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          TI專家為你解答電源設(shè)計(jì)相關(guān)問題(五 )

          作者: 時(shí)間:2013-05-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          小貼士 9:估算表面貼裝半導(dǎo)體的溫升

            過去估算半導(dǎo)體溫升十分簡(jiǎn)單。您只需計(jì)算出組件的功耗,然后采用冷卻電路電模擬即可確定所需散熱片的類型?,F(xiàn)在出于對(duì)尺寸和成本因素的考慮,人們渴望能夠去除散熱片,這就使得這一問題復(fù)雜化了。貼裝在散熱增強(qiáng)型封裝中的半導(dǎo)體要求電路板能夠起到散熱片的作用,并提供所有必需的冷卻功能。如圖 1 所示,熱量經(jīng)過一塊金屬貼裝片和封裝流入印刷線路板 (PWB)。然后,熱量由側(cè)面流經(jīng) PWB 線跡,并通過自然對(duì)流經(jīng)電路板表面擴(kuò)散到周圍的環(huán)境中。影響裸片溫升的重要因素是 PWB 中的銅含量以及用于對(duì)流導(dǎo)熱的表面面積。

            TI專家為你解答電源設(shè)計(jì)相關(guān)問題(五 )

            圖 1 熱量由側(cè)面流經(jīng) PWB 線跡,然后從 PWB 表面擴(kuò)散至周圍環(huán)境。

            半導(dǎo)體產(chǎn)品說明書通常會(huì)列出某種 PWB 結(jié)構(gòu)下結(jié)點(diǎn)至周圍環(huán)境的熱阻。這就是說,設(shè)計(jì)人員只需將這種熱阻乘以功耗,便可計(jì)算出溫升情況。但是,如果設(shè)計(jì)并沒有具體的結(jié)構(gòu),或者如果需要進(jìn)一步降低熱阻,那么就會(huì)出現(xiàn)許多問題。

            圖 2 所示為熱流問題的簡(jiǎn)化電模擬,我們可據(jù)此深入分析。IC 電源由電流源表示,而熱阻則由電阻表示。在各電壓下對(duì)該電路求解,其提供了對(duì)溫度的模擬。從結(jié)點(diǎn)至貼裝面存在熱阻,同時(shí)遍布于電路板的橫向電阻和電路板表面至周圍環(huán)境的電阻共同形成一個(gè)梯形網(wǎng)絡(luò)。這種模型假設(shè)1)電路板為垂直安裝,2)無強(qiáng)制對(duì)流或輻射制冷,所有熱流均出現(xiàn)在電路板的銅中,3)在電路板兩側(cè)幾乎沒有溫差。

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            圖 2 熱流電氣等效簡(jiǎn)化了溫升估算

            圖 3 所示為增加 PWB 中的銅含量對(duì)提高熱阻的影響。將 1.4 mils 銅(雙面,半盎司)增加到 8.4 mils(4 層,1.5 盎司),就有可能將熱阻提高 3 倍。圖中兩條曲線:一條表示熱流進(jìn)入電路板、直徑為 0.2 英寸的小尺寸封裝;另一條表示熱流進(jìn)入電路板、直徑為 0.4 英寸的大尺寸封裝。這兩條曲線均適用于 9 平方英寸的 PWB。這兩條曲線均同標(biāo)稱數(shù)據(jù)緊密相關(guān),同時(shí)都有助于估算改變產(chǎn)品說明書電路板結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的影響。但是使用這一數(shù)據(jù)時(shí)需要多加謹(jǐn)慎,其假設(shè) 9 平方英寸 PWB 內(nèi)沒有其他功耗,而實(shí)際上并非如此。

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            圖 3 熱流電氣等效簡(jiǎn)化了溫升估算
          小貼士 10:輕松估計(jì)負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

          本篇小貼士介紹了一種通過了解控制帶寬和輸出濾波器電容特性估算電源瞬態(tài)響應(yīng)的簡(jiǎn)單方法。該方法充分利用了這樣一個(gè)事實(shí),即所有電 路的閉環(huán)輸出阻抗均為開環(huán)輸出阻抗除以 1 加環(huán)路增益,或簡(jiǎn)單表述為:

