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          雙向晶閘管工作原理

          作者: 時間:2011-09-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          雙向晶閘管工作原理:雙向可控硅具有兩個方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實質(zhì)上是兩個反并聯(lián)的單向可控硅,是由NPNPN五層半導(dǎo)體形成四個PN結(jié)構(gòu)成、有三個電極的半導(dǎo)體器件。主電極的構(gòu)造是對稱的(都從N層引出),它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,把與控制極相近的叫做第一電極A1,另一個叫做第二電極A2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是雙向可控硅在一個方向?qū)ńY(jié)束時,硅片在各層中的載流子還沒有回到截止,采取相應(yīng)的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關(guān)以及直流電機調(diào)速和換向等電路。

          下面講一下可控硅的工作原理:

          1、可控硅元件的結(jié)構(gòu)
          不管可控硅的外形如何,它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個PN結(jié)(J1、J2、J3),從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A,從N2層引出陰級K,從P2層引出控制極G,所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。
          雙向晶閘管工作原理

          2、工作原理
          可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如圖1所示
          雙向晶閘管工作原理
          當(dāng)陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。
          由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用,所以一旦可控硅導(dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。
          由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見表1
          雙向晶閘管工作原理
          可控硅的基本伏安特性見圖2
          雙向晶閘管工作原理
          圖2 可控硅基本伏安特性
          (1)反向特性
          當(dāng)控制極開路,陽極加上反向電壓時(見圖3),J2結(jié)正偏,但J1、J2結(jié)反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流,當(dāng)電壓進一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿電壓后,接差J3結(jié)也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性O(shè)R段所示,彎曲處的電壓URO叫“反向轉(zhuǎn)折電壓”。此時,可控硅會發(fā)生永久性反向
          雙向晶閘管工作原理
          (2)正向特性
          當(dāng)控制極開路,陽極上加上正向電壓時(見圖4),J1、J3結(jié)正偏,但J2結(jié)反偏,這與普通PN結(jié)的反向特性相似,也只能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態(tài),當(dāng)電壓增加,圖3的特性發(fā)生了彎曲,如特性O(shè)A段所示,彎曲處的是UBO叫:正向轉(zhuǎn)折電壓
          雙向晶閘管工作原理
          圖4 陽極加正向電壓
          由于電壓升高到J2結(jié)的雪崩擊穿電壓后,J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),在結(jié)區(qū)產(chǎn)生大量的電子和空穴,電子時入N1區(qū),空穴時入P2區(qū)。進入N1區(qū)的電子與由P1區(qū)通過J1結(jié)注入N1區(qū)的空穴復(fù)合,同樣,進入P2區(qū)的空穴與由N2區(qū)通過J3結(jié)注入P2區(qū)的電子復(fù)合,雪崩擊穿,進入N1區(qū)的電子與進入P2區(qū)的空穴各自不能全部復(fù)合掉,這樣,在N1區(qū)就有電子積累,在P2區(qū)就有空穴積累,結(jié)果使P2區(qū)的電位升高,N1區(qū)的電位下降,J2結(jié)變成正偏,只要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現(xiàn)所謂負阻特性,見圖3的虛線AB段。
          這時J1、J2、J3三個結(jié)均處于正偏,可控硅便進入正向?qū)щ姞顟B(tài)---通態(tài),此時,它的特性與普通的PN結(jié)正向特性相似,見圖2中的BC段
          2、觸發(fā)導(dǎo)通
          雙向晶閘管工作原理
          圖5 陽極和控制極均加正向電壓
          圖1、可控硅結(jié)構(gòu)示意圖和符號圖



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