飛利浦推出P信道MOSFET擴展創(chuàng)新的mTrenchMOS系列

根據iSuppli的預測，每年被用于手機領域的P信道器件超過10億件，而手機的付運量則有望從2003年的4.8億部增長到2007年的6.4億部。隨著筆記本電腦和手持消費產品等移動應用的迅猛發(fā)展，亞洲地區(qū)的廠商將成為經濟型封裝和高效電源管理解決方案的領導者。飛利浦P信道器件可以滿足成本經濟型電源管理器件的需求，幫助設計人員節(jié)省板占位，提高能效，延長電池使用時間。

飛利浦半導體電源管理事業(yè)部副總裁兼總經理Manuel Frade表示：“這些新型的P信道器件結合早前發(fā)布的n信道m(xù)TrenchMOS器件，為設計人員提供了大量各類電源管理產品，以滿足亞洲客戶對移動計算和手機應用不斷提升的需求。這些新器件對于那些需要高性能MOSFET，且對板占位和能效要求嚴格的消費類應用是至關重要的?！?/P>

P信道MOSFETS廣泛應用于移動領域的負載和電池轉換。目前的電源管理系統(tǒng)通常需要根據系統(tǒng)的特殊需求在任意特定時間轉換一個或多個電源線。例如在“睡眠”狀態(tài)的筆記本電腦顯示器和磁盤驅動器處于關斷，以節(jié)省電池能耗。此類系統(tǒng)的功率轉換必須能在“開”狀態(tài)下顯現低壓差，使驅動操作更為簡便且僅占用較小的PCB面積。

此外，電源轉換還必須能夠“浮動”，主電流端都不與0V連接。由于P信道可以在“浮動”應用中出色地發(fā)揮驅動功能，低導通電阻RDS(ON) MOSFET器件是此類應用的最佳選擇方案。P信道在LCD監(jiān)控器和負載點應用中與N信道器件配合使用的需求亦呈現增長勢頭。

飛利浦正致力于擴展業(yè)界標準封裝的P通道MOSFET，并將于未來數月推出更多相關產品。飛利浦 P信道器件具有50毫歐姆電阻和4.5伏電壓，柵驅動為2.5伏。新型MOSFET包括20伏和30伏額定VDS，其驅動特性在柵驅動電壓低至2.5伏時可完全打開。