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          適用于WLAN IEEE80211a標(biāo)準(zhǔn)的雙模前置分頻器設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-10-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          本文采用動(dòng)態(tài)TSPC結(jié)構(gòu),利用TSMC 90nm 1P9M 1.2VCMOS工藝,設(shè)計(jì)了一個(gè)適用于 IEEE802.11a標(biāo)準(zhǔn)的前置,具有高速、低壓、低功耗的特點(diǎn)。

            1 電路設(shè)計(jì)

            1.1 電路總體架構(gòu)

            前置的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括三個(gè)部分:同步2/3,由異步除2分頻器構(gòu)成的分頻器鏈,以及反饋部分??刂菩盘?hào)MC控制分頻比,當(dāng)MC=1時(shí)為32分頻,當(dāng)MC=O時(shí)為33分頻。

            圖l前置分頻器結(jié)構(gòu)圖

            

          適用于WLAN IEEE80211a標(biāo)準(zhǔn)的雙模前置分頻器設(shè)計(jì)

            本設(shè)計(jì)基于上述傳統(tǒng)結(jié)構(gòu),通過(guò)減少高頻同步分頻器單元中MOS管的個(gè)數(shù),達(dá)到降低功耗的目的。

            1.2 同步分頻器設(shè)計(jì)

            同步2/3分頻器的結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示,它是整個(gè)分頻器工作頻率最高的部分,亦是決定前置分頻器速度和功耗的關(guān)鍵部分。

            

          適用于WLAN IEEE80211a標(biāo)準(zhǔn)的雙模前置分頻器設(shè)計(jì)

            MC為邏輯高電平時(shí),電路實(shí)現(xiàn)2分頻;MC為邏輯低電平時(shí),電路實(shí)現(xiàn)3分頻。采用同步2/3分頻器,大大減少了工作在高頻部分MOS管的數(shù)目,從而同步部分的功耗有所下降。同時(shí)將“與”門(mén)設(shè)計(jì)在D觸發(fā)器中。這種集成“與”門(mén)的觸發(fā)器不但簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),而且避免了單獨(dú)設(shè)計(jì)邏輯門(mén)所帶來(lái)的寄生參數(shù)的影響,減少了速度損失,從而很好地緩解了工作速度和功耗之間的矛盾。

            1.3 優(yōu)化功耗

            從以上的分析可以看出,電路最大的功耗來(lái)自同步2/3分頻器,但無(wú)論是同步2/3分頻器還是異步分頻器鏈都必須采用D觸發(fā)器,因此設(shè)計(jì)好高速低功耗的D觸發(fā)器是影響整個(gè)分頻器速度和功耗的關(guān)鍵。

            圖3為常用的Yuan-Svensson型D觸發(fā)器(下降沿觸發(fā)),這種電路采用動(dòng)態(tài)CMOS技術(shù),從左至右由一個(gè)N-C2MOS級(jí),一個(gè)P- PrechargeCMOS級(jí)和一個(gè)P-C2MOS級(jí)組成。相對(duì)于傳統(tǒng)的靜態(tài)分頻器,它的各項(xiàng)性能已經(jīng)有了明顯的改善,但是由于大多數(shù)MOS管既是前級(jí)的負(fù)載管又是后級(jí)的驅(qū)動(dòng)管,每一級(jí)三個(gè)MOS管疊加帶來(lái)了大的RC延遲,所以就算減小其尺寸也不能提高速度。為此我們對(duì)圖3中的C2MOS電路進(jìn)行改進(jìn),用鐘控偽PMOS反相器代替N-C2MOS,這樣MOS管的數(shù)目、負(fù)載電容都有減小。同樣用鐘控偽NMOS反相器代替PC2MOS,構(gòu)成圖4所示的動(dòng)態(tài)有比鎖存器,當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)為低(高)電平時(shí)鎖存器工作在求值(保持)模式,與Yuan-Svensson結(jié)構(gòu)的D觸發(fā)器相比具有更低的RC,因此減小了功耗和傳輸延遲。

            

          適用于WLAN IEEE80211a標(biāo)準(zhǔn)的雙模前置分頻器設(shè)計(jì)

