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          LTCC實現(xiàn)SIP的優(yōu)勢和特點

          作者: 時間:2012-03-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          引言

            技術(shù)是近年來興起的一種令人矚目的整合組件技術(shù),由于材料優(yōu)異的電子、機械、熱力特性,廣泛用于基板、封裝及微波器件等領(lǐng)域,是實現(xiàn)系統(tǒng)級封裝的重要途徑?,F(xiàn)在已經(jīng)研制出了把不同功能整合在一個器件里的產(chǎn)品,成功地應用在無線局域網(wǎng)、地面數(shù)字廣播、全球定位系統(tǒng)接收機、微波系統(tǒng)等,及其他電源子功能模塊、數(shù)字電路基板等方面。

            本文主要討論基于技術(shù)實現(xiàn),并結(jié)合開發(fā)的射頻前端給出了應用實例。

            1 LTCC技術(shù)實現(xiàn)

            LTCC技術(shù)是將低溫燒結(jié)陶瓷粉末制成厚度精確而且致密的生瓷帶,在生瓷帶上利用沖孔或激光打孔、微孔注漿、精密導體漿料印刷等工藝制作出所需要的電路圖形,并可將無源元件和功能電路埋人多層陶瓷基板中,然后疊壓在一起,在850~900℃下燒結(jié),制成三維空間的高密度電路?;贚TCC的 SIP相比傳統(tǒng)的SIP具有顯著的,最大優(yōu)點就是具有良好的高速、微波性能和極高的集成度。具體表現(xiàn)在以下幾方面:

            (1)IXCC技術(shù)采用多層互連技術(shù),可以提高集成度,IBM實現(xiàn)的產(chǎn)品已經(jīng)達到一百多層。NTT未來網(wǎng)絡(luò)研究所以LTCC模塊的形式制作出用于發(fā)送毫米波段60GHz頻帶的SIP產(chǎn)品,尺寸為12 mm×12 mm×1.2 mm,18層布線層由0.1 mm×6層和0.05 mm×12層組成,集成了帶反射鏡的天線、功率放大器、帶通濾波器和電壓控制振蕩器等元件。LTCC材料厚度目前已經(jīng)系列化,一般單層厚度為10~100 μm。

            (2)LTCC可以制作多種結(jié)構(gòu)的空腔,并且內(nèi)埋置元器件、無源功能元件,通過減少連接芯片導體的長度與接點數(shù),能集成的元件種類多,易于實現(xiàn)多功能化和提高組裝密度。提高布線密度和元件集成度,減少了SIP外圍電路元器件數(shù)目,簡化了與SIP連接的外圍電路設(shè)計和降低了電路組裝難度和成本。

            (3)根據(jù)配料的不同,LTCC材料的介電常數(shù)可以在很大的范圍內(nèi)變動,可根據(jù)應用要求靈活配置不同材料特性的基板,提高了設(shè)計的靈活性。比如一個高性能的SIP可能包含微波線路、高速數(shù)字電路、低頻的模擬信號等,可以采用相對介電常數(shù)為3.8的基板來設(shè)計高速數(shù)字電路;相對介電常數(shù)為6~80 的基板完成高頻微波線路的設(shè)計;介電常數(shù)更高的基板設(shè)計各種無源元件,最后把它們層疊在一起燒結(jié)完成整個SIP的設(shè)計。另外,由于共燒溫度低,可以采用 Au、Ag、cu等高電導率的材料作為互連材料,具有更小的互連導體損耗,特別適合高頻、高速電路的應用。

            (4)基于LTCC技術(shù)的SIP具有良好的散熱性?,F(xiàn)在的電子產(chǎn)品功能越來越多,在有限的空間內(nèi)集成大量的電子元器件,散熱性能是影響系統(tǒng)性能和可靠性的重要因素。LTCC材料具有良好的熱導率,據(jù)研究其熱導率是有機材料的20倍,并且由于LTCC的連接孔采用是填孔方式,能夠?qū)崿F(xiàn)較好的導熱特性。

            (5)基于LTCC技術(shù)的SIP同半導體器件有良好的熱匹配性能。LTCC的TCE(熱膨脹系數(shù))與Si、GaAs、InP接近,可以直接在基板上進行芯片的組裝,這對于采用不同芯片材料的SIP有著非同一般的意義。

            高頻、高速、高性能、高可靠性是數(shù)字3C產(chǎn)品發(fā)展必然的趨勢。預計到2010年SIP的布線密度可達6 000 cm/cm2,熱密度達到100 W/cm2,元件密度達5 000/cm2,I/O密度達3 000/cm2?;贚TCC技術(shù)的SIP在這些高集成度、大功率應用中,在材料,工藝等方面必將進入一個全新的發(fā)展階段,在未來的應用中占據(jù)著越來越重要的地位。

            2 應用實例

            基于LTCC技術(shù),本文研制了一個射頻接收前端SIP,并由十三所的IXCC工藝完成。文中采用的工藝最小線寬、線間距均為50 μm;孔直徑170 μm;同一通孔處最大可以通孔15層;電容值范圍為1.0~100 pF;電感值范圍為1.0~40 nH;電阻槳料方阻為10 Ω/□、100Ω/□和1 kΩ/□,寬度最小0.2 mm,長度最小0.3 mm,電阻控制精度為內(nèi)部±20%,表面為±5%。


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