“封裝熱導(dǎo)”原理技術(shù)探析
上述的講法聽來有些讓人疑惑,今日不是一直強(qiáng)調(diào)LED的亮度突破嗎?2003年Lumileds Lighting公司Roland Haitz先生依據(jù)過去的觀察所理出的一個經(jīng)驗(yàn)性技術(shù)推論定律,從1965年第一個商業(yè)化的LED開始算,在這30多年的發(fā)展中,LED約每18個月24個月可提升一倍的亮度,而在往后的10年內(nèi),預(yù)計亮度可以再提升20倍,而成本將降至現(xiàn)有的1/10,此也是近年來開始盛行的Haitz定律,且被認(rèn)為是LED界的Moore(摩爾)定律。
依據(jù)Haitz定律的推論,亮度達(dá)100lm/W(每瓦發(fā)出100流明)的LED約在2008年2010年間出現(xiàn),不過實(shí)際的發(fā)展似乎已比定律更超前,2006年6月日亞化學(xué)工業(yè)(Nichia)已經(jīng)開始提供可達(dá)100lm/W白光LED的工程樣品,預(yù)計年底可正式投入量產(chǎn)。
備注:Haitz定律可說是LED領(lǐng)域界的Moore定律,根據(jù)Roland Haitz的表示,過去30多年來LED幾乎每1824個月就能提升一倍的發(fā)光效率,也因此推估未來的10年(2003年2013年)將會再成長20倍的亮度,但價格將只有現(xiàn)在的1/10。
不僅亮度不斷提升,LED的散熱技術(shù)也一直在提升,1992年一顆LED的熱阻抗(Thermal Resistance)為360℃/W,之后降至125℃/W、75℃/W、15℃/W,而今已是到了每顆6℃/W10℃/W的地步,更簡單說,以往LED每消耗1瓦的電能,溫度就會增加360℃,現(xiàn)在則是相同消耗1瓦電能,溫度卻只上升6℃10℃。
少顆數(shù)高亮度、多顆且密集排布是增熱元兇
既然亮度效率提升、散熱效率提升,那不是更加矛盾?應(yīng)當(dāng)更加沒有散熱問題不是?其實(shí),應(yīng)當(dāng)更嚴(yán)格地說,散熱問題的加劇,不在高亮度,而是在高功率;不在傳統(tǒng)封裝,而在新封裝、新應(yīng)用上。
首先,過往只用來當(dāng)指示燈的LED,每單一顆的點(diǎn)亮(順向?qū)ǎ╇娏鞫嘣?mA30mA間,典型而言則為20mA,而現(xiàn)在的高功率型LED(注1),則是每單一顆就會有330mA1A的電流送入,「每顆用電」增加了十倍、甚至數(shù)十倍(注2)。
注1:現(xiàn)有高功率型LED的作法,除了將單一發(fā)光裸晶的面積增大外,也有采行將多顆裸晶一同封裝的作法。事實(shí)上有的白光LED即是在同一封裝內(nèi)放入紅、綠、藍(lán)3個原色的裸晶來混出白光。
注2:雖然各種LED的點(diǎn)亮(順向?qū)ǎ╇妷河挟悾诖藭呵液雎源艘徊町悺?/P>
在相同的單顆封裝內(nèi)送入倍增的電流,發(fā)熱自然也會倍增,如此散熱情況當(dāng)然會惡化,但很不幸的,由于要將白光LED拿來做照相手機(jī)的閃光燈、要拿來做小型照明用燈泡、要拿來做投影機(jī)內(nèi)的照明燈泡,如此只是高亮度是不夠的,還要用上高功率,這時散熱就成了問題。
上述的LED應(yīng)用方式,僅是使用少數(shù)幾顆高功率LED,閃光燈約14顆,照明燈泡約18顆,投影機(jī)內(nèi)10多顆,不過閃光燈使用機(jī)會少,點(diǎn)亮?xí)r間不長,單顆的照明燈泡則有較寬裕的周遭散熱空間,而投影機(jī)內(nèi)雖無寬裕散熱空間但卻可裝置散熱風(fēng)扇。
備注:圖中為InGaN與AlInGaP兩種LED用的半導(dǎo)體材料,在各尖峰波長(光色)下的外部量子化效率圖,雖然最理想下可逼近40%,但若再將光取效率列入考慮,實(shí)際上都在15%25%間,何況兩種材料在更高效率的部分都不在人眼感受性的范疇內(nèi),范疇之下的僅有20%。
可是,現(xiàn)在還有許多應(yīng)用是需要高亮度,但又需要將高亮度LED密集排列使用的,例如交通號志燈、訊息看板的走馬燈、用LED組湊成的電視墻等,密集排列的結(jié)果便是不易散熱,這是應(yīng)用所造成的散熱問題。
更有甚者,在液晶電視的背光上,既是使用高亮度LED,也要密集排列,且為了講究短小輕薄,使背部可用的散熱設(shè)計空間更加拘限,且若高標(biāo)要求來看也不應(yīng)使用散熱風(fēng)扇,因?yàn)轱L(fēng)扇的吵雜聲會影響電視觀賞的品味情緒。
散熱問題不解決有哪里些副作用?
