DS1870的查找表結(jié)構(gòu)

摘要：本應(yīng)用筆記說(shuō)明了DS1870 LDMOS RF功率放大器偏置控制器從輸入到輸出的控制通路，并討論了內(nèi)部校準(zhǔn)過(guò)程。

概述

DS1870用于偏置RF功率放大器，本應(yīng)用筆記舉例說(shuō)明如何使用其二維查找表。

輸入至輸出通路

圖1給出了檢測(cè)輸入至電位器抽頭位置輸出設(shè)置的通路。


圖1.

所有輸入是以地為參考的單端輸入，本范例中兩個(gè)非常重要的信號(hào)是：ID1和片內(nèi)溫度傳感器，這些模擬信號(hào)經(jīng)過(guò)復(fù)用器送入A/D轉(zhuǎn)換器(ADC)模擬端的可編程增益級(jí)。經(jīng)過(guò)ADC量化后，失調(diào)校準(zhǔn)作用到ADC的數(shù)字部分，通過(guò)下面的校準(zhǔn)過(guò)程可以編程設(shè)置增益和失調(diào)校準(zhǔn)(縮放比例)，每路信號(hào)有自己的增益和失調(diào)比例系數(shù)。到目前為止所得到的數(shù)值可用作二維查找表的索引指針，一個(gè)表格以溫度值為索引，另一個(gè)表格以ID1為索引。隨著指針從一個(gè)位置移到另一個(gè)位置，對(duì)應(yīng)寄存器中的內(nèi)容通過(guò)總線送入累加器。累加器在對(duì)應(yīng)于溫度和ID1的更改時(shí)間對(duì)兩個(gè)寄存器的數(shù)值進(jìn)行求和，求和結(jié)果表示電位器中心抽頭的位置。

注意：ID1可以是任何一個(gè)電壓信號(hào)，可以表示電流、外部溫度或任何一個(gè)其它變量。

比例調(diào)節(jié)與校準(zhǔn)

校準(zhǔn)時(shí)，通過(guò)對(duì)增益和失調(diào)的設(shè)置對(duì)每路信號(hào)進(jìn)行比例調(diào)節(jié)，可分別調(diào)節(jié)ID1、ID2、VD...，無(wú)論它們低于250mV還是高于2.5V，優(yōu)化使用A/D轉(zhuǎn)換器。

有關(guān)輸入變量的校準(zhǔn)在數(shù)據(jù)資料第12頁(yè)“電壓監(jiān)視器校準(zhǔn)”給出了詳細(xì)解釋，本文給出了進(jìn)一步的說(shuō)明。從本質(zhì)上講，它是一個(gè)重復(fù)進(jìn)行的2點(diǎn)校準(zhǔn)(低、高，低、高)，對(duì)每一點(diǎn)(低模擬輸入/低數(shù)字輸出，高模擬輸入/高數(shù)字輸出)，通過(guò)后續(xù)的量化對(duì)比例(增益)寄存器(第17頁(yè)表1中的寄存器)的每一位進(jìn)行調(diào)整。

處理流程為：設(shè)置失調(diào)寄存器為0h >>> 啟動(dòng)循環(huán){設(shè)置模擬輸入為0，讀量化值Meas1 >>> 設(shè)置模擬輸入為0.225 (范例中，F(xiàn)S = 0.25)，

讀量化值Meas2 >>> 如果(Meas2 - Meas1) > 所期望的差值：CNT2 - CNT1，

則比例寄存器的MSB為0，否則為1 } >>> 重復(fù)下一循環(huán)，直到獲得比例寄存器中所有比特的設(shè)置。

完成最后一位設(shè)置后，將輸入置0，設(shè)置失調(diào)寄存器。

注意：上述操作將模擬輸入置0并不是必須的，它是測(cè)量參數(shù)(電流、溫度)的“實(shí)際”最小數(shù)值。所期望的差值表示你所期望調(diào)節(jié)的數(shù)字縮放比例的差值(CNT2 - CNT1)，給定90°滿量程模擬輸入差值。除非受某個(gè)監(jiān)控量的限制，否則，你可以通過(guò)選擇斜率覆蓋最寬的范圍，這將使你的LUT控制工作在最佳狀態(tài)(參考表6和VD通道最大值FE00h的注釋，以及ID1、ID2通道的7E00h)。例如，如果已知電流不會(huì)超過(guò)2A，你可以設(shè)置所期望的差值為7166h (7E00h × 0.9)，代表1.8A (2 × 0.9)。