基于FM18L08的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)
摘要:FM18L08是Ramtron公司新近推出的一種新型鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。該存儲(chǔ)器克服了EEPROM和Flash器件寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)少等缺點(diǎn),而且價(jià)格也相對(duì)不高。文章介紹了FM18L08的主要特點(diǎn)和引腳功能,并在此基礎(chǔ)上給出了基于FM18L08的高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。同時(shí)給出了FM18L08存儲(chǔ)器與單片機(jī)的接口連接電路。
關(guān)鍵詞:鐵電存儲(chǔ)器;FM18L08;高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
在一些需要下位機(jī)單獨(dú)工作的特殊場(chǎng)合(如民用“黑匣子”裝置和軍用彈載測(cè)試設(shè)備等),其數(shù)據(jù)的高速存儲(chǔ)和掉電不丟失特性就顯得非常關(guān)鍵。鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是Ramtron公司近年來(lái)推出的一種與SRAM相似但卻具有非易失性的隨機(jī)存儲(chǔ)器,它沒(méi)有BSRAM模組系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性和相關(guān)的數(shù)據(jù)可靠性問(wèn)題,而且能在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM不但克服了EEPROM和FLASH寫入時(shí)間長(zhǎng)、擦寫次數(shù)低的缺點(diǎn),同時(shí)其成本也比相同容量的鋰電池+SRAM方案低很多。
1?。疲停保福蹋埃傅奶攸c(diǎn)和引腳功能
FM18L08的存儲(chǔ)容量為32k8bits,其主要特點(diǎn)如下:
●采用3.0~3.65V單電源供電;
●帶有并行接口;
●提供有SOIC和DIP兩種封裝;
●功耗低,靜態(tài)電流小于15μA,讀寫電流小于10mA;
●掉電后數(shù)據(jù)能保存10年;
●可讀寫無(wú)限次。
FM18L08的引腳排列如圖1所示。各引腳的功能如下:
CE:片選端;
WE:寫使能端;
OE:輸出使能端口;
A0~A14:地址端;
DQ0~DQ7:數(shù)據(jù)端;
VDD:電源;
VSS:接地端。
2 FM18L08的存儲(chǔ)特性
FM18L08是并口操作存儲(chǔ)器,其內(nèi)存組織結(jié)構(gòu)為32k8,可通過(guò)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口界面進(jìn)行訪問(wèn)。所有寫入器件的數(shù)據(jù)沒(méi)有任何延時(shí)并具有非易失性,它的讀、寫時(shí)序分別如圖2和圖3所示。
由于并口FRAM一般在片選信號(hào)CE的下降沿鎖存地址信息,因此地址總線在內(nèi)存訪問(wèn)開(kāi)始后即可改變,既然每次內(nèi)存訪問(wèn)都需要片選信號(hào)的下降沿鎖存地址信息,那么就不能像SRAM一樣將CE管腳接地。因此,在使用FRAM時(shí)必須檢查內(nèi)存控制器以保證地址及控制管腳的時(shí)序的兼容,任何內(nèi)存訪問(wèn)都必須有一個(gè)CE 下降沿。圖4給出了FRAM和SRAM在地址鎖存方面的區(qū)別。
3?。疲停保福蹋埃傅膽?yīng)用
在對(duì)飛行中的導(dǎo)彈、炮彈的內(nèi)部電子和機(jī)械構(gòu)件的動(dòng)態(tài)飛行參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)采集和記錄時(shí),為了能更好地了解其內(nèi)部構(gòu)件在飛行過(guò)程中的實(shí)際工作情況,就必須有高速的數(shù)據(jù)采集和存儲(chǔ)做保證。FM18L08的高速寫入和掉電不丟失特性完全適合此類情況。即在開(kāi)始發(fā)射之前,將彈載測(cè)試儀接通以啟動(dòng)單片機(jī)的內(nèi)部程序,在發(fā)射開(kāi)始后,再將傳感器傳送過(guò)來(lái)的信號(hào)經(jīng)調(diào)理電路送入AD轉(zhuǎn)換器,由單片機(jī)來(lái)控制AD轉(zhuǎn)換,之后再將轉(zhuǎn)換后的各路信號(hào)送入存儲(chǔ)器進(jìn)行保存,并在定時(shí)到一定時(shí)間后存儲(chǔ)結(jié)束。接著在試驗(yàn)結(jié)束后回收測(cè)試儀,并通過(guò)測(cè)試儀上預(yù)留的串口或USB口將數(shù)據(jù)讀入到微機(jī)中進(jìn)行數(shù)據(jù)的分析和處理,最終得出內(nèi)部構(gòu)件的動(dòng)態(tài)飛行特性。本文只列出了單片機(jī)控制FRAM的原理圖。FMl8L08自身帶有鎖存器,它的片選信號(hào)CE不能像SRAM一樣直接接地,而需要一個(gè)預(yù)充電時(shí)間,同時(shí)地址信號(hào)需要在它的下將沿進(jìn)行鎖存,具體擴(kuò)展電路的連接方法如圖5所示。
圖5
4 結(jié)束語(yǔ)
鐵電存儲(chǔ)器作為新一代非易失性記憶體,無(wú)論其寫入速度還是數(shù)據(jù)的安全性都可以得到很好的保證,而且已經(jīng)在國(guó)外的地鐵系統(tǒng)、抄表系統(tǒng)及IT等各種行業(yè)中得到廣泛的應(yīng)用?目前國(guó)內(nèi)也開(kāi)始在儀表和一些特殊的場(chǎng)合開(kāi)始應(yīng)用。
評(píng)論