當P型和N型半導(dǎo)體材料結(jié)合時,P 型( N型)材料中的空穴(電子)向N 型( P 型)材料這邊擴散,擴散的結(jié)果使得結(jié)合區(qū)形成一個勢壘,由此而產(chǎn)生的內(nèi)電場將阻止擴散運動的繼續(xù)進行,當兩者達到平衡時,在PN結(jié)兩側(cè)形成一個耗盡區(qū)。
當PN結(jié)反偏時,外加電場與內(nèi)電場方向一致,耗盡區(qū)在外電場作用下變寬,使勢壘加強;當PN結(jié)正偏時,外加電場與內(nèi)電場方向相反,耗盡區(qū)在外加電場作用下變窄,勢壘削弱。
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