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          LED散熱基板匯總介紹及技術(shù)發(fā)展趨勢

          作者: 時(shí)間:2013-05-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          隨著全球環(huán)保的意識抬頭,節(jié)能省電已成為當(dāng)今的趨勢。產(chǎn)業(yè)是近年來最受矚 目的產(chǎn)業(yè)之一。發(fā)展至今,產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時(shí)間快、壽命周期長 、且不含汞,具有環(huán)保效益;等優(yōu)點(diǎn)。然而通常高功率產(chǎn)品輸入功率約為20%能轉(zhuǎn)換成 光,剩下80%的電能均轉(zhuǎn)換為熱能。

            一般而言,LED發(fā)光時(shí)所產(chǎn)生的熱能若無法導(dǎo)出,將會使LED結(jié)面溫度過高,進(jìn)而影 響產(chǎn)品生命周期、發(fā)光效率、穩(wěn)定性,而LED結(jié)面溫度、發(fā)光效率及壽命之間的關(guān)系,以下 將利用關(guān)系圖作進(jìn)一步說明。

            1、LED散熱途徑

            依據(jù)不同的封裝技術(shù),其散熱方法亦有所不同,而LED各種散熱途徑方法約略可以 下示意之:

            散熱途徑說明:

           ?。?)。 從空氣中散熱

           ?。?)。 熱能直接由System circuit board導(dǎo)出

           ?。?)。 經(jīng)由金線將熱能導(dǎo)出

           ?。?)。 若為共晶及Flip chip制程,熱能將經(jīng)由通孔至系統(tǒng)電路板而導(dǎo)出

            一般而言,LED晶粒(Die)以打金線、共晶或覆晶方式連結(jié)于其基板上 (Substrate of LEDDie)而形成一LED晶片( chip),而后再將LED 晶片固定于系統(tǒng)的電 路板上(System circuitboard)。因此,LED可能的散熱途徑為直接從空氣中散熱,或經(jīng) 由LED晶?;逯料到y(tǒng)電路板再到大氣環(huán)境。而散熱由系統(tǒng)電路板至大氣環(huán)境的速率取決于 整個(gè)發(fā)光燈具或系統(tǒng)之設(shè)計(jì)。

            然而,現(xiàn)階段的整個(gè)系統(tǒng)之散熱瓶頸,多數(shù)發(fā)生在將熱量從LED晶粒傳導(dǎo)至其基板 再到系統(tǒng)電路板為主。此部分的可能散熱途徑:其一為直接藉由晶?;迳嶂料到y(tǒng)電路 板,在此散熱途徑里,其LED晶?;宀牧系臒嵘⒛芰礊橄喈?dāng)重要的參數(shù)。另一方面, LED所產(chǎn)生的熱亦會經(jīng)由電極金屬導(dǎo)線而至系統(tǒng)電路板,一般而言,利用金線方式做電極接 合下,散熱受金屬線本身較細(xì)長之幾何形狀而受限;因此,近來即有共晶(Eutectic) 或 覆晶(Flipchip)接合方式,此設(shè)計(jì)大幅減少導(dǎo)線長度,并大幅增加導(dǎo)線截面積,如此一 來,藉由LED電極導(dǎo)線至系統(tǒng)電路板之散熱效率將有效提升。

            經(jīng)由以上散熱途徑解釋,可得知材料的選擇與其LED晶粒的封裝方式于LED 熱散管理上占了極重要的一環(huán),后段將針對LED做概略說明。

            2、LED

            LED散熱基板主要是利用其散熱基板材料本身具有較佳的熱傳導(dǎo)性,將熱源從LED晶 粒導(dǎo)出。因此,我們從LED散熱途徑敘述中,可將LED散熱基板細(xì)分兩大類別,分別為LED晶 ?;迮c系統(tǒng)電路板,此兩種不同的散熱基板分別乘載著LED晶粒與LED晶片將LED晶粒發(fā)光 時(shí)所產(chǎn)生的熱能,經(jīng)由LED晶粒散熱基板至系統(tǒng)電路板,而后由大氣環(huán)境吸收,以達(dá)到熱散 之效果。
          2.1 系統(tǒng)電路板

