常用半導體二極管的主要參數(shù)

常用半導體二極管的主要參數(shù)

表13 部分半導體二極管的參數(shù)

	類型
	普通檢波二極管		￡16	32.5	￡1	340	20	￡250	￡1	fH(MHz)150
				35		3150	100
			￡25	310	￡1		￡10	￡250	￡1	fH(MHz)40
			￡15	310			￡100
	鍺開關(guān)二極管			3150	￡1	30	10		￡3	￡200
						40	20
				3200	￡0.9	60	40		￡2	￡150
				310	￡1	70	50		￡2	￡150
				3250	￡0.7	60	40
						70	50
	硅開關(guān)二極管			310	￡0.8	A330 B345 C360 D375 E390	A320 B330 C340 D350 E360		￡1.5	￡3
				320						￡4
				330					￡1	￡5
				350	￡1
				3100
				3150
				3200
類型
整流二極管			2	0.1	￡1		25 L 600
			6	0.3	￡1		50 L 1000
			10	0.5	￡1		50 L 1000
			20	1	￡1		50 L 1000
			65	3	￡0.8		25 L 1000
			30	1	1.1		50 L 1000	5
			50	1.5	1.4		50 L 1000	10
			200	3	1.2		50 L 1000	10

3.常用整流橋的主要參數(shù)

表14 幾種單相橋式整流器的參數(shù)

		整流 電流/A			反向工作電壓/V	最高工作 結(jié)溫/oC
QL1	1	0.05	￡1.2	￡10		130
QL2	2	0.1
QL4	6	0.3
QL5	10	0.5
QL6	20	1
QL7	40	2		￡15
QL8	60	3

4.常用穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)

表15 部分穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)

	工作電流為穩(wěn)定電流	穩(wěn)定電壓下	環(huán)境溫度50oC		穩(wěn)定電流下	穩(wěn)定電流下	環(huán)境溫度＜10oC
	穩(wěn)定電壓 /V	穩(wěn)定電流/mA	最大穩(wěn)定電流/mA	反向漏電流	動態(tài)電阻/W	電壓溫度系數(shù)/10-4/oC	最大耗散功率/W
2CW51	2.5~3.5	10	71	￡5	￡60	3-9	0.25
2CW52	3.2~4.5		55	￡2	￡70	3-8
2CW53	4~5.8		41	￡1	￡50	-6~4
2CW54	5.5~6.5		38	￡0.5	￡30	-3~5
2CW56	7~8.8		27		￡15	￡7
2CW57	8.5~9.8		26		￡20	￡8
2CW59	10~11.8	5	20		￡30	￡9
2CW60	11.5~12.5		19		￡40	￡9
2CW103	4~5.8	50	165	￡1	￡20	-6~4	1
2CW110	11.5~12.5	20	76	￡0.5	￡20	￡9
2CW113	16~19	10	52	￡0.5	￡40	￡11
2CW1A	5	30	240		￡20		1
2CW6C	15	30	70		￡8		1
2CW7C	6.0~6.5	10	30		￡10	0.05	0.2

5.常用半導體三極管的主要參數(shù)

表16 3AX51(3AX31)型半導體三極管的參數(shù)

原 型 號		3AX31				測 試 條 件
新 型 號		3AX51A	3AX51B	3AX51C	3AX51D
極限參數(shù)	PCM(mW)	100	100	100	100	Ta＝25oC
	ICM(mA)	100	100	100	100
	TjM(oC)	75	75	75	75
	BVCBO(V)	330	330	330	330	IC＝1mA
	BVCEO(V)	312	312	318	324	IC＝1mA
直流參數(shù)	ICBO(mA)	￡12	￡12	￡12	￡12	VCB＝-10V
	ICEO(mA)	￡500	￡500	￡300	￡300	VCE＝-6V
	IEBO(mA)	￡12	￡12	￡12	￡12	VEB＝-6V
	hFE	40~150	40~150	30~100	25~70	VCE＝-1V IC＝50mA
交流參數(shù)	fa(kHz)	3500	3500	3500	3500	VCB＝-6V IE＝1mA
	NF(dB)	－	￡8	－	－	VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHz
	hie(kW)	0.6~4.5	0.6~4.5	0.6~4.5	0.6~4.5	VCB＝-6V IE＝1mA f＝1kHz
	hre(′10)	￡2.2	￡2.2	￡2.2	￡2.2
	hoe(ms)	￡80	￡80	￡80	￡80
	hfe	－	－	－	－
hFE色標分檔
管 腳

表17 3AX81型PNP型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)

型 號		3AX81A	3AX81B	測 試 條 件
極限參數(shù)	PCM(mW)	200	200
	ICM(mA)	200	200
	TjM(oC)	75	75
	BVCBO(V)	-20	-30	IC＝4mA
	BVCEO(V)	-10	-15	IC＝4mA
	BVEBO(V)	-7	-10	IE＝4mA
直流參數(shù)	ICBO(mA)	￡30	￡15	VCB＝-6V
	ICEO(mA)	￡1000	￡700	VCE＝-6V
	IEBO(mA)	￡30	￡15	VEB＝-6V
	VBES(V)	￡0.6	￡0.6	VCE＝-1V IC＝175mA
	VCES(V)	￡0.65	￡0.65	VCE＝VBE VCB＝0 IC＝200mA
	hFE	40~270	40~270	VCE＝-1V IC＝175mA
交 流 參 數(shù)	fb(kHz)	36	38	VCB＝-6V IE＝10mA
hFE色標分檔
管 腳

表18 3BX31型NPN型鍺低頻小功率三極管的參數(shù)

