串聯(lián)型晶體振蕩器

如圖5.3-13所示。這種電路的特點是把石英諧振器作為串聯(lián)諧振電路使用。L、C1和C2組成的振蕩回路調諧于晶體JT的FB處，在此頻率上，晶體呈現(xiàn)很低阻抗，反饋信號很強，振蕩電路在FA上細胞質振蕩。對于其他頻率.

由于晶體的阻抗迅速增加，反饋減弱，不能產生振蕩。所以，振蕩頻率由晶體控制，穩(wěn)定性高。

晶體置于由兩級共發(fā)放大器組成的正反饋電路，可構成適于低頻的串聯(lián)晶體振蕩電路。

圖5.3-14示出了幾個實用的串聯(lián)晶體振蕩電路。圖5.3-14A是BDZ-3-1型三路載波終端機主振蕩器用的9KHZ串聯(lián)型晶體振蕩電路。當晶體等效電感同負載電容CL串聯(lián)諧振時，阻抗最小，正反饋最強，振蕩得以產生，基工作頻率稍高于晶體的FSO第一級放大（V1）集電極負載采用LC調諧回路，利用它的選頻作用，輸出端得到較好的正弦波電壓。調節(jié)CL，可使頻率達至標稱值。

在圖5.3-14B所示的電路中，晶體工作在感性區(qū)，電路的工作頻率稍高于晶體的FAO調節(jié)電位器RW以調節(jié)反饋量的大小，可獲得良好的正弦波輸出。

圖5.3-14C所示電路中，不用負載電容CL（CL=∞），振蕩電路的工作頻率等于晶體的FAO電位器RW的作用與圖5.3-14B中的RW相同。

圖5.3-14D所示電路為適用于高頻的串聯(lián)型晶體振蕩電路，選用JA15型晶體系列工作頻率可

以在1~20MHZ之間。按圖中標出的元件數(shù)值，可得到1MHZ的振蕩頻率。