基于門(mén)控時(shí)鐘的低功耗電路設(shè)計(jì)方案

集成電路工藝節(jié)點(diǎn)的提升帶來(lái)了芯片集成度的極大提高，同時(shí)也導(dǎo)致了功耗的急速增加。另外，市場(chǎng)對(duì)電子設(shè)備的大量需求使得系統(tǒng)功耗成為系統(tǒng)性能的一個(gè)重要指標(biāo)，功耗的高低成了芯片廠(chǎng)商競(jìng)爭(zhēng)力的焦點(diǎn)之一，功耗控制與管理已成為絕大多數(shù)芯片廠(chǎng)商首要考慮的問(wèn)題。SoC設(shè)計(jì)的功耗包含兩部分:靜態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)功耗。靜態(tài)功耗主要由泄漏電流引起，在130 nm工藝下，靜態(tài)功耗相對(duì)較小，可以忽略不計(jì)。動(dòng)態(tài)功耗主要包括短路功耗和翻轉(zhuǎn)功耗，是本設(shè)計(jì)功耗的主要組成部分。短路功耗即內(nèi)部功耗，指由器件內(nèi)部由于P管和N管在某一瞬間同時(shí)導(dǎo)通引起的瞬時(shí)短路引起。翻轉(zhuǎn)功耗由CMOS器件的輸出端負(fù)載電容充放電引起。芯片工作時(shí)，很大一部分功耗是由于時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的翻轉(zhuǎn)消耗的，如果時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)較大，這部分引起的功耗損失會(huì)很大。在眾多低功耗技術(shù)中，門(mén)控時(shí)鐘對(duì)翻轉(zhuǎn)功耗和內(nèi)部功耗的抑制作用最強(qiáng)。本文主要講述門(mén)控時(shí)鐘技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)。另外，基于高閾值單元具有較低的功耗，設(shè)計(jì)采用高閾值單元庫(kù)。

　　1　門(mén)控時(shí)鐘技術(shù)的基本原理

　　對(duì)于一個(gè)設(shè)計(jì)中的寄存器組，經(jīng)DC編譯后一般會(huì)生成如圖1所示的電路。由圖1可以看出，當(dāng)EN為1時(shí)， DATA_ IN的值由多路開(kāi)關(guān)傳至寄存器組的數(shù)據(jù)輸入端，當(dāng)CLK上升沿來(lái)臨時(shí)，傳至DATA_OUT。當(dāng)EN為0時(shí)， OUTPUT保持不變。但由于時(shí)鐘信號(hào)CLK的翻轉(zhuǎn)，寄存器組會(huì)持續(xù)在CLK的上升沿來(lái)臨時(shí)讀取數(shù)據(jù)輸入端的數(shù)據(jù)，而這時(shí)讀取的數(shù)據(jù)是不變的，這就消耗了額外的功耗。

　　為保證此時(shí)寄存器組不受時(shí)鐘翻轉(zhuǎn)的影響，可在EN信號(hào)為0時(shí)關(guān)斷寄存器組的時(shí)鐘輸入端，使其不受CLK端的變化而變化，這一操作可通過(guò)門(mén)控時(shí)鐘技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖2所示。圖中的門(mén)控單元由一個(gè)Latch和一個(gè)與門(mén)組成。門(mén)控單元也可以采用非latch結(jié)構(gòu)，直接由與門(mén)或或門(mén)組成。但由于這種電路會(huì)引發(fā)毛刺，故此處采用基于Latch的門(mén)控單元電路。插入門(mén)控時(shí)鐘后，當(dāng)EN為1時(shí)， Latch單元在時(shí)鐘低電平時(shí)將EN鎖存至ENL，時(shí)鐘上升沿來(lái)臨時(shí)， ENCLK隨CLK變化，寄存器組執(zhí)行正常的讀入讀出操作。當(dāng)EN為0時(shí)，寄存器時(shí)鐘輸入端ENCL保持為0，不隨源時(shí)鐘CLK的翻轉(zhuǎn)而變化，故此時(shí)寄存器組不消耗額外功率。

