瓷介電容器
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瓷介電容可分為低壓低功率和高壓高功率，在低壓低功率中又可分為I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特點是體積小， 損耗低，電容對頻率，溫度穩(wěn)定性都較高，常用于高頻電路。
II型（CT型）特點是體積小，損耗大，電容對溫度頻率，穩(wěn)定性都較差，常用于低頻電路。
CC1型圓片高頻瓷介電容
適用于諧振回路及其他電路做溫度補償，耦合，隔直使用。損耗：《0.025絕緣電阻：10000mohm 試驗電壓：200v
允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）溫度系數(shù)：-150--- -1000PPM/C環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%
CT1型圓形瓷片低頻電容：
環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96%工作電壓50V電容范圍和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圓形瓷片電容：
環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg允許偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
溫度系數(shù)：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
CT01圓形瓷片電容：
環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達96% 大氣壓力750+-30mmhg損耗《0.05絕緣電阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作電壓：63v 試驗電壓：200v
獨石瓷介電容器：
CC4D獨石瓷介電容器
環(huán)境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 大氣壓力666.6PA損耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作電壓：40v 試驗電壓：120v
CT4D獨石瓷介電容器
環(huán)境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 大氣壓力1000PA損耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作電壓：40v-100v 試驗電壓：3UW允差：+80-20%
CC2,CT2管形瓷介電容器
與片形瓷介電容相比，機械強度高，用作旁路時內(nèi)電極屏蔽性能好，用在高頻電阻雜散耦合好，缺點是固有諧振頻率低，制造工藝復雜，產(chǎn)量低。
CT2 損耗《0.04絕緣電阻1000mohm 試驗電壓：480v
使用條件：-55—85c相對濕度：40C時達98%
CC10 超高頻瓷介電容
可用于《500MHZ下，環(huán)境溫度：-55—85C 相對濕度：+40C時達98% 壓力33mmhg 震動強度：加速度10g 沖擊：加速度25g 離心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作電壓：500v
CC11,CT11園片無引線瓷片電容
該電容特為高頻頭設計，頻率特性好。
CC11直流電壓：250V標稱容量：3—39P損耗：《0.0015 絕緣》10000mohm
CT11直流電壓：160V標稱容量：240—1500 絕緣》2500mohm
CT82,CC82高壓高功率瓷片電容：
環(huán)境溫度：-25—85C 相對濕度：+40C時達98%大氣 壓力40000PA 震動：加速度15g 沖擊：加速度15g額定電壓：1—4kv 試驗電壓：2.5—8kv允差：K,M
CC3,CCTD型疊片瓷介電容器CCTF型方形疊片瓷片電容器
CC3損耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作電壓：100V
CCTD損耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作電壓：250V
CCTF損耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作電壓：160V
CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介電容
該類電容使用于VHF,UHF調(diào)諧器和其他無線電設備中做高低頻旁路濾波用。
CC52E-1C 容量：2-33P工作電壓：63V 絕緣電阻：10000mohm損耗：《0.0015
CC53-2C 容量：1000-1500P工作電壓：160V 絕緣電阻：1000mohm損耗《0.035
CT87鼓形高壓低頻瓷介電容器,該電容主要使用于電子設備的脈沖電路。CC87-1 容量：470P工作電壓：10KV 絕緣電阻：10000mohm
CCG81型板形高功率瓷介電容：使用于大功率高頻電子設備中。容量：1000P 工作電壓20KV(高頻15KV) 額定無功功率：100KVA最大電流：25A 最大重量：1.3KG
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