驅(qū)動(dòng)信號(hào)互補(bǔ)。副路開(kāi)關(guān)管V3及續(xù)流管V5由LT3710驅(qū)動(dòng),使V3、V5交替導(dǎo)通。
圖1 主電路原理圖 當(dāng)輸入電壓或負(fù)載變化引起輸出電壓變化時(shí),主PWM電路取樣主路電壓,自動(dòng)調(diào)整輸出驅(qū)動(dòng)脈寬,改變V1占空比,實(shí)現(xiàn)主路電壓穩(wěn)壓。而副路輸出則通過(guò)LT3710控制電路,取樣電壓,調(diào)整V3占空比,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓控制。為了消除電源的低頻差拍干擾,主副路驅(qū)動(dòng)信號(hào)要保持同步。
電路中,V2起著十分重要的作用。一方面,作為輸出的同步整流器,它降低了整流電路的導(dǎo)通損耗;另一方面,與V3構(gòu)成一個(gè)串聯(lián)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電路。
圖2所示為電路工作的電壓和電流波形,整個(gè)工作過(guò)程分為3個(gè)階段。
圖2 電路工作波形 ● T0~T2期間。在主PWM控制下,V1關(guān)斷,由于變壓器T1磁通復(fù)位,VS在T0~T1階段為負(fù),T1~T2階段為0,使V2關(guān)斷,V4導(dǎo)通,電感電流IL1通過(guò)V4續(xù)流。同時(shí),在LT3710控制下,V3關(guān)斷,V5導(dǎo)通,電感電流IL2通過(guò)V5續(xù)流。 ● T2~T3期間。V1導(dǎo)通,副邊電壓Vs為正,使V2同步導(dǎo)通,IL1逐漸增大;同時(shí)LT3710驅(qū)動(dòng)V3導(dǎo)通,為副路提供能量,IL2同步上升。在此過(guò)程中,續(xù)流管V4、V5關(guān)斷。 ● T3至下一個(gè)周期開(kāi)始。V3關(guān)斷,V5導(dǎo)通,IL2通過(guò)V5續(xù)流,幅度下降,而V2仍維持導(dǎo)通狀態(tài),IL1繼續(xù)上升。通過(guò)控制V3導(dǎo)通時(shí)間,可實(shí)現(xiàn)副路電壓的穩(wěn)定。
關(guān)鍵電路參數(shù)設(shè)計(jì)、損耗分析及效率評(píng)估 根據(jù)以上電路,設(shè)計(jì)電源,相關(guān)參數(shù)要求如下:輸入電壓VI=176~253Vac,開(kāi)關(guān)頻率f=200kHz,初級(jí)占空比D=0.3~0.45,輸出電壓電流U01=5V、I01=10A、U02=3.3V、I02=8A、紋波≤1%。
1 MOSFET的選取
在選擇MOSFET時(shí),要選擇具有足夠電流處理能力的,且散熱性良好的器件。我們選用MTP1306,其漏極電流ID=59A(100℃),導(dǎo)通電阻為6.5mΩ(25℃),可滿足使用要求。
2 損耗分析及效率估算
開(kāi)關(guān)MOSFET的損耗包括開(kāi)關(guān)損耗Ps和導(dǎo)通損耗Pr,具體計(jì)算方法如下。
① 開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算 同步整流器V2及續(xù)流管V4、V5作二極管使用,開(kāi)關(guān)損耗較小,可用公式(1)進(jìn)行估算: PS1=COSSV2GS(th)f=0.08W (1) 式中,COSS為MOSFET輸出電容,查手冊(cè)為1827pF;VDS(th)為MOSFET截止時(shí)漏源極間電壓,取18V。 串聯(lián)開(kāi)關(guān)管V3的開(kāi)關(guān)損耗受各種分布參數(shù)影響,計(jì)算較復(fù)雜,可用公式(2)近似計(jì)算: (2) 式中,Crss為MOSFET反向傳輸電容,查手冊(cè)為772pF;Igatb為柵極驅(qū)動(dòng)器在MOSFET處于臨界導(dǎo)通時(shí)輸出的電流,取0.5A;VIN為MOSFET輸入的峰值電壓,取18V。 因此,同步整流輸出部分的開(kāi)關(guān)損耗為:PS=3PS1+PS2=1.12W。
② 導(dǎo)通損耗的計(jì)算 MOSFET的導(dǎo)通損耗主要取決于導(dǎo)通電阻RON,而MOSFET的導(dǎo)通電阻與它的結(jié)溫有關(guān),當(dāng)MOSFET的最高管芯結(jié)溫(TJ)為125℃時(shí)其導(dǎo)通電阻最大,以MOSFET最大導(dǎo)通電阻作近似估算。 RON = RON1(1+k)Tj-25 = 6.5(1+0.005)(125-25)≈10mΩ (3) 式中,k為導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù),取 0.005。 同步整流器V3的導(dǎo)通時(shí)間包括兩部分:T2~T3期間,IL1、IL2均通過(guò)同步整流器V3;T3~T4期間,V2關(guān)斷,只有IL1流過(guò)V3,故V3的導(dǎo)通損耗為: Pr1=(I01+△I1/2+I02+△I2/2)2ROND3.3/5+(I01+△I1/2)2ROND(1-3.3/5)=1.05W (4) 串聯(lián)開(kāi)關(guān)管V2,導(dǎo)通時(shí)間為T2~T3,IL2流過(guò)V2,故V2的導(dǎo)通損耗為: Pr2 = (IO2+△I2/2)2ROND3.3/5=0.18W (5) 續(xù)流管V4工作占空比為1-D,V5工作占空比為1-D3.3/5,故V4的導(dǎo)通損耗為: Pr3=(I01+△I1/2)2RON(1-D)=0.79W (6) V5的導(dǎo)通損耗為: Pr4= (IO2+△I2/2)2RON(1-D3.3/5)=0.60W (7) 同步整流輸出部分的導(dǎo)通損耗為: Pr=Pr1+Pr2+Pr3+Pr4=2.62W。
③ 電源總效率的計(jì)算 為了便于計(jì)算,選擇在輸出滿載、初級(jí)占空比為0.35條件下分析整個(gè)電源總效率η。(8) 式中,PO為輸出功率,為76.4W;Pl為線路及其他器件損耗功率,主要取決于變壓器的工作模式及元件的選取,根據(jù)工程經(jīng)驗(yàn),估算為4W;PSYN為同步整流輸出部分損耗,PSYN=Pr+Ps=3.74W。 故電源總效率為:(9) 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和波形分析
根據(jù)要求制作一臺(tái)樣機(jī),用LeCroy公司生產(chǎn)的示波器測(cè)試,開(kāi)關(guān)管V2、V3的Ugs波形如圖3所示。A為V3管Ugs波形(5V/div),B為V2管Ugs波形(5V/div),V2占空比為 0.35,V3占空比為0.25,實(shí)驗(yàn)波形與理論分析基本吻合。5V和3.3V輸出噪聲波形如圖4所示,A為5V輸出噪聲波形(10mV/div),B為3.3V輸出噪聲波形(10mV/div),紋波系數(shù)小于1%,滿足設(shè)計(jì)要求。在滿載條件下,測(cè)量電源的效率為91.6%,與估算值相吻合。
圖3 V2、V3的Ugs波形 圖4 輸出噪聲 |
評(píng)論