DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM
DS1250W 3.3V 4096k NVSRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍,一旦超出容差范圍,鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250W器件可以用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM,符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。PowerCap模塊封裝的DS1250W器件可以直接表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制,可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
關(guān)鍵特性
在沒有外部電源的情況下最少可以保存數(shù)據(jù)10年
掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護
替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM或閃存
沒有寫次數(shù)限制
低功耗CMOS操作
100ns的讀寫存取時間
第一次上電前,鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)
可選的-40°C至+85°C工業(yè)級溫度范圍,指定為IND
JEDEC標準的32引腳DIP封裝
PowerCap模塊(PCM)封裝
表面貼裝模塊
可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池
所有非易失SRAM器件提供標準引腳
分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸
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