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          電子顯微術(shù)

          作者: 時(shí)間:2011-07-31 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          電子顯微術(shù)可分為靜態(tài)式和掃描式。靜態(tài)式包括穿透式、反射式電鏡及低能電子顯
          微鏡等。掃描式包括二次電子顯微鏡和歐杰電子顯微鏡等。

          2.1 反射式電子顯微術(shù)(Reflection Electron Microscopy,REM)
          穿透式電子顯微鏡是利用電子穿透樣品而產(chǎn)生繞射來成像,其圖像是樣品表面在其
          法線方向的投影,并不帶有表面的訊息。而反射式電子顯微鏡是將高能電子束幾乎平行
          樣品表面的角度入射,然后收集經(jīng)表面小角度反射出來的電子束來成像。這是反射式和
          穿透式電子顯微鏡最大的差別所在。另外由于反射式顯微術(shù)是應(yīng)用平行式的取像法,不
          像掃描是顯微術(shù)是用依序式取像法;其對(duì)圖像變化的捕捉,基本上只受記錄圖像時(shí)間的
          限制,因此反射式顯微術(shù)對(duì)實(shí)時(shí)的表面動(dòng)態(tài)現(xiàn)象觀測(cè)十分有幫助!

          2.2 低能電子顯微術(shù)(Low Energy Electron Microscopy,LEEM)
          低能電子顯微術(shù)和反射式電子顯微術(shù)不同處是在低能電子顯微術(shù)是利用低能量電
          子垂直入射樣品表面。由于低能電子入射到一般樣品表面,均會(huì)被大量反射回來,所以
          帶有很強(qiáng)的表面訊息,利用這些電子產(chǎn)生的繞射來成像將是非常好的方法。但LEEM 再
          發(fā)展過程中有三個(gè)瓶頸﹕(1).需要將入射電子和成像電子分開,這問題目前是利用可以
          有60 度偏轉(zhuǎn)功能的磁鏡來克服。(2).接物鏡的設(shè)計(jì)也是一大問題,因電子在經(jīng)過接物
          鏡時(shí)必須從幾十個(gè)keV 降到幾個(gè)eV,為了達(dá)到高分辨率,接物鏡和樣品表面的距離一
          般只有2mm。(3).在使用LEEM 時(shí)所有使用的材料、組件,都必須維持在超高真空的
          狀態(tài)下才行。

          2.3 掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscopy,SEM)
          SEM 主要包括兩部分,一為提供并聚集電子于標(biāo)本上,產(chǎn)生訊息的主體,包含電
          子槍、電磁透鏡、樣品室和真空系統(tǒng)。二為顯示影像的顯像系統(tǒng)(見圖十三)。
          SEM 是利用收集樣品產(chǎn)生的二次電子來成像,而二次電子的能量大部分在50eV 以
          下,所以這些電子都是在表面附近產(chǎn)生的。二次電子是入射電子經(jīng)多次碰撞后而產(chǎn)生
          的,不具原子的本征性質(zhì),但和逃離表面的功函數(shù)有密切關(guān)系。樣品表面功函數(shù)的變化
          除了和組成元素有關(guān),和區(qū)域結(jié)構(gòu)也有很大的關(guān)系,這是為什么SEM 的圖像能反映表
          面粗糙度的主因。

          圖十三. SEM 裝置示意圖

          2.4 掃描式歐杰電子顯微術(shù)(Scanning Auger Microscopy,SAM)
          掃描是歐杰電子顯微術(shù)是結(jié)合掃描電子顯微鏡及歐杰電子能譜儀(ASE)而成的。
          SAM 和SEM最大的不同之處在以Auger 電子取代二次電子為收集訊號(hào)。歐杰電子最早
          為法國(guó)的皮爾歐杰 (Pierr Auger) 所發(fā)現(xiàn),因此以其名稱之。當(dāng)原子的內(nèi)層電子受到外
          來能量源的激發(fā)而脫離原子時(shí),原子的外層電子將很快的遷降至內(nèi)層電子的空穴并釋出
          能量。所被釋出的能量可能以 X 光的形式釋出,或者此釋出的能量轉(zhuǎn)而激發(fā)另一外層
          電子使其脫離原子,后者反應(yīng)中被激發(fā)而脫離原子束縛離開試片表面的另一電子即為歐
          杰電子,此電子同樣具有代表該原子特性的能量,因此分析歐杰電子亦可得材料成份的
          信息。逃離出來的電子,一般約有小于2keV 的動(dòng)能,在固體中運(yùn)動(dòng)時(shí),最多可走
          5nm,不因碰撞而損失能量。因此歐杰電子具有固態(tài)樣品組成原子的本征性質(zhì),可用來
          判定原子的種類;另外,在樣品收集歐杰電子時(shí),只有距離表面約5nm 之區(qū)域所產(chǎn)生
          的歐杰電子可以被偵測(cè)到,所以它反應(yīng)的是樣品表面幾層的原子成分性質(zhì)。
          由于歐杰電子產(chǎn)生率,加載射電子能量大于10keV 時(shí)衰減的很快,一般使用的能量
          約小于5keV。加上歐杰電子產(chǎn)生率遠(yuǎn)小于二次電子,必須使用更強(qiáng)的光源;但一旦使
          用強(qiáng)光源,電子被聚焦的程度便大受影響,在光學(xué)上將造成技術(shù)上的困擾。因此,SAM
          的分辨率沒有SEM 來的好。



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