非易失性SRAM DS1747

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC信息和控制位占用RAM中最高的8個地址。RTC寄存器包含世紀(jì)、年、月、日、星期、小時、分和秒數(shù)據(jù)，采用24小時BCD格式。器件可自動對每個月份及閏年進(jìn)行日期校正。RTC時鐘寄存器采用雙緩沖，可避免在時鐘更新周期內(nèi)訪問不正確的數(shù)據(jù)。雙緩沖系統(tǒng)還可以防止訪問時間寄存器時導(dǎo)致倒數(shù)計(jì)時無法減少而引起的時間丟失。DS1747還包含電源失效電路，用于當(dāng)VCC電源超出容差時，禁止選通器件。由于低VCC引起不可預(yù)測的系統(tǒng)操作，該特性可以避免這種情況下的數(shù)據(jù)丟失，從而避免錯誤的訪問和更新。

　　關(guān)鍵特性

　　集成的NV SRAM、實(shí)時時鐘(RTC)、晶體、電源失效控制電路和鋰電池

　　訪問時鐘寄存器方式與靜態(tài)RAM完全相同，這些寄存器位于RAM中最高的8個地址

　　世紀(jì)字節(jié)寄存器;Y2K兼容

　　完全的非易失性，可在缺少電源的條件下工作10年以上

　　BCD編碼的世紀(jì)、年、月、日、星期、小時、分和秒數(shù)據(jù)，可自動進(jìn)行閏年補(bǔ)償至2100年

　　電池電壓指示標(biāo)志

　　電源失效寫保護(hù)，允許±10%的VCC電源容差

　　鋰電池處于開路的保鮮模式，直至首次電源加電

　　僅對于DIP模塊：

　　標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC字節(jié)寬度512k x 8靜態(tài)RAM引腳排列

　　僅對于PowerCap模板：

　　可表貼的封裝直接與包含電池和晶體的PowerCap連接

　　可替換的電池(PowerCap)

　　上電復(fù)位輸出

　　引腳兼容于其他密度的DS174xP時間保持RAM

　　可提供工作在工業(yè)級溫度范圍(-40°C至+85°C)的芯片