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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 硅頻率控制器(SFC)技術(shù)（二）
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          硅頻率控制器(SFC)技術(shù)（二）
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2013-09-22
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          　　圖4 負(fù)載電容變化與頻率的關(guān)系
          　　由公式(1)可得頻率變化為：
          　　(FCL1-FCL2)/FCL1=C1/2 * [1/(C0+CL1)-1/(C0+CL2)] * 10E6 (3)
          　　從公式(2)和公式(3)中可知C11和C12的精度將影響頻率的精度。具體數(shù)據(jù)如表1所示。其中參數(shù)的取值如前文：C1=20fF，C0=5pF，CS1=CS2=8pF，C11=C12=18pF。
          　　表1
          硅頻率控制器(SFC)技術(shù)（二）
          在很多應(yīng)用場(chǎng)合，電容精度取5%，從上表可看出它對(duì)頻率精度的影響可達(dá)到28PPM。這在設(shè)計(jì)中容易被忽略的。
          　　其他因素：如回流焊接的影響，濕度的影響，大氣壓的影響等。這些因素影響不大，不再這里詳述。
          　　晶體振蕩總的頻率精度就是上述五個(gè)方面之和。
                     
				
            
                
			
							
          
                
			            
          
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          關(guān)鍵詞：
            			            硅頻率
                        控制器
                        SFC技術(shù)
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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