半導(dǎo)體BJT
BJT是雙極結(jié)型晶體管Bipolar Junction Transistor的簡(jiǎn)寫(xiě),又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管。它有三個(gè)電極,常見(jiàn)的BJT外形如圖1所示,圖2是一種BJT的實(shí)物圖片。
共基直流電流放大系數(shù)為 3.特征頻率fT:當(dāng)考慮BJT的結(jié)電容影響時(shí),BJT的電流放大系數(shù)b 隨工作頻率f 的升高而下降。當(dāng)b下降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率為特征頻率fT。 三、極限參數(shù) 1.集電極最大允許電流ICM ICM是指BJT的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)集電極允許的最大電流。 2.集電極最大允許功率損耗PCM PCM表示集電結(jié)上允許損耗功率的最大值。超過(guò)此值就會(huì)使管子性能變壞或燒毀。 PCM= iCvCE 3.反向擊穿電壓 ① V(BR)EBO V(BR)EBO是指集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。 ② V(BR)CBO V(BR)CBO是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓。 ③ V(BR)CEO V(BR)CEO是指基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V(BR)CEO V(BR)CBO。 各擊穿電壓大小之間有如下的關(guān)系: V(BR)CBO> V(BR)CES> V(BR)CER> V(BR)CEO 相關(guān)推薦技術(shù)專(zhuān)區(qū)
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評(píng)論