基于MC34152和CMOS的軟開關(guān)變換器驅(qū)動電路設(shè)計
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在高頻PWM開關(guān)變換器中，為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作，要設(shè)計可靠的柵極驅(qū)動電路。一個性能良好的驅(qū)動電路要求觸發(fā)脈沖應(yīng)具有足夠快的上升和下降速度，脈沖前后沿要陡峭；驅(qū)動源的內(nèi)阻要足夠小、電流要足夠大，以提高功率MOSFET的開關(guān)速度；為了使功率MOSFET可靠觸發(fā)導(dǎo)通，柵極驅(qū)動電壓應(yīng)高于器件的開啟電壓；為防止誤導(dǎo)通，在功率MOSFET截止時最好能提供負(fù)的柵-源電壓。而對于軟開關(guān)變換器，在設(shè)計驅(qū)動電路時，還需考慮主開關(guān)與輔助開關(guān)驅(qū)動信號之間的相位關(guān)系。本文以升壓ZVT-PWM變換器為例，用集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件設(shè)計了一種可滿足以上要求的軟開關(guān)變換器驅(qū)動電路。
MC34152是一款單片雙MOSFET高速集成驅(qū)動器，具有完全適用于驅(qū)動功率MOSFET的兩個大電流輸出通道，且具有低輸入電流，可與CMOS和LSTTL邏輯電路相容。
MC34152的每一通道包括邏輯輸入級和功率輸出級兩部分。輸入級由具有最大帶寬的邏輯電路施密特觸發(fā)器組成，并利用二極管實現(xiàn)雙向輸入限幅保護(hù)。輸出級被設(shè)計成圖騰柱 (totem pole)電路結(jié)構(gòu)形式。基準(zhǔn)電壓為5.7V的比較器與施密特觸發(fā)器輸出電平的邏輯判定決定了與非門的輸出狀態(tài)(同相或反相輸出)，進(jìn)而決定了兩個同型輸出功率管的“推”或“挽”工作狀態(tài)。這種結(jié)構(gòu)使該芯片具有強(qiáng)大的驅(qū)動能力及低的輸出阻抗，其輸出和吸收電流的能力可達(dá)1.5A，在1.0A時的標(biāo)準(zhǔn)通態(tài)電阻為2.4W，可對大容性負(fù)載快速充放電；對于1000pF負(fù)載，輸出上升和下降時間僅為15ns，邏輯輸入到驅(qū)動輸出的傳輸延遲(上升沿或下降沿)僅為55ns，因而可高速驅(qū)動功率MOSFET。每個輸出級還含有接到VCC的一個內(nèi)置二極管，用于箝制正電壓瞬態(tài)變化，而輸出端要接100KW降壓電阻，用于保證當(dāng)VCC低于1.4V時，保持MOSFET柵極處于低電位。
軟開關(guān)變換器驅(qū)動電路設(shè)計
升壓ZVT-PWM變換器是一種零電壓轉(zhuǎn)換軟開關(guān)變換器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，由主電路和控制系統(tǒng)兩部分組成。在主電路中，S為主開關(guān)，S1為輔助開關(guān)，控制系統(tǒng)包括PWM信號產(chǎn)生電路及驅(qū)動電路。
圖1 ZVT-PWM變換器結(jié)構(gòu)框圖
指標(biāo)要求
變換器：開關(guān)頻率fS=100KHz；輸入電壓Vi=12V；輸出電壓Vo=48V；輸出功率Po=100W。
驅(qū)動電路：輸出峰值電流Iom5V；驅(qū)動脈沖上升時間tr和下降時間tf均
圖2 ZVT-PWM變換器驅(qū)動電路
從圖2可見，由PWM控制芯片輸出的脈沖調(diào)制波經(jīng)CD4069反相整形后送至MC34152輸入端(引腳2)，由7引腳輸出，作為主開關(guān)的驅(qū)動信號。與此同時，從PWM控制芯片輸出的脈沖調(diào)制波經(jīng)CD4069另一反相器整形后，輸入到CD4013的CLK端(3引腳)作為時鐘信號。信號上升沿觸發(fā)，使Q端(1引腳)輸出高電平，經(jīng)過可變電阻RP對電容C9充電。當(dāng)充電電壓達(dá)到VCC/2時，復(fù)位端起作用，使D觸發(fā)器復(fù)位，Q端電位變成低電平，電容C9經(jīng)過二極管D2迅速放電至零，準(zhǔn)備進(jìn)入下一個周期。因此，經(jīng)單穩(wěn)態(tài)電路，從CD4013的Q端輸出的脈沖信號經(jīng)CD4069再一次反相整形后送至MC34152的另一輸入端(4引腳)，由5引腳輸出，作為輔助開關(guān)的驅(qū)動信號。因為單穩(wěn)態(tài)電路RC網(wǎng)絡(luò)(由RP和C9組成)的時間常數(shù)為RP·C9，通過調(diào)節(jié)可變電阻RP的大小，即可改變輸出脈沖的寬度，從而解決了輔助開關(guān)與主開關(guān)之間的相
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