好!倘若不解決散熱問題,而讓LED的熱無法排解,進(jìn)而使LED的工作溫度上升,如此會有什么影響嗎?關(guān)于此最主要的影響有二:(1)發(fā)光亮度減弱、(2)使用壽命衰減。
舉例而言,當(dāng)LED的p-n接面溫度(Junction Temperature)為25℃(典型工作溫度)時亮度為100,而溫度升高至75℃時亮度就減至80,到125℃剩60,到175℃時只剩40。很明顯的,接面溫度與發(fā)光亮度是呈反比線性的關(guān)系,溫度愈升高,LED亮度就愈轉(zhuǎn)暗。
溫度對亮度的影響是線性,但對壽命的影響就呈指數(shù)性,同樣以接面溫度為準(zhǔn),若一直保持在50℃以下使用則LED有近20,000小時的壽命,75℃則只剩10,000小時,100℃剩5,000小時,125℃剩2,000小時,150℃剩1,000小時。溫度光從50℃變成2倍的100℃,使用壽命就從20,000小時縮成1/4倍的5,000小時,傷害極大。
裸晶層:光熱一體兩面的發(fā)散源頭:p-n接面
關(guān)于LED的散熱我們同樣從最核心處逐層向外討論,一起頭也是在p-n接面部分,解決方案一樣是將電能盡可能轉(zhuǎn)化成光能,而少轉(zhuǎn)化成熱能,也就是光能提升,熱能就降低,以此來降低發(fā)熱。
如果更進(jìn)一步討論,電光轉(zhuǎn)換效率即是內(nèi)部量子化效率(Internal Quantum Efficiency;IQE),今日一般而言都已有70%90%的水平,真正的癥結(jié)在于外部量子化效率(External Quantum Efficiency;EQE)的低落。
以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED為例,Tj接面溫度為25℃,順向驅(qū)動電流為350mA,如此以InGaN而言,隨著波長(光色)的不同,其效率約在5%27%之間,波長愈高效率愈低(草綠色僅5%,藍(lán)色則可至27%),而AlInGaP方面也是隨波長而有變化,但卻是波長愈高效率愈高,效率大體從8%40%(淡黃色為低,橘紅最高)。
備注:從Lumileds公司Luxeon系列LED的橫切面可以得知,矽封膠固定住LED裸晶與裸晶上的螢光質(zhì)(若有用上螢光質(zhì)的話),然后封膠之上才有透鏡,而裸晶下方用焊接(或?qū)岣啵┡c矽子鑲嵌芯片(Silicon Sub-mount Chip)連接,此芯片也可強(qiáng)化ESD靜電防護(hù)性,往下再連接散熱塊,部分LED也直接裸晶底部與散熱塊相連。(圖片來源:Lumileds.com)
備注:Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶采行覆晶鑲嵌法,因此其藍(lán)寶石基板變成在上端,同時還加入一層銀質(zhì)作為光反射層,進(jìn)而增加光取出量,此外也在Silicon Submount內(nèi)制出兩個基納二極管(Zener Diode),使LED獲得穩(wěn)壓效果,使運(yùn)作表現(xiàn)更穩(wěn)定。(圖片來源:Lumileds.com)
由于增加光取出率(Extraction Efficiency,也稱:汲光效率、光取效率)也就等于減少熱發(fā)散率,等于是一個課題的兩面,而關(guān)于光取出率的提升請見另一篇專文:高亮度LED之「封裝光通」原理技術(shù)探析。在此不再討論。
裸晶層:基板材料、覆晶式鑲嵌
如何在裸晶層面增加散熱性,改變材質(zhì)與幾何結(jié)構(gòu)再次成為必要的手段,關(guān)于此目前最常用的兩種方式是:1.換替基板(Substrate,也稱:底板、襯底,有些地方也稱為:Carrier)的材料。2.經(jīng)裸晶改采覆晶(Flip-Chip,也稱:倒晶)方式鑲嵌(mount)。
先說明基板部分,基板的材料并不是說換就能換,必須能與裸晶材料相匹配才行,現(xiàn)有AlGaInP常用的基板材料為GaAs、Si,InGaN則為SiC、Sapphire(并使用AlN做為緩沖層)。
備注:為了強(qiáng)化LED的散熱,過去的FR4印刷電路板已不敷應(yīng)付,因此提出了內(nèi)具金屬核心的印刷電路板,稱為MCPCB,運(yùn)用更底部的鋁或銅等熱傳導(dǎo)性較佳的金屬來加速散熱,不過也因絕緣層的特性使其熱傳導(dǎo)受到若干限制。
對光而言,基板不是要夠透明使其不會阻礙光,就是在發(fā)光層與基板之間再加入一個反光性的材料層,以此避免「光能」被基板所阻礙、吸收,形成浪費(fèi),例如GaAs基板即是不透光,因此再加入一個DBR(Distributed Bragg Reflector)反射層來進(jìn)行反光。而Sapphire基板則是可直接反光,或透明的GaP基板可以透光。
除此之外,基板材料也必須具備良好的熱傳導(dǎo)性,負(fù)責(zé)
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