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          在高電流實(shí)驗(yàn)室表征裝置方面的制造及應(yīng)用(一)

          作者: 時(shí)間:2013-09-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:本文介紹用于工作臺(tái)高功率測量(如短路測量、電流限制和大負(fù)載應(yīng)用測量等)表征的移動(dòng)箱(M-Chamber)的制造和應(yīng)用。多數(shù)電源并不具備提供的能力,因此,有必要在工作臺(tái)裝置中應(yīng)用電容器以提升短脈沖電源功率。但是,為設(shè)備連接一個(gè)額外的電容器組肯定會(huì)間接導(dǎo)致裝置雜亂,而且不符合“美國職業(yè)安全與健康法”(OSHA)的規(guī)定。移動(dòng)箱的原理是將放電電阻放置于箱內(nèi),這是一種安全的設(shè)計(jì),同時(shí)使得工作臺(tái)裝置保持整潔。此外,這還有助于充電的電容器在短時(shí)間內(nèi)完成放電,避免造成用戶事故。針對(duì)電容器放電時(shí)間進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)性研究,完成了對(duì)實(shí)時(shí)應(yīng)用中電容器的特性評(píng)估。

            一、引言

            在新產(chǎn)品開發(fā)階段,電氣表征起到了驗(yàn)證設(shè)備電氣功能的重要作用,確保其功能符合數(shù)據(jù)表規(guī)格或客戶的要求。PROFET?是由英飛凌科技公司制造的一款產(chǎn)品,它是一種帶保護(hù)的高端驅(qū)動(dòng)器。PROFET?是一種典型的帶增強(qiáng)功能(如圖1所示)的MOSFET,增強(qiáng)的功能可提升其在高端驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中的性能。PROFET?設(shè)備通常涉及到測試參數(shù)。高電流測試參數(shù),比如短路測量、電流限制和各種高負(fù)荷應(yīng)用測量等。

            傳統(tǒng)的高電流測量裝置包括被測設(shè)備(DUT)、電源、外部觸發(fā)器、示波器、150mF/100V電容器組和放電電阻。放電電阻是改善電容器放電時(shí)間所必需的,它可避免電容器放電過程中發(fā)生意外觸電事件?,F(xiàn)在有一種改善這種裝置的方法,其原理是制造一個(gè)可容納放電電阻和被測設(shè)備(DUT)這些電子元件的移動(dòng)箱。

          在高電流實(shí)驗(yàn)室表征裝置方面的制造及應(yīng)用(一)  

            圖1PROFET?是一種典型的帶增強(qiáng)功能的MOSFET

            二、測量裝置

            本節(jié)介紹的是一個(gè)高電流測量示例,具體是帶函數(shù)發(fā)生器的短路表征示例,該函數(shù)發(fā)生器作為外部觸發(fā)器已配備建議的保護(hù)功能。

            如圖2(a)所示,短路包括一個(gè)供電電壓、一個(gè)用于觸發(fā)脈沖的函數(shù)發(fā)生器和數(shù)根連接至示波器的探針。供電電源為設(shè)備的電源(Vs)引腳提供電壓,而函數(shù)發(fā)生器則產(chǎn)生脈沖并傳遞至設(shè)備的輸入(IN)引腳。

            圖2(a)用于短路表征的電路原理圖

            圖2(a)用于短路表征的電路原理圖

          函數(shù)發(fā)生器由于能夠靈活地改變輸入電壓的脈沖寬度,因而被用于產(chǎn)生脈沖。IN引腳接收的脈沖用于打開或啟用設(shè)備。使用脈沖模式是為了避免因使用持續(xù)的直流電壓源而導(dǎo)致設(shè)備發(fā)熱的情況。如果設(shè)備持續(xù)發(fā)熱,會(huì)導(dǎo)致設(shè)備進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)。此裝置使用了三根探針,兩根電壓探針分別置于Vs和IN引腳處,目的是監(jiān)測Vs所獲得的電壓并觀察設(shè)備的IN引腳處的脈沖信號(hào)。另一側(cè)的電流探針則置于輸出(OUT)引腳以測量輸出電流。

            由于所需的電流為70A,高于電源(Agilent6032A直流電源)的供電能力50A[5],所以需要使用一個(gè)電容器組來為測量提供更高的電流。因此,為電源連接一個(gè)150mF/100V電容器,并附加一個(gè)10?放電電阻。配置如圖2(b)所示。電路中設(shè)置了2個(gè)安全開關(guān);一個(gè)在關(guān)閉箱門時(shí)激活,另一個(gè)則在打開箱門時(shí)激活。后者針對(duì)的是電容器組的放電過程。

            圖2(b)放電電阻電路圖。


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          關(guān)鍵詞: 高電流 實(shí)驗(yàn)室 表征裝置

          評(píng)論


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