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          微電子所在超高速ADC/DAC芯片研制方面取得突破性
          
						
          
				作者：
				時間：2012-10-09
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)超高速電路課題組在超高速ADC/DAC芯片研制上取得突破性進展，成功研制出8GS/s 4bit ADC和10GS/s 8bit DAC芯片。
          　　ADC芯片采用帶插值平均的Flash結(jié)構(gòu)，集成約1250只晶體管。測試結(jié)果表明，芯片可以在8GHz時鐘頻率下穩(wěn)定工作，最高采樣頻率可達9GHz。超高速DAC芯片采用基于R-2R的電流開關(guān)結(jié)構(gòu)，同時集成了10Gbps自測試碼流發(fā)生電路，共包含1045只晶體管。測試結(jié)果表明，該芯片可以在10GHz時鐘頻率下正常工作。
          　　超高速ADC/DAC芯片在光通訊及無線寬帶通信領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。這兩款芯片的研制成功，大大提升了國內(nèi)單片高速ADC和DAC電路的最高采樣頻率，也為今后研制更高性能ADC/DAC電路打下了堅實的基礎(chǔ)。
          　　
          圖1：高速ADC芯片評估板以及芯片照片
          　　圖1：高速ADC芯片評估板以及芯片照片
          　　
          圖1：高速ADC芯片評估板以及芯片照片
          　　圖2：8GS/s采樣率下時鐘輸出以及D0、D1、D2數(shù)據(jù)信號眼圖實測結(jié)果
          　　
          圖1：高速ADC芯片評估板以及芯片照片
          　　圖3：高速DAC芯片評估板以及芯片照片
          　　
          圖1：高速ADC芯片評估板以及芯片照片
          　　圖4：微分非線性誤差(DNL)、積分非線性誤差(INL)測試結(jié)果
                     
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            微電子
                        超高速
                        ADC
                        DAC
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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