            系統(tǒng)電路板主要是作為LED散熱系統(tǒng)中,最后將熱能導(dǎo)至散熱鰭片、外殼或大氣中 的材料。近年來印刷電路板(PCB)的生產(chǎn)技術(shù)已非常純熟,早期LED產(chǎn)品的系統(tǒng)電路板多 以PCB為主,但隨著高功率LED的需求增加,PCB之材料散熱能力有限,使其無法應(yīng)用于其高 功率產(chǎn)品,為了改善高功率LED散熱問題,近期已發(fā)展出高熱導(dǎo)系數(shù)鋁基板(MCPCB),利 用金屬材料散熱特性較佳的特色,已達(dá)到高功率產(chǎn)品散熱的目的。然而隨著LED亮度與效能 要求的持續(xù)發(fā)展,盡管系統(tǒng)電路板能將LED晶片所產(chǎn)生的熱有效的散熱到大氣環(huán)境,但是 LED晶粒所產(chǎn)生的熱能卻無法有效的從晶粒傳導(dǎo)至系統(tǒng)電路板,異言之,當(dāng)LED功率往更高 效提升時(shí),整個(gè)LED的散熱瓶頸將出現(xiàn)在LED晶粒散熱基板。

            2.2 LED晶?;?/P>

            LED晶?;逯饕亲鳛長ED 晶粒與系統(tǒng)電路板之間熱能導(dǎo)出的媒介,藉由打線、 共晶或覆晶的制程與LED晶粒結(jié)合。而基于散熱考量,目前市面上LED晶?;逯饕蕴沾?基板為主,以線路備制方法不同約略可區(qū)分為:厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、以及 薄膜陶瓷基板三種,在傳統(tǒng)高功率LED元件,多以厚膜或低溫共燒陶瓷基板作為晶粒散熱基 板,再以打金線方式將LED晶粒與陶瓷基板結(jié)合。

            如前言所述,此金線連結(jié)限制了熱量沿電極接點(diǎn)散失之效能。因此,近年來,國內(nèi) 外大廠無不朝向解決此問題而努力。其解決方式有二,其一為尋找高散熱系數(shù)之基板材料 ,以取代氧化鋁,包含了矽基板、碳化矽基板、陽極化鋁基板或氮化鋁基板,其中矽及碳 化矽基板之材料半導(dǎo)體特性,使其現(xiàn)階段遇到較嚴(yán)苛的考驗(yàn),而陽極化鋁基板則因其陽極 化氧化層強(qiáng)度不足而容易因碎裂導(dǎo)致導(dǎo)通,使其在實(shí)際應(yīng)用上受限,因而,現(xiàn)階段較成熟 且普通接受度較高的即為以氮化鋁作為散熱基板;然而,目前受限于氮化鋁基板不適用傳 統(tǒng)厚膜制程(材料在銀膠印刷后須經(jīng)850℃大氣熱處理,使其出現(xiàn)材料信賴性問題),因此 ,氮化鋁基板線路需以薄膜制程備制。

            以薄膜制程備制之氮化鋁基板大幅加速了熱量從LED晶粒經(jīng)由基板材料至系統(tǒng)電路 板的效能,因此大幅降低熱量由LED晶粒經(jīng)由金屬線至系統(tǒng)電路板的負(fù)擔(dān),進(jìn)而達(dá)到高熱散 的效果。

            另一種熱散的解決方案為將LED晶粒與其基板以共晶或覆晶的方式連結(jié),如此一來 ,大幅增加經(jīng)由電極導(dǎo)線至系統(tǒng)電路板之散熱效率。然而此制程對于基板的布線精確度與 基板線路表面平整度要求極高,這使得厚膜及低溫共燒陶瓷基板的精準(zhǔn)度受制程網(wǎng)版張網(wǎng) 問題及燒結(jié)收縮比例問題而不敷使用?,F(xiàn)階段多以導(dǎo)入薄膜陶瓷基板,以解決此問題。薄 膜陶瓷基板以黃光微影方式備制電路,輔以電鍍或化學(xué)鍍方式增加線路厚度,使得其產(chǎn)品 具有高線路精準(zhǔn)度與高平整度的特性。共晶/覆晶制程輔以薄膜陶瓷散熱基板勢必將大幅提 升LED的發(fā)光功率與產(chǎn)品壽命。

