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	 > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-07-13
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源（SMPS） 、不斷電系統(tǒng) （UPS）、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 （Qg）。 
          與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。 
          IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日益進(jìn)步，開關(guān)頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔(dān)當(dāng)起重要的角色。開關(guān)損耗的多少對(duì)快速開關(guān)電路來說是關(guān)鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對(duì)這個(gè)挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化，所以非常適合作為通信應(yīng)用中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主要開關(guān)，或者在任何先進(jìn)的DC-DC應(yīng)用中推動(dòng)輕負(fù)載效率。” 
          這些新款MOSFET達(dá)到工業(yè)級(jí)別及第一級(jí)濕度感應(yīng)度 （MSL1） 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，皆為無鉛設(shè)計(jì)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 （RoHS） 指令。 
          產(chǎn)品的基本規(guī)格： 
          器件編號(hào) 封裝 電壓 （V） Id （A） 最大RDS（on） （mOhms） Qg （nC） 
          IRFB4615PBF TO220 150 35 39 26 
          IRFS4615PBF D2PAK 150 35 39 26 
          IRFSL4615PBF TO262 150 35 39 26 
          IRFB4620PBF TO220 200 25 72.5 25 
          IRFS4620PBF D2PAK 200 25 72.5 25 
          IRFSL4620PBF TO262 200 25 72.5 25 
                     
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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