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            圖 1 以圖形方式說明了上述關(guān)系,兩種阻抗均以 dB-Ω 或 20*log [Z] 為單位。在開環(huán)曲線上的低頻率區(qū)域內(nèi),輸出阻抗取決于輸出電感阻抗和電感。當(dāng)輸 出電容和電感發(fā)生諧振時(shí),形成峰值。高頻阻抗取決于電容輸出濾波器特性、等效串聯(lián)電阻 (ESR) 以及等效串聯(lián)電感 (ESL)。將開環(huán)阻抗除以 1 加環(huán)路增益 即可計(jì)算得出閉環(huán)輸出阻抗。

            由于該圖形以對(duì)數(shù)表示,即簡(jiǎn)單的減法,因此在增益較高的低頻率區(qū)域阻抗會(huì)大大降低;在增益較少的高頻率區(qū)域閉環(huán)和開環(huán)阻抗基本上是一樣的。在 此需要說明如下要點(diǎn):1)峰值環(huán)路阻抗出現(xiàn)在電源交叉頻率附近,或出現(xiàn)在環(huán)路增益等于 1(或 0dB)的地方;以及 2)在大部分時(shí)間里,電源控制帶寬都將會(huì) 高于濾波器諧振,因此峰值閉環(huán)阻抗將取決于交叉頻率時(shí)的輸出電容阻抗。

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            圖 1閉環(huán)輸出阻抗峰值 Zout 出現(xiàn)在控制環(huán)路交叉頻率處

            一旦知道了峰值輸出阻抗,就可通過負(fù)載變動(dòng)幅度與峰值閉環(huán)阻抗的乘積來輕松估算瞬態(tài)響應(yīng)。有幾點(diǎn)注意事項(xiàng)需要說明一下,由于低相位裕度會(huì)引起 峰化,因此實(shí)際的峰值可能會(huì)更高些。然而,就快速估計(jì)而言,這種影響可以忽略不計(jì) [1] 。

            第二個(gè)需要注意的事項(xiàng)與負(fù)載變化幅度上升有關(guān)。如果負(fù)載變化幅度變化緩慢(dI/dt較低),則響應(yīng)取決于與上升時(shí)間有關(guān)的低頻率區(qū)域閉環(huán)輸出阻抗; 如果負(fù)載變化幅度變化極為快速,則輸出阻抗將取決于輸出濾波器 ESL。如果確實(shí)如此,則可能需要更多的高頻旁通。最后,就極高性能的系統(tǒng)而言,電源 的功率級(jí)可能會(huì)限制響應(yīng)時(shí)間,即電感器中的電流可能不能像控制環(huán)路期望的那樣快速響應(yīng),這是因?yàn)殡姼泻褪┘拥碾妷簳?huì)限制電流轉(zhuǎn)換速率。

            下面是一個(gè)如何使用上述關(guān)系的示例。問題是根據(jù) 200kHz 開關(guān)電源 10 amp 變化幅度允許范圍內(nèi)的 50mV 輸出變化挑選一個(gè)輸出電容。所允許的峰值輸 出阻抗為:Zout=50 mV / 10 amps 或 5 毫歐。這就是最大允許輸出電容 ESR。接下來就是建立所需的電容。幸運(yùn)的是,ESR 和電容均為正交型,可單獨(dú)處理。一 個(gè)高 (Aggressive) 電源控制環(huán)路帶寬可以是開關(guān)頻率的 1/6 或 30 kHz。于是在 30 kHz 時(shí)輸出濾波電容就需要一個(gè)不到 5 毫歐的電抗,或高于 1000uF 的電容。 圖 2 顯示了在 5 毫歐 ESR、1000uF 電容以及 30 kHz 電壓模式控制條件時(shí)這一問題的負(fù)載瞬態(tài)仿真。就校驗(yàn)這一方法是否有效的 10amp 負(fù)載變動(dòng)幅度而言, 輸出電壓變化大約為 52mV。

            TI專家為你解答電源設(shè)計(jì)相關(guān)問題(五 )

            圖 2 仿真校驗(yàn)估計(jì)負(fù)載瞬態(tài)性能



          關(guān)鍵詞: TI 電源設(shè)計(jì)

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