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          電磁兼容實(shí)驗(yàn)室都需要配置哪些儀器

          作者: 時(shí)間:2012-02-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          -webkit-text-stroke-width: 0px">  內(nèi)部預(yù)兼容測試

            預(yù)兼容測試并無定義,但最起碼我們有理由假定測試必須在盡可能接近標(biāo)準(zhǔn)要求的條件下進(jìn)行。

            1)傳導(dǎo)發(fā)射的測試

            多年來,電子產(chǎn)品制造商遇到的最困難的問題可能就是在傳導(dǎo)發(fā)射方面,因此本文首先就此進(jìn)行討論。

            這個(gè)裝置是根據(jù)CISPR22(EN55022)組建的,而且使用的設(shè)備必須符合CISPR16-1的要求。該裝置主要包括:EUT(被測設(shè)備),如果它是臺(tái)式的,必須安放在一個(gè)距地面80cm高的絕緣桌上;輔助設(shè)備(外設(shè)),按正常使用方式連接,未使用的輸入和輸出必須正確端接,多余的電纜必須截短,或繞成直徑30~40cm的一卷。頻譜分析儀(或EMI接收器)在0.15~30MHz的頻率范圍內(nèi)必須具有9kHz的分辨率帶寬(RBW)。測量過程在CISPR16-1和產(chǎn)品規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)中有詳細(xì)描述,如果正確執(zhí)行,其結(jié)果與第三方實(shí)驗(yàn)室的測試將3)諧波和閃爍測試

            諧波和閃爍測試沒有環(huán)境方面的要求。只需將EUT連接到諧波分析儀的電源入口,并根據(jù)廠商的說明和標(biāo)準(zhǔn)的要求執(zhí)行測試即可。同樣,測試設(shè)備將包含一些已有的設(shè)置,但工程師必須確保這些測試設(shè)置符合自己產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)要求。如果評(píng)估時(shí)使用其他方法(如便攜式電源諧波分析儀),請(qǐng)仔細(xì)閱讀標(biāo)準(zhǔn)要求,然后再評(píng)估測量結(jié)果。

            4)ESD抗擾度測試

            ESD抗擾度測試對(duì)于大型設(shè)備可能并不是很重要。但在今天這個(gè)各種產(chǎn)品普遍小型化的時(shí)代,ESD測試已成為大部分設(shè)備的“關(guān)鍵”EMC測試之一,例如對(duì)便攜式計(jì)算器、MP3和MD播放器、USB存儲(chǔ)棒、音頻設(shè)備等等。

            由圖可見,EUT仍然安放在一張絕緣桌上,位于HCP(水平耦合平面,由一種金屬傳導(dǎo)材料制成)上,并通過一個(gè)絕緣抗靜電襯墊與其隔離。VCP(垂直耦合平面)和HCP分別連接到地參考平面,每個(gè)連接端各使用一只470kΩ的電阻。對(duì)于EUT的每個(gè)側(cè)面和VCP、HCP,以及EUT上每個(gè)用手能觸摸到的金屬表面,分別使用鋒利尖端進(jìn)行接觸放電(直接放電),通常每個(gè)極性5次。對(duì)于機(jī)箱的所有塑料部分,則利用圓形尖端進(jìn)行空氣放電(間接放電)。

            5)輻射電磁場抗擾度的測試

            輻射電磁場抗擾度的測試裝置與輻射發(fā)射測試非常類似,但是在這項(xiàng)測試中,信號(hào)發(fā)生器和功率放大器將饋送給天線,以便在EUT附近產(chǎn)生“均勻電磁場”(±6dB)(在頻率范圍80~1000VSPACE=12HSPACE=12alt="實(shí)驗(yàn)室都需要配置哪些">MHz、AM、1kHz、80%調(diào)制深度下為3V/m或10V/m)。需要注意的是,不同產(chǎn)品的頻率范圍也不相同。

            6)傳導(dǎo)騷擾抗擾度測試

            傳導(dǎo)騷擾抗擾度測試的目的是在EUT端口輸入建立3V電平(有效值,150kHz~230MHz、AM、1kHz、80%調(diào)制深度)。信號(hào)發(fā)生器和功率放大器必須提供足夠的功率,以便CDN能將信號(hào)耦合到被測線。由于測試項(xiàng)目3)、7)、8)、9)、10)使用的是高度專業(yè)化的設(shè)備,如果實(shí)驗(yàn)室中有這些設(shè)備,工程師無需太多操作,只要正確連接EUT就可以了,最重要的任務(wù)是監(jiān)控EUT的工作方式。

          如何進(jìn)行近場測試

            本文前面的介紹部分講過,近場測試非常適合產(chǎn)品開發(fā)階段。在這個(gè)階段,標(biāo)準(zhǔn)測試方法或許能給出精確的結(jié)果,但卻無法顯示問題的來源所在。在挑選元件時(shí),有些控制器芯片的輻射要比其他芯片低40dB,或具有更高的抗擾度。即使在產(chǎn)品開發(fā)完成,執(zhí)行兼容測試未通過之后,標(biāo)準(zhǔn)測試方法也幾乎無法給出有關(guān)問題來源的任何



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