金屬-氧化物-半導體場效應管

結型場效應管的輸入電阻雖然可達106～109W，但在要求輸入電阻更高的場合，還是不能滿足要求。而且，由于它的輸入電阻是PN結的反偏電阻，在高溫條件下工作時，PN結反向電流增大，反偏電阻的阻值明顯下降。與結型場效應管不同，金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）的柵極與半導體之間隔有二氧化硅（SiO2）絕緣介質，使柵極處于絕緣狀態(tài)（故又稱絕緣柵場效應管），因而它的輸入電阻可高達1015W。它的另一個優(yōu)點是制造工藝簡單，適于制造大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路。

MOS管也有N溝道和P溝道之分，而且每一類又分為增強型和耗盡型兩種，二者的區(qū)別是增強型MOS管在柵-源電壓vGS=0時，漏-源極之間沒有導電溝道存在，即使加上電壓vDS（在一定的數(shù)值范圍內），也沒有漏極電流產生（iD=0）。而耗盡型MOS管在vGS=0時，漏-源極間就有導電溝道存在。

4.3.1 N溝道增強型場效應管

一、結構

( vGS＞VT )

式中IDO是vGS=2VT時的漏極電流iD。

2. 參數(shù)

MOS管的主要參數(shù)與結型場效應管基本相同，只是增強型MOS管中不用夾斷電壓VP，而用開啟電壓VT表征管子的特性。

4.3.2 N溝道耗盡型場效應管

圖1

　

表 1

結構種類	工作方式	符 號	電壓極性		轉移特性 iD = f (vGS)	輸出特性 iD = f (vDS)
			VP或VT	VDS
N溝道 MOSFET	耗 盡 型		(-)	(+)
	增 強 型		(+)	(+)
P溝道 MOSFET	耗 盡 型		(+)	(-)
	增 強 型		(-)	(-)
P溝道 JFET	耗 盡 型		(+)	(-)
N溝道 JFET	耗 盡 型		(-)	(+)
P溝道 GaAs MESFET	耗 盡 型		(-)	(+)