充分利用好F頻段是快速發(fā)展TD－LTE的關(guān)鍵（二）

四、F頻段用于TD-LTE可與TD-SCDMA共用智能天線，雙流波束賦形技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)可得以充分發(fā)揮

　　現(xiàn)網(wǎng)TD-SCDMA宏覆蓋多采用BBU+支持F頻段的RRU，配合以4＋4雙極化陣列天線的產(chǎn)品解決方案。TD-SCDMA和TD-LTE均為TDD方式，上、下行鏈路使用相同頻率傳輸信號(hào)，且間隔時(shí)間短，鏈路無(wú)線傳播環(huán)境差異不大，因此可以很好的應(yīng)用智能天線波束賦形技術(shù)，提高用戶的信噪比，降低系統(tǒng)干擾，從而可有效提升網(wǎng)絡(luò)的覆蓋及容量性能。

　　為了滿足LTE在高數(shù)據(jù)率和大系統(tǒng)容量方面的要求，LTE系統(tǒng)引入多種傳輸模式。用于對(duì)抗信號(hào)衰落以獲得提高可靠性，或者用于實(shí)現(xiàn)容量提高。一般來(lái)說(shuō)，存在三類多天線技術(shù)。

　　空間復(fù)用：空間復(fù)用是一種利用相互獨(dú)立空間信道（即弱相關(guān)性的空間信道）的技術(shù)，在多個(gè)相互獨(dú)立的空間信道上傳遞不同的數(shù)據(jù)流，從而提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆逯邓俾省?/P>

　　傳輸分集：傳輸分集主要是利用空間信道的弱相關(guān)性，通過(guò)時(shí)間/頻率上的選擇性，組合來(lái)自兩個(gè)或更多個(gè)獨(dú)立衰落信道的信號(hào)來(lái)抵抗衰落，提高信號(hào)傳輸?shù)目煽啃浴?/P>

　　波束賦形：波束賦形是一種應(yīng)用于小間距天線陣列的多天線傳輸技術(shù)，不僅可以提高信號(hào)的可靠性，也可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆逯邓俾?。其利用空間信道信息建立波束成形矩陣，作為發(fā)射機(jī)端的前置空域?yàn)V波器。使得波束指向用戶方向，從而提高信噪比，同時(shí)也能提高系統(tǒng)容量。通常分為單流波束賦形和雙流波束賦形。

　　雙流波束賦形技術(shù)結(jié)合了智能天線波束賦形技術(shù)和空間復(fù)用技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，利用TDD信道的互惠性，同時(shí)傳輸兩個(gè)賦形數(shù)據(jù)流來(lái)實(shí)現(xiàn)空間復(fù)用，并且能夠保持傳統(tǒng)賦形技術(shù)廣覆蓋、提高小區(qū)容量和減少干擾的特性，既可以提高邊緣用戶的可靠性，同時(shí)可有效提升小區(qū)中心用戶的吞吐量。

　　根據(jù)中國(guó)移動(dòng)前期組織在某省進(jìn)行的雙流波束賦形測(cè)試結(jié)果可以看出，無(wú)論在定點(diǎn)測(cè)試環(huán)境下還是移動(dòng)測(cè)試環(huán)境下，采用雙流波束賦形的TM8模式均表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。在定點(diǎn)測(cè)試條件下，無(wú)論是用戶處于SINR -3~-1dB的小區(qū)邊緣，還是處于SINR 7~10dB或19~20dB的小區(qū)覆蓋的中、好點(diǎn)，雙流波束賦形相比單純支持雙流的TM3傳輸模式均有明顯的速率優(yōu)勢(shì)，特別是在小區(qū)邊緣，TM8模式相比TM3模式增益超過(guò)30％。TM3模式在速率上的優(yōu)勢(shì)只在SINR達(dá)到26~31dB的個(gè)別極好點(diǎn)情況下才得以體現(xiàn)，但根據(jù)50%加擾下路測(cè)的SINR數(shù)據(jù)，一個(gè)小區(qū)20dB以上的覆蓋區(qū)域往往占比不足5%.即在真實(shí)組網(wǎng)環(huán)境下體現(xiàn)TM3速率優(yōu)勢(shì)的場(chǎng)景較難發(fā)生。同樣在移動(dòng)測(cè)試環(huán)境下，TM8模式也表現(xiàn)出突出的性能優(yōu)勢(shì)，相比TM3模式平均吞吐量提升了23%.

五、利舊TD-SCDMA現(xiàn)網(wǎng)設(shè)備，F頻段向TD-LTE平滑演進(jìn)，方案成熟，施工簡(jiǎn)單

　　目前中國(guó)移動(dòng)TD-SCDMA現(xiàn)網(wǎng)設(shè)備多已具備F頻段能力，只需通過(guò)增加LTE處理板卡配合以簡(jiǎn)單的工程改造和軟件升級(jí)，即可平滑演進(jìn)到TD/LTE雙模應(yīng)用。

　　BBU改造：主設(shè)備新增TD-LTE基帶板和主控板，而且TD-LTE基帶板和主控板都是可以通過(guò)TD-S基帶板和主控板升級(jí)實(shí)現(xiàn)。原有RRU連接到TD-L基帶板，原有TD-S基帶板資源通過(guò)背板交換到TD-L板卡。

　　傳輸改造：新增LTE主控板及GE光/電模塊配套傳輸組件。TD-L和TD-S可進(jìn)行內(nèi)部合路或分路傳輸。