型 號		3BX31M	3BX31A	3BX31B	3BX31C	測 試 條 件
極限參數(shù)	PCM(mW)	125	125	125	125	Ta=25oC
	ICM(mA)	125	125	125	125
	TjM(oC)	75	75	75	75
	BVCBO(V)	-15	-20	-30	-40	IC＝1mA
	BVCEO(V)	-6	-12	-18	-24	IC＝2mA
	BVEBO(V)	-6	-10	-10	-10	IE＝1mA
直流參數(shù)	ICBO(mA)	￡25	￡20	￡12	￡6	VCB＝6V
	ICEO(mA)	￡1000	￡800	￡600	￡400	VCE＝6V
	IEBO(mA)	￡25	￡20	￡12	￡6	VEB＝6V
	VBES(V)	￡0.6	￡0.6	￡0.6	￡0.6	VCE＝6V IC＝100mA
	VCES(V)	￡0.65	￡0.65	￡0.65	￡0.65	VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mA
	hFE	80~400	40~180	40~180	40~180	VCE＝1V IC＝100mA
交 流 參 數(shù)	fb(kHz)	－	－	38	fa3465	VCB＝-6V IE＝10mA
hFE色標分檔
管 腳

表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)

原 型 號		3DG6				測 試 條 件
新 型 號		3DG100A	3DG100B	3DG100C	3DG100D
極限參數(shù)	CM(mW)
	CM(mA)
	CBO(V)					C＝100μA
	CEO(V)					C＝100μA
	EBO(V)					E＝100mA
直流參數(shù)	CBO(mA)					CB＝10V
	CEO(mA)					CE＝10V
	EBO(mA)					EB＝1.5V
	BES(V)					C＝10mA IB＝1mA
	CES(V)					C＝10mA IB＝1mA
	FE					CE＝10V IC＝3mA
交流參數(shù)	T(MHz)					CB＝10V IE＝3mA f＝100MHz RL＝5W
	P(dB)					CB＝-6V IE＝3mA f＝100MHz
	ob(pF)					CB＝10V IE＝0
hFE色標分檔
管 腳

表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高頻小功率三極管的參數(shù)

原 型 號		3DG12				測 試 條 件
新 型 號		3DG130A	3DG130B	3DG130C	3DG130D
極限參數(shù)	PCM(mW)	700	700	700	700
	ICM(mA)	300	300	300	300
	BVCBO(V)	3 40	3 60	3 40	3 60	IC＝100μA
	BVCEO(V)	3 30	3 45	3 30	3 45	IC＝100μA
	BVEBO(V)	3 4	3 4	3 4	3 4	IE＝100mA
直流參數(shù)	ICBO(mA)	￡ 0.5	￡ 0.5	￡ 0.5	￡ 0.5	VCB＝10V
	ICEO(mA)	￡ 1	￡ 1	￡ 1	￡ 1	VCE＝10V
	IEBO(mA)	￡ 0.5	￡ 0.5	￡ 0.5	￡ 0.5	VEB＝1.5V
	VBES(V)	￡ 1	￡ 1	￡ 1	￡ 1	IC＝100mA IB＝10mA
	VCES(V)	￡ 0.6	￡ 0.6	￡ 0.6	￡ 0.6	IC＝100mA IB＝10mA
	hFE	330	3 30	3 30	3 30	VCE＝10V IC＝50mA
交流參數(shù)	fT(MHz)	3 150	3 150	3 300	3 300	VCB＝10V IE＝50mA f＝100MHz RL＝5W
	KP(dB)	3 6	3 6	3 6	3 6	VCB＝–10V IE＝50mA f＝100MHz
	Cob(pF)	￡ 10	￡ 10	￡ 10	￡ 10	VCB＝10V IE＝0
hFE色標分檔
管 腳

表21 9011~9018塑封硅三極管的參數(shù)

型 號		(3DG) 9011	(3CX) 9012	(3DX) 9013	(3DG) 9014	(3CG) 9015	(3DG) 9016	(3DG) 9018
極限參數(shù)	PCM(mW)	200	300	300	300	300	200	200
	ICM(mA)	20	300	300	100	100	25	20
	BVCBO(V)	20	20	20	25	25	25	30
	BVCEO(V)	18	18	18	20	20	20	20
	BVEBO(V)	5	5	5	4	4	4	4
直流參數(shù)	ICBO(mA)	0.01	0.5	0,5	0.05	0.05	0.05	0.05
	ICEO(mA)	0.1	1	1	0.5	0.5	0.5	0.5
	IEBO(mA)	0.01	0.5	0,5	0.05	0.05	0.05	0.05
	VCES(V)	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.5	0.35
	VBES(V)		1	1	1	1	1	1
	hFE	30	30	30	30	30	30	30
交流參數(shù)	fT(MHz)	100			80	80	500	600
	Cob(pF)	3.5			2.5	4	1.6	4
	KP(dB)							10
hFE色標分檔
管 腳

表22 常用場效應三極管主要參數(shù)

參數(shù)名稱	N溝道結(jié)型				MOS型N溝道耗盡型
	3DJ2	3DJ4	3DJ6	3DJ7	3D01	3D02	3D04
	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H	D~H
飽和漏源電流IDSS(mA)	0.3~10	0.3~10	0.3~10	0.35~1.8	0.35~10	0.35~25	0.35~10.5
夾斷電壓VGS(V)	?1~9?	?1~9?	?1~9?	?1~9?	￡?1~9?	￡?1~9?	￡?1~9?
正向跨導gm(mV)	>2000	>2000	>1000	>3000	31000	34000	32000
最大漏源電壓BVDS(V)	>20	>20	>20	>20	>20	>12~20	>20
最大耗散功率PDNI(mW)	100	100	100	100	100	25~100	100
柵源絕緣電阻rGS(W)	3108	3108	3108	3108	3108	3108~109	3100
管腳

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