3. 

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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > DS2433設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          DS2433設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-11-02
				來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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			/TD>注3：工作在接近最低電壓(2.8V)時(shí)，建議下降沿?cái)[率為15V/μs或更快。
          影響：由于采用新一代半導(dǎo)體工藝，DS24B33可承受的最大值低于DS2433。由于大多數(shù)應(yīng)用工作在5V ±5%或更低，這一變化應(yīng)該不是問(wèn)題。

          措施：如果實(shí)際應(yīng)用工作在6V ±5%，則降低上拉電壓。例如，將一個(gè)或兩個(gè)通用的硅二極管與上拉電阻串聯(lián)。二極管大約0.7V的導(dǎo)通壓降可降低1-Wire電壓，實(shí)現(xiàn)安全工作。
        1. 上拉電阻
          說(shuō)明：該參數(shù)規(guī)定1-Wire上拉電阻的允許范圍。如果電阻過(guò)大，沒(méi)有足夠時(shí)間為1-Wire從器件的寄生電源重新充電；如果電阻值過(guò)小，可能不滿足最大VIL指標(biāo)。

          摘自DS2433數(shù)據(jù)資料
          SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
          RPUP
          kΩ

          DS2433數(shù)據(jù)資料在電氣特性表中未明確給出RPUP，但給出了一些文字指導(dǎo)。DS2433數(shù)據(jù)資料圖8中的文字規(guī)定單點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)的指標(biāo)：“讀操作為5kΩ，VPUP≥ 4V時(shí)寫操作為2.2kΩ。根據(jù)1-Wire通信速率和總線負(fù)載特性，上拉電阻優(yōu)化在1.5kΩ至5kΩ范圍”。

          摘自DS24B33數(shù)據(jù)資料
          SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
          RPUP
          0.3
          2.2
          kΩ
          2, 4
          注2：系統(tǒng)要求。
          注4：最大允許上拉電阻是系統(tǒng)中1-Wire器件數(shù)量、1-Wire恢復(fù)時(shí)間以及EEPROM編程所需電流的函數(shù)。此處給出的數(shù)值適用于只有一個(gè)器件、具有最小1-Wire恢復(fù)時(shí)間的系統(tǒng)。對(duì)于負(fù)載較重的系統(tǒng)，可能需要有源上拉，例如DS2482-x00或DS2480B。

          影響：相對(duì)于DS2433數(shù)據(jù)資料，DS24B33數(shù)據(jù)資料給出了關(guān)于上拉電阻范圍的詳細(xì)信息。DS24B33的上限符合tREC測(cè)試條件。下限不會(huì)對(duì)5V ±5%環(huán)境下的DS24B33造成應(yīng)力。然而，在最差工作條件下(即DS24B33的輸出晶體管阻抗= VOLMAX/4mA = 100Ω)，DS24B33拉低1-Wire總線時(shí)，所產(chǎn)生的VOL值為：100Ω/(100Ω + 300Ω) × VPUP。為滿足其它1-Wire從器件和主控器件的最大VIL要求，2.8V下最小、最安全的RPUP值為600Ω。

          措施：檢查應(yīng)用中的上拉電阻。如果上拉電阻高于2.2kΩ，則用較小的電阻代替它，或使用不同的1-Wire主控器件。更多建議請(qǐng)參見(jiàn)輸入電容部分。
          2. 技術(shù)改進(jìn)
          1. EEPROM使用壽命
            說(shuō)明：該參數(shù)規(guī)定EEPROM單元在給定溫度下可承受的無(wú)差錯(cuò)寫次數(shù)。通常情況下，使用壽命遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于給出的最小值。

            摘自DS2433數(shù)據(jù)資料
            SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
            NCYCLE
            		TA= +25°C
            VPUP= 5.0V
            50k
            7
            注7：執(zhí)行Copy Scratchpad命令期間，DS2433自動(dòng)擦除要寫入的存儲(chǔ)器。總線主控器件無(wú)需采取其它步驟。

            摘自DS24B33數(shù)據(jù)資料< 
							

            
		
            
			
              
				
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            關(guān)鍵詞：
            			            DS2433
                        DS24B33
                        EEPROM
                        
            
            
            
			
            
		
            
		
            
			
            評(píng)論
            					
		
            
		
            
			
            
			
				
            
					
					
            
						
                        
					
            
				
            
                		
						
						
			
		
            
		
            
		
            
            
			
            
		
            
	

            
	
            
		
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