            近年來,由于鋁基板的開發(fā),使得系統(tǒng)電路板的散熱問題逐漸獲得改善,甚而逐漸 往可撓曲之軟式電路板開發(fā)。另一方面,LED晶?;逡嘀鸩匠蚪档推錈嶙璺较蚺?。

            3、LED陶瓷散熱基板介紹

            如何降低LED晶粒陶瓷散熱基板的熱阻為目前提升LED發(fā)光效率最主要的課題之一, 若依其線路制作方法可區(qū)分為厚膜陶瓷基板、低溫共燒多層陶瓷、以及薄膜陶瓷基板三種 ,分別說明如下:
          3.1 厚膜陶瓷基板

            厚膜陶瓷基板乃采用網(wǎng)印技術(shù)生產(chǎn),藉由刮刀將材料印制于基板上,經(jīng)過干燥、燒 結(jié)、雷射等步驟而成,目前國內(nèi)厚膜陶瓷基板主要制造商為禾伸堂、九豪等公司。一般而 言,網(wǎng)印方式制作的線路因?yàn)榫W(wǎng)版張網(wǎng)問題,容易產(chǎn)生線路粗糙、對位不精準(zhǔn)的現(xiàn)象。因 此,對于未來尺寸要求越來越小,線路越來越精細(xì)的高功率LED產(chǎn)品,亦或是要求對位準(zhǔn)確 的共晶或覆晶制程生產(chǎn)的LED產(chǎn)品而言,厚膜陶瓷基板的精確度已逐漸不敷使用。

            3.2 低溫共燒多層陶瓷

            低溫共燒多層陶瓷技術(shù),以陶瓷作為基板材料,將線路利用網(wǎng)印方式印刷于基板上 ,再整合多層的陶瓷基板,最后透過低溫?zé)Y(jié)而成,而其國內(nèi)主要制造商有璟德電子、鋐 鑫等公司。而低溫共燒多層陶瓷基板之金屬線路層亦是利用網(wǎng)印制程制成,同樣有可能因 張網(wǎng)問題造成對位誤差,此外,多層陶瓷疊壓燒結(jié)后,還會考量其收縮比例的問題。因此 ,若將低溫共燒多層陶瓷使用于要求線路對位精準(zhǔn)的共晶/覆晶LED產(chǎn)品,將更顯嚴(yán)苛。

            3.3 薄膜陶瓷基板

            為了改善厚膜制程張網(wǎng)問題,以及多層疊壓燒結(jié)后收縮比例問題,近來發(fā)展出薄膜 陶瓷基板作為LED晶粒的散熱基板。薄膜散熱基板乃運(yùn)用濺鍍、電/電化學(xué)沉積、以及黃光 微影制程制作而成,具備:

           ?。?)低溫制程(300℃以下),避免了高溫材料破壞或尺寸變異的可能性;

           ?。?)使用黃光微影制程,讓基板上的線路 更加精確;

           ?。?)金屬線路不易脫落…等特點(diǎn),因此薄膜陶瓷基板適用于高功率、小尺 寸、高亮度的LED,以及要求對位精確性高的共晶/覆晶封裝制程。而目前國內(nèi)主要以璦司柏 電子與同欣電等公司,具備了專業(yè)薄膜陶瓷基板生產(chǎn)能力。

            4、國際大廠LED產(chǎn)品發(fā)展趨勢

            目前LED產(chǎn)品發(fā)展的趨勢,可從LED各封裝大廠近期所發(fā)表的LED產(chǎn)品功率和尺寸觀 察得知,高功率、小尺寸的產(chǎn)品為目前LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重點(diǎn),且均使用陶瓷散熱基板作為其 LED晶粒散熱的途徑。因此,陶瓷散熱基板在高功率,小尺寸的LED產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,已成為相 當(dāng)重要的一環(huán),以下表二即為國內(nèi)外主要之LED產(chǎn)品發(fā)展近況與產(chǎn)品類別作簡單的匯整。

            5、結(jié)論

            要提升LED發(fā)光效率與使用壽命,解決LED產(chǎn)品散熱問題即為現(xiàn)階段最重要的課題之 一,LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展亦是以高功率、高亮度、小尺寸LED產(chǎn)品為其發(fā)展重點(diǎn),因此,


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