　　由此可見(jiàn)，插入門(mén)控時(shí)鐘能消除寄存器組冗余翻轉(zhuǎn)引發(fā)的內(nèi)部功耗，同時(shí)由于多路選擇器組被一個(gè)基于latch的門(mén)控單元代替，所以也減小了電路的面積。

　　另外，為了進(jìn)一步減小設(shè)計(jì)的功耗，可采用一些特定的門(mén)控技術(shù)。目前應(yīng)用比較廣泛的有多級(jí)門(mén)控時(shí)鐘，層次化門(mén)控時(shí)鐘等。在多級(jí)門(mén)控時(shí)鐘技術(shù)中，一個(gè)門(mén)控單元還可用來(lái)驅(qū)動(dòng)其他一個(gè)或一組門(mén)控單元。這樣就通過(guò)分級(jí)控制減少了門(mén)控單元的數(shù)目，而且這種方法可組合盡可能多的寄存器組使得門(mén)控單元向頂層靠近，節(jié)省更多功耗。

　　2　門(mén)控時(shí)鐘的物理實(shí)現(xiàn)

　　電路在功能仿真通過(guò)后，開(kāi)始進(jìn)行寄存器級(jí)綜合。采用高閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和多級(jí)門(mén)控時(shí)鐘技術(shù)相結(jié)合，在RTL階段插入門(mén)控時(shí)鐘單元，并在布局布線(xiàn)時(shí)在IC Compiler中進(jìn)行了基于門(mén)控時(shí)鐘的布局布線(xiàn)優(yōu)化，布局布線(xiàn)正確完成仿真通過(guò)后，在PT中做靜態(tài)時(shí)序分析并進(jìn)行最終的功耗分析。以下分三個(gè)部分講述。

　　2. 1　時(shí)鐘門(mén)控的RTL級(jí)實(shí)現(xiàn)

　　在RTL級(jí)，門(mén)控時(shí)鐘的實(shí)現(xiàn)不需要對(duì)設(shè)計(jì)本身進(jìn)行修改，而只需在綜合腳本中加入一些控制項(xiàng)。

　　本文采用多級(jí)門(mén)控時(shí)鐘，相關(guān)的腳本如圖3 所示。

　　圖中，傳統(tǒng)的綜合流程用實(shí)線(xiàn)標(biāo)出。虛線(xiàn)部分為門(mén)控時(shí)鐘的操作。

　　控制項(xiàng)set_clock_gating_ STyle是門(mén)控時(shí)鐘的核心。它的參數(shù)大小決定門(mén)控時(shí)鐘的質(zhì)量，對(duì)功耗的優(yōu)化效果和對(duì)CTS的影響。目前尚無(wú)完備的體系介紹如何設(shè)置控制項(xiàng)以使門(mén)控效果達(dá)到最優(yōu)。本設(shè)計(jì)中有以下各個(gè)參數(shù)的設(shè)置方法。

　　首先確定時(shí)序單元的類(lèi)型。為了避免非Latch單元易產(chǎn)生毛刺的缺點(diǎn)，此處選定時(shí)序單元的類(lèi)型為L(zhǎng)atch。由于庫(kù)中提供基于鎖存器的門(mén)控單元，固正邊沿邏輯positive_edge_ logic采用工藝庫(kù)提供的專(zhuān)用單元。采用集成單元的優(yōu)勢(shì)在于不僅不需要設(shè)置門(mén)控單元輸入端建立時(shí)間和保持時(shí)間，因?yàn)榧蓡卧臅r(shí)序信息在單元庫(kù)中已有說(shuō)明，而且有效緩解了插入門(mén)控單元對(duì)延時(shí)帶來(lái)的不利影響。以下重點(diǎn)闡述實(shí)驗(yàn)中bi