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          半導(dǎo)體BJT

          作者: 時(shí)間:2011-07-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          BJT的結(jié)構(gòu)

          BJT是雙極結(jié)型晶體管Bipolar Junction Transistor的簡(jiǎn)寫(xiě),又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管。它有三個(gè)電極,常見(jiàn)的BJT外形如圖1所示,圖2是一種BJT的實(shí)物圖片。

          共基直流電流放大系數(shù)為

          3.特征頻率fT:當(dāng)考慮BJT的結(jié)電容影響時(shí),BJT的電流放大系數(shù)b 隨工作頻率f 的升高而下降。當(dāng)b下降為1時(shí)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率為特征頻率fT。

          三、極限參數(shù)

          1.集電極最大允許電流ICM

          ICM是指BJT的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)集電極允許的最大電流。

          2.集電極最大允許功率損耗PCM

          PCM表示集電結(jié)上允許損耗功率的最大值。超過(guò)此值就會(huì)使管子性能變壞或燒毀。

          PCM= iCvCE

          3.反向擊穿電壓

          ① V(BR)EBO

          V(BR)EBO是指集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。

          ② V(BR)CBO

          V(BR)CBO是指發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓。

          ③ V(BR)CEO

          V(BR)CEO是指基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V(BR)CEO V(BR)CBO。

          各擊穿電壓大小之間有如下的關(guān)系:

          V(BR)CBO> V(BR)CES> V(BR)CER> V(BR)CEO



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