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          電壓基準(zhǔn)芯片的性能分析及應(yīng)用介紹

          作者: 時(shí)間:2012-02-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          m; LINE-HEIGHT: 24px; PADDING-TOP: 0px">  噪聲是衡量的性能的另一個(gè)重要參數(shù)。通常在0.1Hz到10Hz和10Hz到10kHz兩個(gè)頻率范圍內(nèi)給出噪聲參數(shù),以便設(shè)計(jì)者估算基準(zhǔn)在所關(guān)注的頻率范圍內(nèi)的噪聲。輸出噪聲通常與輸出成比例,以ppm為單位。0.1Hz到10Hz的噪聲主要是閃爍噪聲,或稱為公式2噪聲,其噪聲幅度與頻率成反比,一般會給出這一頻率范圍內(nèi)噪聲的峰峰值(P-P)。不同半導(dǎo)體器件的閃爍噪聲特性差別很大,例如MOSFET的閃爍噪聲比較大,而雙極型晶體管的閃爍噪聲則要小得多,次表面擊穿的穩(wěn)壓管閃爍噪聲也很小,因此采用不同工藝設(shè)計(jì)的電壓,低頻噪聲特性差別會比較大。



            圖3. ICN2520電壓的噪聲特性曲線

            10Hz到10kHz頻率范圍以及高于這個(gè)頻率范圍的噪聲主要是熱噪聲,在有效帶寬內(nèi)頻率特性基本上是平坦的,通過給出的噪聲有效值(rms)可以很容易估算出某一頻率范圍內(nèi)的熱噪聲。增大電流可以有效降低噪聲,因此優(yōu)良的噪聲特性往往是以犧牲功耗為代價(jià)的。用戶可以在電壓基準(zhǔn)輸出端添加濾波電容或其他濾波電路限制噪聲帶寬,以改善噪聲特性,從而達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

            ICN25XX系列電壓基準(zhǔn)芯片采用特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu),達(dá)到了CMOS工藝通常很難實(shí)現(xiàn)的低噪聲水平:0.1Hz到10Hz為13ppm(P-P);10Hz到10kHz為32ppm(rms);而且還保持了CMOS工藝的功耗優(yōu)勢,靜態(tài)電流僅為75A。


            某些應(yīng)用對電壓基準(zhǔn)芯片的瞬態(tài)特性會有要求。瞬態(tài)特性包括三個(gè)方面:上電建立時(shí)間、小信號輸出阻抗(高頻)、大信號恢復(fù)時(shí)間(動態(tài)負(fù)載)。不同廠商推出的電壓基準(zhǔn)芯片的瞬態(tài)特性可能區(qū)別很大,良好的瞬態(tài)特性往往也是以犧牲功耗為代價(jià)的。ICN25XX系列電壓基準(zhǔn)內(nèi)部集成緩沖放大器,采用特殊結(jié)構(gòu),能夠提供良好的瞬態(tài)特性、線性調(diào)整率及負(fù)載調(diào)整率,并能夠保證很大輸出濾波電容范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。

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