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          兩種增強(qiáng)PFC段性能的方法

          作者: 時間:2012-02-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          對于較低功率的應(yīng)用而言,臨界導(dǎo)電模式(CrM)(也稱作邊界、邊界線甚至是瞬態(tài)導(dǎo)電模式)通常是首選的控制技術(shù)。這種控制技術(shù)簡單,市場上有采用這種技術(shù)的不同的商用控制器,容易設(shè)計(jì)。然而,高輸入電壓時,如果輸入和輸出電壓之間的差距小,PFC段會變得不穩(wěn)定。本文將說明解決這種問題的方法。PFC段一個更加常見的問題是通常發(fā)生在啟動時的大電流過沖,而不論采用的是何種控制技術(shù)。

            臨界導(dǎo)電模式工作

            臨界導(dǎo)電模式(CrM)工作是低功率應(yīng)用中最常見的解決方案。這種控制方法可以采用可變頻率控制原理來描述特征,即電感電流先上升至所需線路電流的2倍,然后下降至零,接著再上升至正電流,期間沒有死區(qū)時間(dead-time),如圖1所示。這種控制方法需要電路精確地檢測電感的磁芯復(fù)位。

            

          兩種增強(qiáng)PFC段性能的方法

            圖1 臨界導(dǎo)電模式工作

            零電流檢測

            確定退磁完成的常見解決方案在于感測電感電壓,更具體地說,就是檢測電感電壓何時降至零。監(jiān)測線圈電壓并非經(jīng)濟(jì)的解決方案。相反,這升壓電感與小型繞組相關(guān),這繞組(稱作“零電壓檢測器”或ZCD繞組)提供了電感電壓的一個縮小版本,能夠用于控制器上,如圖2所示。ZCD繞組采用耦合形式,因而它在MOSFET導(dǎo)電時間(反激配置)期間呈現(xiàn)出負(fù)電壓,如圖3中所示。這繞組提供:

            VAUX=-NVIN,當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時;

            VAUX=N(VOUT-VIN),當(dāng)MOSFET開路時。

            其中,N是輔助繞組與主繞組之間的匝數(shù)比。

            

          NCP1607驅(qū)動的應(yīng)用段典型應(yīng)用示意圖

            圖2 NCP1607驅(qū)動的應(yīng)用段典型應(yīng)用示意圖

            當(dāng)ZCD電壓(VAUX)開始下降時線圈電流會達(dá)到零。許多CrM控制器內(nèi)部比較VAUX與接近0V的ZCD參考電壓,檢測出下降沿,并準(zhǔn)時啟動下一個驅(qū)動信號。為了實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固的工作,應(yīng)用了磁滯機(jī)制,并實(shí)際上產(chǎn)生較高的(upper)閾值(VAUX上升時有效)及較低的(lower)閾值(VAUX下降時有效)。出于不同原因(如安森美半導(dǎo)體NCP1607 PFC控制器中的ZCD引腳的多功能性),在大多數(shù)商用器件中這些閾值都相對較高(在1V及2V之間)。

            例如,NCP1607數(shù)據(jù)表中可以發(fā)現(xiàn)下述的ZCD閾值規(guī)范(引腳5是監(jiān)測ZCD信號的電路)。

            Vpin5上升:最低值為2.1V,典型值為2.3V,最大值為2.5V;

            Vpin5下降:最低值為1.5V,典型值為1.6V,最大值為1.8V。

            要恰當(dāng)?shù)貦z測零電流,VAUX信號必須高于較高的閾值。

            

          兩種增強(qiáng)PFC段性能的方法

            圖3 波形

            極高輸入線路時的不精確零電流檢測

            圖4及圖5顯示出在高線路時會面對的一個問題。VAUX電壓在退磁相位期間較小,而這時Vin較高,因?yàn)閂AUX與輸出輸入電壓差成正比VAUX=N(VOUT-VIN)。此外,如圖4所示,輸入電壓在開關(guān)頻率呈現(xiàn)出交流含量。因此,VAUX波形并不平坦,相反,它還包含紋波。在低線路時,這紋波可以忽略不計(jì)。在高線路時,VAUX幅度在退磁相位期間較小。因此,這些振蕩可能大到足以導(dǎo)致過早檢測電感磁芯復(fù)位。事實(shí)上,如圖4和圖5所示的那樣,零電流檢測的精度降低了。

            

          兩種增強(qiáng)PFC段性能的方法

            圖4 不精確零電流檢測導(dǎo)致的不穩(wěn)定性

            

          兩種增強(qiáng)PFC段性能的方法

            圖5 連續(xù)導(dǎo)電模式工作

            圖4顯示出現(xiàn)不穩(wěn)定性問題時高輸入線路(正弦波頂端,此處Vin約為380V)下的VAUX電壓。我們可以看到MOSFET關(guān)閉時,VAUX電壓輕微躍升至高于ZCD閾值。由于其大紋波的緣故,在退磁相位期間,VAUX電壓首先增加,然后下降。由于在某些開關(guān)周期的末段VAUX接近ZCD閾值,這VAUX電壓下降導(dǎo)致零電壓比較器在電感磁芯完全復(fù)位前就翻轉(zhuǎn)(trip)。圖5證實(shí)了這一論斷。有時,升壓二極管仍在導(dǎo)電時,PFC段開始新的周期。這個現(xiàn)象主要導(dǎo)致線路電流失真(見紅色跡線)、功率因數(shù)退化,并可能有一些頻率處在


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