<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 加速RF器件測試的正確操作方法

          加速RF器件測試的正確操作方法

          作者: 時間:2012-03-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          RF能夠進(jìn)行之前,必須這些器件的直流工作狀態(tài)。對于二極管來說,包括正向壓降、反響擊穿電壓和結(jié)漏電流。對于三極管,這包括不同的結(jié)擊穿電壓、結(jié)漏電流、集電極或漏極特性等。選擇正確的儀器并通過適當(dāng)?shù)脑O(shè)定,能夠極大地這些測試過程。

            儀器選擇

            采用各種數(shù)字萬用表(DMM)、電壓源和電流源來實(shí)現(xiàn)測試,將占用更多的機(jī)架空間、需要學(xué)習(xí)多種命令集,系統(tǒng)編程和維護(hù)也更復(fù)雜。觸發(fā)時間變復(fù)雜了,且觸發(fā)的不確定性增加了,而協(xié)調(diào)分立儀器的操作增加了總線的通訊流量,降低了測試效率。

            要解決這些問題,首先是將幾個功能整合到一個儀器中。源-測量單元(SMU)將精密電壓源、精密電流源、電壓表、電流表整合到一個儀器中,節(jié)約了空間并簡化了設(shè)備間的操作。其次是消除儀器和控制計(jì)算機(jī)之間的通訊延時。

            降低通訊開銷

            隨著儀器和計(jì)算機(jī)間的高速通訊成為可能,通過GPIB(IEEE-488總線)鏈接為測試的每個步驟提供命令和控制,使得測試系統(tǒng)自動化更為廣泛。盡管這與以前相比有很大的進(jìn)步,但還是具有明顯的速度限制。首先,GPIB需要可觀的通訊開銷。GPIB用作實(shí)時測試的另外一個缺點(diǎn)是控制通常來自總線的另外一端-運(yùn)行Windows操作系統(tǒng)的PC,Windows在通訊響應(yīng)時具有顯著的延時,并且不可預(yù)測,這使得在測試環(huán)境中使用PC作為唯一的控制器時,多個儀器的同步幾乎是不可能的。

          加速RF器件測試的正確操作方法

            圖1:二極管測試時的測量設(shè)備設(shè)置。

            這個問題的解決辦法是使用GPIB對儀器進(jìn)行預(yù)配置,然后讓儀器自己執(zhí)行測試。許多現(xiàn)代儀器擁有源存儲器列表(source memory list)編程功能,允許設(shè)立和運(yùn)行多達(dá)100個完整的測試序列而無須PC干預(yù)。每個測試可包含不同的儀器配置和測試條件,可包括源的配置、測量、條件跳轉(zhuǎn)、數(shù)學(xué)功能和通過/失敗極限測試和存儲功能。某些單元可在直流或脈沖模式下,采用不同的參數(shù)和時間安排運(yùn)行,使得有可能減慢較敏感的測試,或其它測試以優(yōu)化整個測試時間進(jìn)程。

            當(dāng)儀器基本上自主運(yùn)行時,GPIB的角色就是測試前下載測試程序以及測試后上傳結(jié)果到PC,兩者都不干涉實(shí)際測試。

            儀器觸發(fā)

            為實(shí)現(xiàn)簡單的電流-電壓掃描(I-V),SMU輸出一系列電壓同時測量對應(yīng)的電流。在每個電壓級,SMU首先提供一個電壓。電路中的電壓變化將引起一個瞬態(tài)電流,因此對測試完整性而言在激勵和測量之間設(shè)定一個合適的延時很關(guān)鍵。在不同的范圍內(nèi)儀器將自動調(diào)節(jié)延時來產(chǎn)生最佳結(jié)果。然而,給測試電路附加額外的部件,例如長電纜、開關(guān)矩陣等,這將改變電路的瞬態(tài)特性。對于高阻器件,較長的測試時間通常是必要的。在這些情況下,用戶需要定義額外的延時以維持測量的完整性。

            二極管的測試

            我們的第一個例子包括測試儀器、器件傳遞裝置(handler)和PC(圖1),這里需要注意如何通過內(nèi)部編程來消除大多數(shù)的GPIB通訊來測試。

            二極管的生產(chǎn)測試包括驗(yàn)證步驟確定待測二極管的極性,然后測試正向壓降、反向擊穿電壓以及漏電流。

            正向壓降是指在某些規(guī)定的正向電流時二極管兩端的電壓,通過在二極管上通過規(guī)定電流,然后在其兩端測量電壓來得到。反向擊穿電壓(VRM或VBR)是電流突然無限增加時的反向電壓,這通過施加反向電流并測量二極管兩端的電壓來測量。讀出的電壓與特定的最低極限相比較以決定測試通過或失敗。漏電流IR有時也稱為反向飽和電流,IS是給二極管施加小于反向擊穿電壓的一個電壓時的電流,它是通過施加一個特定的反向電壓并測量產(chǎn)生的電流來得到的。編寫程序來在源/存儲器儀器的存儲器位置(memory location)中設(shè)置二極管的測試,然后通過IEEE總線傳來的一個觸發(fā)開始執(zhí)行,儀器按照存儲器中的設(shè)定編程位置執(zhí)行操作,無須計(jì)算機(jī)的干預(yù)。