            需要注意的是,當(dāng)圖4的鎖存器工作在求值模式時(shí)(CLK為低電平),如果此時(shí)輸入信號(hào)D由高電平向低電平變化,則輸出Q的狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致誤操作。于是需要在鎖存器的輸入端加上一級(jí)時(shí)鐘偽PMOS,如圖5,以防止圖4所示的鎖存器工作在求值模式時(shí)輸入端D電壓發(fā)生由高到低的翻轉(zhuǎn),保證鎖存器的輸出在單個(gè)周期僅可以改變一次。圖5即為本文采用的負(fù)邊沿觸發(fā)的動(dòng)態(tài)D觸發(fā)器,相比于圖3所示的YuanSvensson D觸發(fā)器,動(dòng)態(tài)D觸發(fā)器的晶體管數(shù)目減少了三個(gè),增強(qiáng)了時(shí)鐘的驅(qū)動(dòng)能力,不僅提高了電路的工作頻率,而且大大降低了功耗。同時(shí)將“與 ”門(mén)集成到DFF中去,如圖6所示。仿真結(jié)果表明這種集成“與”門(mén)的D觸發(fā)器工作速度有一定提高,同時(shí)也降低了電路的功耗。在同步2/3分頻器中,DFFl采用的是不帶“與”門(mén)的D觸發(fā)器,DFF2采用帶“與”門(mén)的觸發(fā)器。

            1.4 異步除2分頻器

            經(jīng)過(guò)同步2/3分頻器分頻后,信號(hào)的頻率已經(jīng)降低。由于方波驅(qū)動(dòng)較長(zhǎng)分頻鏈時(shí),可能引起模塊內(nèi)部某點(diǎn)的高電平陷落,從而造成整個(gè)電路的邏輯混亂。由于同步分頻器中D觸發(fā)器的NQ端輸出的高電平不穩(wěn)定,可以通過(guò)在Q端添加緩沖器予以解決。仿真結(jié)果表明,用該觸發(fā)器組成的異步鏈可在速度、頻率和功耗間達(dá)到很好的折衷。

            

          適用于WLAN IEEE80211a標(biāo)準(zhǔn)的雙模前置分頻器設(shè)計(jì)

            2 電路的調(diào)試與仿真

            調(diào)試時(shí),首先要確定P1管與Nl管的寬長(zhǎng)比(W/L)以保證時(shí)鐘為高電平時(shí),圖4所示的鎖存器N2管總保持在關(guān)斷狀態(tài),電路處于保持模式,因而輸出 O點(diǎn)的電壓保持不變。當(dāng)時(shí)鐘從高變?yōu)榈蜁r(shí),鎖存器進(jìn)入求值模式,此時(shí)如果輸入D為低電平,這時(shí)N2管和P2管都導(dǎo)通,要求P2管的上拉能力比N2的下拉能力弱,以保證Q點(diǎn)輸出VOLQ比下一級(jí)門(mén)電路的輸入電壓VIL低,即輸出在低電平范圍內(nèi)。

            采用TSMC90nm CMOS工藝,電源電壓1.2V,使用Mentor公司的Eldo軟件對(duì)本設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真,仿真結(jié)果顯示,輸入頻率為5.8GHzH寸,電路功耗僅為O.8mW。

            3 結(jié)論

            對(duì)于一個(gè)雙模前置分頻器來(lái)說(shuō),工作的速度(輸入信號(hào)的頻率)和功耗是其性能最重要的兩個(gè)參數(shù),本文采用動(dòng)態(tài)有比D觸發(fā)器的結(jié)構(gòu),相比于傳統(tǒng)的 Yuan-SvenssonTSPC D觸發(fā)器,MOS管的數(shù)目減少了3個(gè),這個(gè)對(duì)于VLSI來(lái)說(shuō)將大大提高了其集成度,因此有著更好的工作頻率和更低的功耗。并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了一個(gè)前置分頻器。完全覆蓋了 IEEE802.11a通信標(biāo)準(zhǔn)的所有頻段。采用TSMC90nmCMOS工藝,電源電壓1.2V,運(yùn)用Mentor公司的Elod軟件對(duì)本設(shè)計(jì)進(jìn)行仿真,電路工作在5.8GHz時(shí)功耗僅為0.8mW。電路最高工作頻率可達(dá)到6.25GHz。

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