淺談如何利用光耦合器提高PV逆變器的性能

　　圖3 光耦合器方塊圖

　　設定好電源開啟的順序，可儘量減小等待光耦合器偏壓電源穩(wěn)定所造成的影響。太陽能逆變器通常有叁個電源，一個邏輯電源（3.3、5或10V）、光耦合器電源，以及一個高壓電源對MOSFET/IGBT供電。按照電源排列順序依次開啟，首先邏輯電源，然后光耦合器電源，最后是MOSFET/IGBT電源。如此一來，有助于抵消穩(wěn)定偏壓電源造成的影響。這樣的開啟順序，亦滿足邏輯控制的上電復位（Power-on Reset）和隔離驅動器電源的靴帶式（Boostrap）充電時間。

　　對于LED驅動器，正向電流峰值IF《1A（1微秒（μs），300pps）。建議的工作電流是10？16毫安培（mA）。電流上升時間小于250奈秒（ns），這樣的特性可儘量降低傳輸延時，并減少輸出開關抖動。

　　高增益（23dB）、高功率輸出的光學放大器，需要一個超過直流範圍，高達40MHz的低阻抗電源；使用低ESR旁路電容和訊號地平面，可協(xié)助降低自發(fā)電源雜訊，并防止輸出上升和下降時間的消煺。

　　共模抑制為衡量雜訊指標

　　高頻瞬變?yōu)殡s訊的一種，可能會損壞光耦合器的隔離屏障的資料傳輸。CMR係對光耦合器抵御瞬變雜訊能力的衡量標準。CMR為衡量光耦合器性能的最重要指標之一，其他指標還有隔離等級和工作電壓等。

　　八接腳DIP共面（Coplanar）結構的光耦合器，可提供輸出電容高電介質（Dielectric）絕緣和低輸入。八接腳DIP封裝允許大于8毫米（mm）的沿面和間隙距離及0.5mm絕緣距離，以實現(xiàn)可靠的高電壓絕緣。

　　因此，閘極驅動器光耦合器解決方案，可提供更多的絕緣安全緩衝區(qū)，而電容性或電感式解決方案的絕緣距離不到0.1mm。如此一來，優(yōu)化安全并降低雜訊耦合。這裝置採用共面光學耦合技術，以阻擋由負載切換產生的電子雜訊所引起的干擾。而且還有一個特殊電光學遮罩，可降低開關瞬態(tài)和光耦合器的主動電路之間發(fā)生電容耦合的機率。

　　一般240V交流電源轉換器會產生800V開關瞬態(tài)，以及大于6kV/μs的轉動率。此大幅度的瞬態(tài)，會導致3mA峰值電流于輸入和輸出之間流動（用于CIO只有0.5皮法（pF）的隔離設備時）。圖4顯示一則範例，一個電容耦合了耦合器的輸入和輸出之間的雜訊電流。

　　圖4 電流模式抑制LED「OFF」

　　共模瞬變具有負的電壓擺動率，與耦合器的輸出接地（GND2）引用一樣；該瞬態(tài)可將耦合器的輸出牽引到輸出；包電容（Package Capacitance）即CIO，提供輸入和輸出之間的主要耦合阻抗；當LED關閉時，閘極的輸出為低狀態(tài)；如果有充裕的共模電流iCM從輸入端牽引到光學放大器，放大器則會開啟。

　　雜訊電流iCM為極小，因為有特殊共模遮罩可阻擋電子遮罩變化造成的影響，該遮罩會最小化流入或流出光學放大器的耦合，將有效的共模耦合電容限制到小于50pF。如此一來，光耦合器能輕鬆抑制最大幅度為1.5kV放入正或負的共模瞬變，以及超過15kV/μs的轉動率。

　　當通過LED，IF的控制電流等于10mA時，驅動器輸出電流為高，源電流流向負載。正dv/dt會從放大器中牽引出電流，增強光電流；負dv/dt會將電流引向放大器，抵銷光電流，并可能導致放大器