認識射頻功率放大器RFPA

　　不穩(wěn)定的根源是正反饋，窄帶穩(wěn)定思路是遏制一部分正反饋，當然，這也同時抑制了貢獻。而負反饋做得好，還有產(chǎn)生很多額外的令人欣喜的優(yōu)點。比如，負反饋可能會使晶體管免于匹配，既不需要匹配就可以與外界很好的接洽了。另外，負反饋的引入會提升晶體管的線性性能。

　　射頻功率放大器RFPA的效率提升技術

　　晶體管的效率都有一個理論上的極限。這個極限隨偏置點（靜態(tài)工作點）的選擇不同而不同。另外，外圍電路設計得不好，也會大大降低其效率。目前工程師們對于效率提升的辦法不多。這里僅講兩種：包絡跟蹤技術與Doherty技術。

　　包絡跟蹤技術的實質是：將輸入分離為兩種：相位和包絡，再由不同的放大電路來分別放大。這樣，兩個放大器之間可以專注的負責其各自的部分，二者配合可以達到更高的效率利用的目標。

　　Doherty技術的實質是：采用兩只同類的晶體管，在小輸入時僅一個工作，且工作在高效狀態(tài)。如果輸入增大，則兩個晶體管同時工作。這種方法實現(xiàn)的基礎是二只晶體管要配合默契。一種晶體管的工作狀態(tài)會直接的決定了另一支的工作效率。

　　手機射頻模塊功率放大器（PA）市場情況

　　手機功率放大器領域是目前手機里無法集成化的元件，手機性能、占位面積、通話質量、手機強度、電池續(xù)航能力都由功率放大器決定。

　　功率放大器領域主要廠家是RFMD、Skyworks、TriQuint、Renesas、NXP、 Avago、ANADIGICS?，F(xiàn)在，原本是PA企業(yè)合作伙伴的高通，也直接加入到PA市場中，將在2013年下半年推出以CMOS制程生產(chǎn)的PA，支持LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、 EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA與GSM/EDGE七種模式，頻譜將涵蓋全球使用中的逾40個頻段，以多頻多模優(yōu)勢宣布進軍PA產(chǎn)業(yè)。

　　PA市場經(jīng)歷了LDMS PA“擂主”時代之后，砷化鎵（GaAs）PA成為3G時代PA市場的“擂主”。當年帶領砷化鎵攻打PA市場的TriQuint正在積極布局砷化鎵的藍圖，針對3G/4G智能手機擴展連接推出高效率多頻多模功率放大器MMPA。

　　而高通以CMOS PA攻擂PA市場，未來PA可能會成為手機平臺的一部分，并會出現(xiàn)手機芯片平臺企業(yè)收購、兼并PA企業(yè)的現(xiàn)象。

　　如何集成這些不同頻段和制式的功率放大器是業(yè)界一直在研究的重要課題。目前有兩種方案：一種是融合架構，將不同頻率的射頻功率放大器PA集成；另一種架構則是沿信號鏈路的集成，即將PA與雙工器集成。兩種方案各有優(yōu)缺點，適用于不同的手機。融合架構，PA的集成度高，對于3個以上頻帶巨有明顯的尺寸優(yōu) 勢，5-7個頻帶時還巨有明顯的成本優(yōu)勢。缺點是雖然PA集成了，但是雙工器仍是相當復雜，并且PA集成時有開關損耗，性能會受影響。而對于后一種架構，性能更好，功放與雙功器集成可以提升電流特性，大約可以節(jié)省幾十毫安電流，相當于延長15%的通話時間。所以，業(yè)內(nèi)人士的建議是，大于6個頻段時（不算 2G，指3G和4G）采用融合架構，而小于四個頻段時采用PA與雙工器集成的方案PAD。目前TriQuint可提供兩種架構的方案，RFMD主要偏向于 融合PA的架構，Skyworks偏向于多頻PAD方案。

　　對于手機PA，GaAsHBT將來會被廣泛應用。 GaNHEMT憑借高效率的優(yōu)點可能在某些高端產(chǎn)品中有機會?？紤]到4G/LTE近來日益強化對線性和功率的更高要求，Si-CMOS一般不認為有機會取代GaAs HBT。因此，GaAs HBT會繼續(xù)保持幾乎100%的市場份額。