          加速RF器件測試的正確操作方法

            圖2:在三極管測試中一般使用兩臺SMU,第一臺在HBT基極和發(fā)射極之間,第二臺在發(fā)射極和集電極之間。

            RF功率三極管測試

            盡管有許多類型的RF三極管存在,但我們以異質(zhì)結(jié)雙極性三極管(HBT)為例,類似的測試可用于其它器件。由于三極管是個三端器件,通常需要使用兩臺SMU。圖2顯示兩臺SMU連接到器件,第一臺在HBT基極和發(fā)射極之間,第二臺在發(fā)射極和集電極之間。為了獲取HBT的集電極曲線,基極SMU設(shè)置成輸出電流并測量電壓。設(shè)好第一個基極電流后,在掃描集電極電壓的同事測量集電極電流。然后基極電流增加一級,再次掃描集電極電壓并同時測量集電極電流。重復(fù)該過程直到獲得不同基極電流情況下所有的集電極I-V曲線。

          儀器的同步

            由于希望兩臺儀器都被編程(避免GPIB延遲),我們希望測試設(shè)置中的所有儀器同步。開始,這并不成為問題。例如,如果幾臺SMU擁有同樣的固件,且采用相同的測試參數(shù)對其編程,每一步的執(zhí)行時間將相同。而困難來自存儲器位置調(diào)用和自動距離修正(auto-ranging)步驟,這些步驟花費(fèi)的時間不確定。

            在類似這種情況下需要使用一個外部的、專門的觸發(fā)控制器,以保證多個儀器的測量同時發(fā)生。在測試系統(tǒng)采用了不同廠家的設(shè)備,或者即使來自同樣廠家但觸發(fā)方法不同時,這特別有用。

            過程如下所述(采用的實(shí)例參照了Keithley儀器,但類似的辦法可用于其它廠家的儀器):

            1.觸發(fā)控制器輸出一個觸發(fā)信號到每臺儀器。

            2.從存儲器調(diào)用源存儲器位置。

            3.使能所有儀器的源輸出。

            4.每臺儀器按照用戶定義的延時執(zhí)行。

            5.一旦完成延時操作每臺儀器給控制器輸出一個觸發(fā)信號。

            6。觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(延時輸出)。

            7.觸發(fā)控制器給每臺儀器發(fā)送一個觸發(fā)信號(測量輸入)。

            8.每臺儀器開始測量操作。

            9.完成測量后,每臺儀器給控制器發(fā)出一個觸發(fā)信號。

            10.觸發(fā)控制器等待每臺儀器輸出的觸發(fā)信號(測量輸出)。

            11.回到步驟1開始下一測試。

            特定的三極管測試

            HBT通常有兩個重要的擊穿電壓需要測量:第一個是集電極-發(fā)射極擊穿電壓,可在基極開路或短路時測,圖3a顯示基極開路(BVCEO或V (BR)CEO)下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設(shè)置,圖3b顯示基極短路(BVCES或V(BR)CES)情況下測量集電極-發(fā)射極擊穿電壓的設(shè)置。另一個擊穿電壓是集電極-基極擊穿電壓(BVCBO或V(BR)CBO),通常射極開路測量,圖3c顯示了該測試設(shè)置。在這些測量中,源-測量單元掃描HBT上的電壓同時測量電流。在達(dá)到擊穿電壓之前,電流將保持非常恒定,達(dá)到擊穿電壓后,電流將突然增加。

          測量擊穿電壓的設(shè)置

            圖3:a:集電極-發(fā)射極擊穿電壓,基極開路;

            b:集電極-發(fā)射極擊穿電壓,基極短路;

            c:集電極關(guān)斷電流,ICBO,及集電極-基極擊穿電壓,發(fā)射極開路。

            通常RF功率三極管要測的其他參數(shù)有集電極-發(fā)射極持續(xù)電壓,BVCEO(sus)或VCE(sus),在基極-發(fā)射極之間的結(jié)上采用反向偏置時集電極-發(fā)射極的擊穿電壓(BVCEV或BVCEX),以及集電極開路時的發(fā)射極-基極擊穿電壓(BVEBO)。

            結(jié)漏電流

            描述器件關(guān)斷時的漏電流也非常重要,因?yàn)樵谄骷还ぷ鲿r,漏電流將浪費(fèi)功率,會縮短電池供電設(shè)備的工作時間。最常測量的漏電流參數(shù)是集電極關(guān)斷電流(ICBO),在集電極和基極之間測量,發(fā)射極開路(圖3c)?;鶚O反向偏置漏電流,也稱為發(fā)射極關(guān)斷電流或發(fā)射極-基極關(guān)斷電流(IEBO),是另一個最重要的漏電流,它是器件關(guān)斷時基極的漏電流。



          關(guān)鍵詞: 加速 RF器件 測試

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();