低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）的噪音問(wèn)題解析（一）

　　隨著通信信道的復(fù)雜度和可靠性不斷增加，人們對(duì)于電信系統(tǒng)的要求和期望也不斷提高。這些通信系統(tǒng)高度依賴(lài)于高性能、高時(shí)鐘頻率和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器器件，而這些器件的性能又非常依賴(lài)于系統(tǒng)電源軌的質(zhì)量。當(dāng)使用一個(gè)高噪聲電源供電時(shí)，時(shí)鐘或者轉(zhuǎn)換器 IC 無(wú)法達(dá)到最高性能。僅僅只是少量的電源噪聲，便會(huì)對(duì)性能產(chǎn)生極大的負(fù)面影響。本文將對(duì)一種基本 LDO 拓?fù)溥M(jìn)行仔細(xì)研究，找出其主要噪聲源，并給出最小化其輸出噪聲的一些方法。

　　表明電源品質(zhì)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是其噪聲輸出，它常見(jiàn)的參考值為 RMS 噪聲測(cè)量或者頻譜噪聲密度。為了獲得最低 RMS 噪聲或者最佳頻譜噪聲特性，線性電壓穩(wěn)壓器（例如：低壓降電壓穩(wěn)壓器，LDO），始終比開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓器有優(yōu)勢(shì)。這讓其成為噪聲敏感型應(yīng)用的選擇。

　　基本 LDO 拓?fù)?/STRONG>

　　一個(gè)簡(jiǎn)單的線性電壓穩(wěn)壓器包含一個(gè)基本控制環(huán)路，其負(fù)反饋與內(nèi)部參考比較，以提供恒定電壓—與輸入電壓、溫度或者負(fù)載電流的變化或者擾動(dòng)無(wú)關(guān)。

　　圖 1 顯示了一個(gè) LDO 穩(wěn)壓器的基本結(jié)構(gòu)圖。紅色箭頭表示負(fù)反饋信號(hào)通路。輸出電壓 VOUT 通過(guò)反饋電阻 R1 和 R2 分壓，以提供反饋電壓 VFB。VFB 與誤差放大器負(fù)輸入端的參考電壓 VREF 比較，提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓 VGATE。最后，誤差信號(hào)驅(qū)動(dòng)輸出晶體管 NFET，以對(duì) VOUT 進(jìn)行調(diào)節(jié)。

　　圖 1 LDO 負(fù)反饋環(huán)路

　　簡(jiǎn)單噪聲分析以圖 2 作為開(kāi)始。藍(lán)色箭頭表示由常見(jiàn)放大器差異代表的環(huán)路子集（電壓跟隨器或者功率緩沖器）。這種電壓跟隨器電路迫使 VOUT 跟隨 VREF。VFB 為誤差信號(hào)，其參考 VREF。在穩(wěn)定狀態(tài)下，VOUT 大于 VREF，其如方程式 1 所描述：

　　圖 2 LDO 參考電壓緩沖

　　其中，1 + R1/R2 為誤差放大器必須達(dá)到穩(wěn)態(tài)輸出電壓 （VOUT） 的增益。

　　假設(shè)電壓參考不理想，并在其DC輸出電壓（VREF）上有一個(gè)有效噪聲因數(shù)VN（REF）。假設(shè)圖 2 中所有電路模塊均理想，VOUT 便為噪聲源的函數(shù)?？梢暂p松地對(duì)方程式 1 進(jìn)行修改，以考慮到噪聲源，如方程式 2 所示：

　　其中，VN（REF） 為輸出的單獨(dú)噪聲影響因素，如方程式 3 所示：

　　通過(guò)方程式 2 和 3，我們可以清楚地看到，更高的輸出電壓產(chǎn)生更高的輸出噪聲。反饋電阻 R1 和 R2 設(shè)置（或者調(diào)節(jié)）輸出電壓，從而設(shè)置輸出噪聲電壓。因此，許多LDO器件的特點(diǎn)是，噪聲性能與輸出電壓有關(guān)。例如，VN = 16 μVRMS×VOUT 說(shuō)明了一種標(biāo)準(zhǔn)的輸出噪聲描述方式。

　　主要 LDO 輸出電壓噪聲源

　　對(duì)于大多數(shù)典型的LDO器件來(lái)說(shuō)，主要輸出噪聲源為方程式3所示經(jīng)過(guò)放大的參考噪聲。雖然總輸出噪聲因器件不同而各異，但一般都是如此。圖 3 為一個(gè)完整的結(jié)構(gòu)圖，顯示了其各個(gè)電路組件的相應(yīng)等效噪聲源。由于任何有電流流過(guò)的器件都是一個(gè)潛在的噪聲源，圖 1 和圖 2 所示所有單個(gè)組件均為一個(gè)噪聲源。

　　圖 4 由圖 3 改畫(huà)而來(lái)，目的是包括 OUT 節(jié)點(diǎn)的所有等效參考噪聲源。完整的噪聲方程式為：

　　圖 3 等效噪聲源 LDO 拓?fù)?/P>

　　圖 4 統(tǒng)一噪聲源 LDO 拓?fù)?/P>

　　在大多數(shù)情況下，由于參考電壓模塊即能帶隙電路由許多電阻器、晶體管和電容器組成，因此 VN（REF） 往往會(huì)大于該方程式中最后三個(gè)噪聲源，其中 VN（REF） 》》 VN（R1） 或者 VN（REF） 》》 VN（R2）。因此，方程式 4 可以簡(jiǎn)化為：

　　就高性能 LDO 器件而言，常見(jiàn)的方法是添加一個(gè)降噪 （NR） 引腳，以消除參考噪聲。圖5描述了NR引腳如何降低噪聲。由于VN（REF）為主要輸出噪聲源，因此我們?cè)趨⒖茧妷耗K（VREF）和誤差放大器之間插入一個(gè)RC濾波電容器CNR，旨在減少這種噪聲。RC 濾波器減少噪聲的程度由一個(gè)衰減函數(shù)決定：

　　其中

　　圖 5 參考噪聲濾波器 LDO 拓?fù)?/P>

　　圖 6 RMS 噪聲與輸出電壓的關(guān)系

　　因此，放大參考噪聲被降至（1 + R1/R2） × VN（REF） × GRC，則方程式5變?yōu)椋?/P>

　　在現(xiàn)實(shí)世界中，所有控制信號(hào)電平均依賴(lài)于頻率，包括噪聲信號(hào)在內(nèi)。如果誤差放大器帶寬有限，則高頻參考噪聲 （VN（REF）） 通過(guò)誤差放大器濾波，其方式與使用 RC 濾波器類(lèi)似。但在實(shí)際情況下，誤差放大器往往具有非常寬的帶寬，因此 LDO 器件擁有非常好的電源紋波抑制 （PSRR） 性能，其為高性能 LDO 的另一個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)。為了滿足這種矛盾的要求，IC 廠商選擇使用寬帶寬誤差放大器，以實(shí)現(xiàn)最佳低噪聲 PSRR。如果低噪聲也為強(qiáng)制要求，則這樣做會(huì)帶來(lái) NR 引腳功能的使用。